点蒸发源及蒸镀设备制造技术

本发明专利技术公开了一种点蒸发源及蒸镀设备，点蒸发源包括用于容纳蒸发材料的坩埚本体和端盖，所述坩埚本体的顶端具有开口，所述端盖盖合在所述坩埚本体的开口处，所述端盖上设置有多个蒸发口部，所述多个蒸发口部排成一列，整列蒸发口部位于同一平面内。本发明专利技术通过在点蒸发源的坩埚本体端盖上增加蒸发口部的数量，可以充分利用蒸发口部整流的作用，使用多束蒸发束流共同沉积制备薄膜，能够减少现有点蒸发源因单一蒸发口造成的薄膜厚度不均匀性(双驼峰结构)现象，使得点蒸发源在镀膜基板表面沉积的膜层厚度更均匀，从而有效改善了镀膜厚度的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
点蒸发源及蒸镀设备
本专利技术涉及蒸发源
，尤其涉及一种点蒸发源及包括此点蒸发源的蒸镀设备。
技术介绍
铜铟镓硒薄膜太阳能电池由于其具有光电转换效率高，弱光性能好和温度系数低等优良性能，得到了广泛关注和研究，并已初步实现了产业化，是最具有潜力的薄膜太阳能电池之一。铜铟镓硒膜层作为电池的核心吸收层，其制备工艺是得到高性能铜铟镓硒薄膜太阳能电池组件最核心的技术。共蒸发方法是制备高质量铜铟镓硒吸收层的主流方法之一。生产线利用共蒸发方法制备铜铟镓硒的主要过程是：铜铟镓硒镀膜腔室中，铜、铟、镓、硒四种蒸发源通过电阻加热的方式使其熔化并保持持续蒸发。镀有背电极层的基板通过自动线传动，由外部(或其它工艺腔室)传输至铜铟镓硒镀膜腔室时，蒸发出来的铜、铟、镓、硒粒子会不断地发生碰撞、反应，并在基板背电极层表面发生沉积、化合，形成铜铟镓硒薄膜材料。现有的铜铟镓硒镀膜腔室中，铜、铟、镓三种蒸发源按照双侧对称的规律独立地分布在镀膜腔室中，蒸发出来的铜、铟、镓粒子按照金属源的设计顺序先后沉积在水平传输的镀膜基板表面。一般地，铜、铟、镓三种蒸发源的蒸本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种点蒸发源，其特征在于，包括用于容纳蒸发材料的坩埚本体和端盖，所述坩埚本体的顶端具有开口，所述端盖盖合在所述坩埚本体的开口处，所述端盖上设置有多个蒸发口部，所述多个蒸发口部排成一列，整列蒸发口部位于同一平面内。/n

【技术特征摘要】
1.一种点蒸发源，其特征在于，包括用于容纳蒸发材料的坩埚本体和端盖，所述坩埚本体的顶端具有开口，所述端盖盖合在所述坩埚本体的开口处，所述端盖上设置有多个蒸发口部，所述多个蒸发口部排成一列，整列蒸发口部位于同一平面内。


2.根据权利要求1所述的点蒸发源，其特征在于，多个所述蒸发口部凸出于所述端盖的上表面，设置于所述坩埚本体的中轴线两侧的蒸发口部均朝背离所述中轴线的方向倾斜布置。


3.根据权利要求2所述的点蒸发源，其特征在于，设置于所述坩埚本体的中轴线两侧的蒸发口部相对于所述中轴线的倾斜角度为2°～15°。


4.根据权利要求3所述的点蒸发源，其特征在于，设置于所述坩埚本体的中轴线两侧的蒸发口部的倾斜角度沿远离所述中轴线的方向逐渐增大。


5.根据权利要求1-4任一项所述的点蒸发源，其特征在于，每个所述蒸发口部具有一开口端面，相邻两个所述蒸发口部的开口端面的中心之间的距离l为5cm～10cm。


6.一种蒸镀设备，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的点蒸发源。

【专利技术属性】
技术研发人员：赵树利，
申请(专利权)人：北京铂阳顶荣光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11