【技术实现步骤摘要】
具有多平行环形惠斯通电桥的压力传感器及其制备方法
本公开属于压力传感器
,具体涉及一种具有多平行环形惠斯通电桥的压力传感器以及一种具有多平行环形惠斯通电桥的压力传感器的制备方法。
技术介绍
传统地,压力传感器包括硅衬底以及设置在所述硅衬底上的应力敏感膜和四个压敏电阻等结构,四个压敏电阻通过引线相互电连接形成惠斯通电桥结构,在该惠斯通电桥结构中,四个压敏电阻组成一个方形。但是,经过本公开的专利技术人多次试验研究,发现方形惠斯通电桥的线性度和灵敏度均有待提高。此外,传统地压力传感器并没有在压敏电阻周围设置隔离结构,这导致器件存在漏电的可能性,会增大器件温漂效应,降低器件可靠性。此外,在传统的压力传感器中,在惠斯通电桥结构上下没有设置屏蔽结构,这将导致惠斯通电桥结构上下两侧并不处于同一电位,这容易引起静电和电磁干扰,导致器件可靠性降低。
技术实现思路
本公开旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种具有多平行环形惠斯通电桥的压力传感器以及一种具有多平行环形惠斯通电桥的压力传感器的制备方法。本公开的一方面,提供一种具有多平行环形惠斯通电桥的压力传感器,所述压力传感器包括衬底、压力敏感单元、绝缘钝化层、导线层以及刻蚀停止层,所述压力敏感单元包括应力敏感膜、多个压敏电阻以及多根引线;其中,所述衬底沿其厚度方向的第一表面设置有空腔,所述第一表面上设置有所述刻蚀停止层;所述应力敏感膜设置在所述刻蚀停止层上,所述多个压敏电阻设置在所述应力敏感膜背离所述衬 ...
【技术保护点】
1.一种具有多平行环形惠斯通电桥的压力传感器,其特征在于,所述压力传感器包括衬底、压力敏感单元、绝缘钝化层、导线层以及刻蚀停止层,所述压力敏感单元包括应力敏感膜、多个压敏电阻以及多根引线;其中,/n所述衬底沿其厚度方向的第一表面设置有空腔,所述第一表面上设置有所述刻蚀停止层;/n所述应力敏感膜设置在所述刻蚀停止层上,所述多个压敏电阻设置在所述应力敏感膜背离所述衬底的一侧,并且,所述多个压敏电阻平行间隔设置,所述多个压敏电阻通过所述多根引线电连接形成多平行环形惠斯通电桥;/n所述绝缘钝化层设置在所述压力敏感单元背离所述衬底的一侧,所述绝缘钝化层上设置有贯穿其厚度的多个金属化过孔;/n所述导线层设置在所述绝缘钝化层背离所述衬底的一侧,所述导线层通过所述金属化过孔与对应的所述引线电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种具有多平行环形惠斯通电桥的压力传感器,其特征在于,所述压力传感器包括衬底、压力敏感单元、绝缘钝化层、导线层以及刻蚀停止层,所述压力敏感单元包括应力敏感膜、多个压敏电阻以及多根引线;其中,
所述衬底沿其厚度方向的第一表面设置有空腔,所述第一表面上设置有所述刻蚀停止层;
所述应力敏感膜设置在所述刻蚀停止层上,所述多个压敏电阻设置在所述应力敏感膜背离所述衬底的一侧,并且,所述多个压敏电阻平行间隔设置,所述多个压敏电阻通过所述多根引线电连接形成多平行环形惠斯通电桥;
所述绝缘钝化层设置在所述压力敏感单元背离所述衬底的一侧,所述绝缘钝化层上设置有贯穿其厚度的多个金属化过孔;
所述导线层设置在所述绝缘钝化层背离所述衬底的一侧,所述导线层通过所述金属化过孔与对应的所述引线电连接。
2.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,所述多平行环形惠斯通电桥包括平行间隔设置的两个环形桥臂,分别为第一环形桥臂和第二环形桥臂;所述压力敏感单元包括四个压敏电阻以及四根引线,分别为第一压敏电阻、第二压敏电阻、第三压敏电阻、第四压敏电阻、第一引线、第二引线、第三引线以及第四引线;其中,
所述第一压敏电阻与所述第三压敏电阻平行间隔设置,且所述第一压敏电阻与所述第三压敏电阻通过所述第一引线和所述第二引线电连接形成所述第一环形桥臂;
所述第二压敏电阻与所述第四压敏电阻平行间隔设置,且所述第二压敏电阻与所述第四压敏电阻通过所述第三引线和所述第四引线电连接形成所述第二环形桥臂。
3.根据权利要求2所述的压力传感器,其特征在于,同一个环形桥臂内两个压敏电阻之间的间距范围为10um~1000um,相邻两个环形桥臂间相邻两个压敏电阻之间的间距范围为10um~50um;和/或,
所述压敏电阻的长度范围为50um~1500um,所述压敏电阻的宽度范围为2um~200um。
4.根据权利要求1所述的压力传感器,其特征在于,所述压力敏感单元还包括多个电阻隔离环,所述电阻隔离环环设在对应的所述压敏电阻四周。
5.根据权利要求4所述的压力传感器,其特征在于,所述电阻隔离环采用PN结电阻隔离环;和/或,
所述电阻隔离环的宽度范...
【专利技术属性】
技术研发人员:李维平,兰之康,李晓波,
申请(专利权)人:南京高华科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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