梁-岛-膜应变式压力传感器制造技术

技术编号:26000200 阅读:42 留言:0更新日期:2020-10-20 19:11
本实用新型专利技术公开了梁‑岛‑膜应变式压力传感器,包括四个铂金电阻、梁、敏感膜片、岛、硅基底以及玻璃衬底,所述玻璃衬底上键合有硅基底,所述硅基底上开设有真空腔室,所述敏感膜片包括中心膜、平膜以及梁,所述岛位于中心膜中心处并位于真空腔室的内侧,所述铂金电阻之间连接有电极引线,所述梁的末端与中心膜缘中部相接。本实用新型专利技术传感器采用梁‑岛‑膜结构,与传统的E型结构相比,梁的存在能提高应力集中的的效果,提高传感器的灵敏度;与传统的C型结构相比,岛的存在使得敏感膜片的挠度降低,减少非线性误差带来的影响,线性度增加。

【技术实现步骤摘要】
梁-岛-膜应变式压力传感器
本技术涉及压力传感器
,尤其涉及梁-岛-膜应变式压力传感器。
技术介绍
随着集成电路(IC)硅微加工技术的不断发展,MEMS压力传感器得到广泛应用,应变式压力传感器是压力传感器中应用比较多的一种传感器,它的原理主要是利用金属电阻的应变效应,即金属导体的电阻随着它受到机械形变的大小而发生变化,应变式压力传感器一般用于测量较大的压力,广泛应用于测量管道内部压力、内燃机燃气的压力、压差和喷射压力、发动机和导弹试验中的脉动压力,以及各种领域中的流体压力等;E型结构和C型结构是常见的压力传感器硅杯结构,可以承受更大的挠度,具有过载保护能力,但是容易存在应力不够集中和非线性误差带来影响的问题。
技术实现思路
本技术的目的是为了解决现有技术中存在的问题,而提出的梁-岛-膜应变式压力传感器。为了实现上述目的,本技术采用了如下技术方案:梁-岛-膜应变式压力传感器,包括四个铂金电阻、梁、敏感膜片、岛、硅基底以及玻璃衬底,所述玻璃衬底上键合有硅基底,所述硅基底上开设有真空腔室,所述敏感膜片包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.梁-岛-膜应变式压力传感器,包括四个铂金电阻(1)、梁(9)、敏感膜片(8)、岛(5)、硅基底(4)以及玻璃衬底(6),其特征在于,所述玻璃衬底(6)上键合有硅基底(4),所述硅基底(4)上开设有真空腔室(7),所述敏感膜片(8)包括中心膜(10)、平膜(11)以及梁(9),所述岛(5)位于中心膜(10)中心处并位于真空腔室(7)的内侧,所述铂金电阻(1)之间连接有电极引线(2),所述梁(9)的末端与中心膜(10)缘中部相接。/n

【技术特征摘要】
1.梁-岛-膜应变式压力传感器,包括四个铂金电阻(1)、梁(9)、敏感膜片(8)、岛(5)、硅基底(4)以及玻璃衬底(6),其特征在于,所述玻璃衬底(6)上键合有硅基底(4),所述硅基底(4)上开设有真空腔室(7),所述敏感膜片(8)包括中心膜(10)、平膜(11)以及梁(9),所述岛(5)位于中心膜(10)中心处并位于真空腔室(7)的内侧,所述铂金电阻(1)之间连接有电极引线(2),所述梁(9)的末端与中心膜(10)缘中部相接。


2.根据权利要求1所述的梁-岛-膜应变式压力传感器,其特征在于,所述梁(9)上面设置有一层氮化硅层(3)。


3.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘佳林赵立波李富乐周亚辉车寿进汪升森孙立勇郭晨晨刘金涛
申请(专利权)人:明石创新烟台微纳传感技术研究院有限公司
类型:新型
国别省市:山东;37

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