【技术实现步骤摘要】
用于PECVD设备的原位清洗方法及对应的PECVD设备
本专利技术涉及PECVD设备领域，特别涉及用于PECVD设备的原位清洗方法及对应的PECVD设备。
技术介绍
等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备通常用于在诸如半导体基板、液晶面板和太阳能电池(高效异质结太阳能电池)上沉积薄膜。PECVD设备在运行一段时间后，其反应腔室内壁及腔室内的载板上会沉积预定厚度的硅膜(包括本征/掺杂硅膜多晶硅/非晶硅等)层，此时通常会对PECVD设备进行无需拆卸的原位清洗，以去除上述沉积的硅膜层。现有技术中PECVD设备进行原位清洗主要包括如下步骤：首先，在反应腔室内通入NF3等含氟清洗气体，开启射频发生器提供射频功率，以电离含氟清洗气体，电离出的F活性基与硅膜反应，生成被泵抽走排出的氟化硅气体。原位清洗的清洗速率与等离子体中F活性基浓度密切相关，当清洗气体流量和射频功率匹配固定时，NF3电离成F活性基的电离效率与清洗气体的压强具有直接的线性关系。电离效率与清洗气体的压强具有直接的线性关系可参照G.Bruno在19...
【技术保护点】
1.一种用于PECVD设备的原位清洗方法，所述PECVD设备包括反应腔室和射频发生器，所述方法包括以下步骤：/n第一步骤，向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第一压强，开启所述射频发生器并持续第一预设时间；/n第二步骤，持续向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第二压强，保持所述射频发生器持续开启第二预设时间；/n第三步骤，持续向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第三压强，保持所述射频发生器持续开启第三预设时间；/n第四步骤，持续向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第四压强，保持所述射频发...
【技术特征摘要】
1.一种用于PECVD设备的原位清洗方法，所述PECVD设备包括反应腔室和射频发生器，所述方法包括以下步骤：
第一步骤，向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第一压强，开启所述射频发生器并持续第一预设时间；
第二步骤，持续向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第二压强，保持所述射频发生器持续开启第二预设时间；
第三步骤，持续向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第三压强，保持所述射频发生器持续开启第三预设时间；
第四步骤，持续向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第四压强，保持所述射频发生器持续开启第四预设时间；以及
第五步骤，持续向所述反应腔室通入含氟清洗气体，将所述反应腔室的压强调节至第五压强，保持所述射频发生器持续开启第五预设时间；
其中所述第一压强、第二压强、第三压强、第四压强和第五压强从大到小依次减小。
2.根据权利要求1所述的原位清洗方法，其特征在于，所述第一压强为0.55mbar～小于0.65mbar，所述第二压强为0.45mbar～小于0.55mbar，所述第三压强为0.35mbar～小于0.45mbar；所述第四压强为0.25mbar～小于0.35mbar；所述第五压强为0.15mbar～小于0.25mbar。
3.根据权利要求1所述的原位清洗方法，其特征在于，在所述第一步骤至第五步骤中，通过所述射频发生器将含氟清洗气体电离成含氟等离子体，所述含氟等子体与覆盖在所述反应腔室内壁和设置在所述反应腔室内的载板表面上的硅膜层发生反应，所述反应腔室内壁和载板表面的面积总和不小于500mm×500mm；所述硅膜层包括本征多晶硅、本征非晶硅、磷/硼掺杂的多晶硅、磷/硼掺杂的非晶硅、硅碳膜以及硅氧膜。
4.根据权利要求3所述的原位清洗方法，其特征在于，在第二步骤中，所述含氟等子体经过所述第一预设时间和第二预设时间对所述反应腔室内壁和载板表面的覆盖面积达两者总面积的60％～小于70％，第一步骤中的含氟清洗气体流量和射频发生器功率与第二步骤中的含氟清洗气体流量和射频发生器功率对应相同。
5.根据权利要求4所述的原位清洗方法，其特征在于，在第三步骤中，所述含氟等子体...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴科俊，张津燕，马哲国，陈金元，
申请(专利权)人：上海理想万里晖薄膜设备有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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