一种镀膜工艺及其制备的光学镜头制造技术

本发明专利技术提出了一种镀膜工艺，涉及镀膜技术领域。该镀膜工艺包括以下步骤，准备待镀基材和镀膜材料，采用真空蒸镀法将作为镀膜材料的硅铝混合物镀到光学镜头上，并对镀膜机进行参数的设置，有效提高膜层在镜头表面的牢固度，使膜层不易开裂和脱膜。此外本发明专利技术还提出一种光学镜头，上述光学镜头镜片上的膜层由上述镀膜工艺制备而成，此镜头的透射率好，成像质量高，镜头上的膜层可以长久附着。

A coating process and its optical lens

【技术实现步骤摘要】
一种镀膜工艺及其制备的光学镜头
本专利技术涉及镀膜
，具体而言，涉及一种镀膜工艺及其制备的光学镜头。
技术介绍
光学镜头一般称为摄像镜头或摄影镜头，简称镜头，其功能就是光学成像。光学镜头作为机器视觉系统中必不可少的部件，会直接影响到成像质量的优劣。相比胶片，感光元件更容易反射光线，当杂散光返回空气就会造成光线损失以及反射光在镜筒里乱反射，最后造成眩光和鬼影。而镜片的数量越多，透光率就会越低。因此，镀膜工艺的出现，使得镜头的透光率大大增加，让结构复杂的镜头成为可能，提高了成像质量。现有镜头的镀膜能够增加光线透过率，降低光学元件表面的一些不必要反射，除前述类型的镀膜外，镜头镀膜还包括光谱遮断膜等，光谱遮断膜能够校正色彩，改变镜头的色彩光谱透过特性来纠正偏色，平衡颜色。镜头镀膜是用物理或化学的方法在镜头表面镀上一层透明的电解质膜，或镀一层金属膜，是利用光学薄膜及真空的新技术。物理方法主要是在高真空的容器中、将欲沉积的材料加热直至汽化升华、并使此气体附着于放置在附近的基板表面上、形成一层薄膜。沉积材料光学上主要使用氟化镁和氟化铝等氟化物以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种镀膜工艺，其特征在于，其包括以下步骤，/n准备待镀基材和镀膜材料，所述镀膜材料为硅铝混合物，所述待镀基材上镀的膜为4层及以上；/n第二层膜的制备过程如下：将待镀基材镀完第一层膜后，调整镀膜设备至真空，对镀膜材料进行预熔后利用真空蒸发镀膜镀第二层膜，得到含两层膜的待镀基材；所述预熔过程中，第一段预熔电流为100-200mA，上升时间为2-10s，稳定时间为2-10s，第二段预熔电流为100-200mA，上升时间为2-10s，稳定时间为1-10s；所述真空蒸发镀膜过程中，镀膜电流为100-250mA，镀膜速度为3-15nm/s；/n第四层膜的制备过程如下：将含两层膜的待镀基材镀完第三层膜后...

【技术特征摘要】
1.一种镀膜工艺，其特征在于，其包括以下步骤，
准备待镀基材和镀膜材料，所述镀膜材料为硅铝混合物，所述待镀基材上镀的膜为4层及以上；
第二层膜的制备过程如下：将待镀基材镀完第一层膜后，调整镀膜设备至真空，对镀膜材料进行预熔后利用真空蒸发镀膜镀第二层膜，得到含两层膜的待镀基材；所述预熔过程中，第一段预熔电流为100-200mA，上升时间为2-10s，稳定时间为2-10s，第二段预熔电流为100-200mA，上升时间为2-10s，稳定时间为1-10s；所述真空蒸发镀膜过程中，镀膜电流为100-250mA，镀膜速度为3-15nm/s；
第四层膜的制备过程如下：将含两层膜的待镀基材镀完第三层膜后，调整镀膜设备至真空，对镀膜材料进行预熔后利用真空蒸发镀膜镀第四层膜，得到含四层膜的待镀基材；所述预熔过程中，第一段预熔电流为100-200mA，上升时间为2-20s，稳定时间为2-10s，第二段预熔电流为100-200mA，上升时间为2-30s，稳定时间为1-10s；所述真空蒸发镀膜过程中，镀膜电流为100-250mA，镀膜速度为3-15nm/s；
制备第二层膜和第四层膜时，所述镀膜设备的背景真空度为1.0-5.0×E-2Pa，所述镀膜设备成膜时的真空度为1.0-7.0×E-3Pa。


2.根据权利要求1所述的镀膜工艺，其特征在于，当所述待镀基材上镀的膜为六层及以上时，第六层膜的制备过程如下：将含四层膜的待镀基材镀完第五层膜后，调整镀膜设备至真空，对镀膜材料进行预熔后利用真空蒸发镀膜镀第六层膜，并对膜层进行离子轰击，得到含六层膜的待镀基材；所述预熔过程中，第一段预熔电流为100-200mA，上升时间为2-20s，稳定时间为2-10s，第二段预熔电流为100-200mA，上升时间为2-30s，稳定时间为1-10s；所述真空蒸发镀膜过程中，镀膜电流为100-200mA，镀膜速度为2-10nm/s，所述真空蒸发镀膜过程中离子轰击的条件为：BEAM电压为200-800V，BEAM电流为200-1000mA，加速电压为300-1000V，氧气流量为20-120sccm，氩气流量为3-30sccm；
制备第六层膜时，所述镀膜设备的背景真空度为1.0-5.0×E-2Pa，所述镀膜设备成膜时的真空度为1.0-7.0×E-3Pa。


3.根据权利要求2所述的镀膜工艺，其特征在于，当所述待镀基材上镀的膜为八层及以上时，第八层膜的制备过程如下：将含六层膜的待镀基材镀完第七层膜后，调整镀膜设备真空度，对镀膜材料进行预熔后利用真空蒸发镀膜镀第八层膜，得到含八层膜的待镀基材；所述预熔过程中，第一段预熔电流为100-200mA，上升时间为2-20s，稳定时间为2-10s，第二段预熔电流为100-200mA，上升时间为2-30s，稳定时间为1-10...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宇，
申请(专利权)人：上海晗明光电科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31