【技术实现步骤摘要】
一种长晶系统和长晶方法
本专利技术属于晶体培养
，特别涉及一种长晶系统和长晶方法。
技术介绍
在生长晶体时,生长炉中的环境真空度至少可有以下的影响:1)晶体本身重量；2)晶体本身的化学成分比.；3)温场器件的损耗；4)炉腔中的热传导等。依照对不同晶体不同特性的需求,生长单晶体的环境真空度高低的控制是不可或缺的一个要素，尤其对一般的长晶设备而言，对于一套完整的微真空度(例如1atm+/-50kpa)控制器件的装置开发更是有其必要性。就目前所知,目前一般晶体生长炉并无这种装置以应实际需求；再则,利用高温加热是晶体生长的重要方法之一,然在加热过程当中,炉腔中之长晶原料会因饱合蒸汽压的不同,将以不同程度在炉腔中以气态方式存在。倘若所使用之原料其蒸气具有毒性极强例如汞(Hg),铅(Pb),则长晶炉内的压力控制更为重要，现有外加机械泵,分子泵,扩散泵等装置之长晶炉均无法达到要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种能够较为准确的控制长晶炉内压力，并能够将长晶炉内有害气体及时排出的长晶系统和长晶方法。
【技术保护点】
1.一种长晶系统，其特征在于，包括：/n储气罐，所述储气罐通过第一阀门分别与第一管道和第二管道连接，所述第一管道通过第三管道与长晶炉的出气管连接，所述第一管道与所述第三管道的连接处设有真空发生器，所述第三管道上设有冷凝器，所述出气管上设有第二阀门，所述第二管道与所述长晶炉的进气管连接；/n过滤池，所述过滤池通过第四管道与所述第一管道的出气端连接，所述第四管道上设有逆止阀，所述第四管道的出气端位于所述过滤池内液面以下。/n
【技术特征摘要】
1.一种长晶系统，其特征在于，包括：
储气罐，所述储气罐通过第一阀门分别与第一管道和第二管道连接，所述第一管道通过第三管道与长晶炉的出气管连接，所述第一管道与所述第三管道的连接处设有真空发生器，所述第三管道上设有冷凝器，所述出气管上设有第二阀门，所述第二管道与所述长晶炉的进气管连接；
过滤池，所述过滤池通过第四管道与所述第一管道的出气端连接，所述第四管道上设有逆止阀，所述第四管道的出气端位于所述过滤池内液面以下。
2.如去权利要求1所述的长晶系统，其特征在于，所述储气罐与空压机连接。
3.如去权利要求1所述的长晶系统，其特征在于，所述过滤池内还设有吸附剂。
4.如去权利要求1所述的长晶系统，其特征在于，所述逆止阀在所述第四管道上串联设置多个。
5.如去权利要求1所述的长晶系统，其特征在于，所述过滤池串联设置多个。
6.一种长晶方法，其特征在于，所述长晶方法采用权利要求1至5中任一项所述的长晶系统，所述长晶方法包括以下步...
【专利技术属性】
技术研发人员：李兴中，朱爱军，邵永正，袁洋，李行，
申请(专利权)人：河南晶鸿光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：河南;41
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