基板处理设备和基板处理方法技术

本发明专利技术涉及一种基板处理设备和基板处理方法。所述基板处理设备包括：成膜室，在所述成膜室中，在基板上形成膜；以及可动构件，其被配置为在所述成膜室的内部空间中支撑掩模、或者所述掩模和所述基板这两者，并且能够移动。在所述基板上形成所述膜之前，在由基板输送机构输送至所述成膜室的内部空间的所述基板与由所述可动构件支撑的所述掩模分离的状态下，所述可动构件移动以减小所述基板和所述掩模之间的对准误差，然后支撑所述基板。在由所述可动构件支撑所述基板之后并且在通过所述基板输送机构从所述成膜室取出所述基板之前，所述可动构件移动到预定位置。

【技术实现步骤摘要】
基板处理设备和基板处理方法
本专利技术涉及基板处理设备和基板处理方法。
技术介绍
已进行了研究和开发，以在基板上形成功能层，从而提供与功能层相对应的用途的元件。已知通过将功能层形成为有机或无机的发光层来形成发光元件。另一方面，可以通过将功能层形成为有机或无机的光电转换层来形成光电转换元件。为了形成这些功能层，可以采用诸如溅射法或CVD法等的适合于功能层的形成方法。定位基板以在所确定的位置形成功能层。另外，使用掩模来在特定位置形成功能层。掩模是用于限制形成功能层的区域的构件。用于将掩模和基板之间的相对位置设置为预定相对位置的操作被称为对准。日本特开2014-70242(以下称为专利文献1)描述了气相沉积设备，其中在该气相沉积设备中，在将基板放置在制备室中之后，将制备室的内部抽空，将基板移动到等离子体处理室并在等离子体处理室中清洁基板，将基板移动到基板旋转室并在基板旋转室中旋转基板，然后将基板移送至气相沉积室并且基板经历气相沉积。在该气相沉积设备中，基板在制备室中经历预对准，在等离子体处理室中经历清洁，并且在基板旋转室中经历旋转。然后，将基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理设备，包括：/n成膜室，在所述成膜室中，在基板上形成膜；以及/n可动构件，其被配置为在所述成膜室的内部空间中支撑掩模、或者所述掩模和所述基板这两者，并且能够移动，/n其中，在所述基板上形成所述膜之前，在由基板输送机构输送至所述成膜室的内部空间的所述基板与由所述可动构件支撑的所述掩模分离的状态下，所述可动构件移动以减小所述基板和所述掩模之间的对准误差，然后支撑所述基板，以及/n在由所述可动构件支撑所述基板之后并且在通过所述基板输送机构从所述成膜室取出所述基板之前，所述可动构件移动到预定位置。/n

【技术特征摘要】
20190424 JP 2019-0832121.一种基板处理设备，包括：
成膜室，在所述成膜室中，在基板上形成膜；以及
可动构件，其被配置为在所述成膜室的内部空间中支撑掩模、或者所述掩模和所述基板这两者，并且能够移动，
其中，在所述基板上形成所述膜之前，在由基板输送机构输送至所述成膜室的内部空间的所述基板与由所述可动构件支撑的所述掩模分离的状态下，所述可动构件移动以减小所述基板和所述掩模之间的对准误差，然后支撑所述基板，以及
在由所述可动构件支撑所述基板之后并且在通过所述基板输送机构从所述成膜室取出所述基板之前，所述可动构件移动到预定位置。


2.根据权利要求1所述的基板处理设备，还包括基板支撑机构，所述基板支撑机构配置在所述成膜室的内部空间中，并且被配置为支撑由所述基板输送机构输送至所述成膜室的内部空间的所述基板，
其中，在所述基板上形成所述膜之前，在由所述基板支撑机构支撑的所述基板与由所述可动构件支撑的所述掩模分离的状态下，所述可动构件移动以减小所述对准误差。


3.根据权利要求1所述的基板处理设备，还包括检测器，所述检测器被配置为检测所述基板和所述掩模之间的所述对准误差，
其中，所述可动构件移动，以减小所述检测器检测到的所述对准误差。


4.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，在所述可动构件移动到所述预定位置之后，在所述基板上形成所述膜。


5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，在所述基板上形成所述膜之后，所述可动构件移动到所述预定位置。


6.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中，在所述成膜室的内部空间中的压力降低的状态下，在所述基板上形成所述膜。


7.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理设备，其中，
所述基板输送机构包括用于保持所述基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：板桥真澄，川角保志，贵志悦朗，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP