一种苯并二咪唑类的化合物、空穴注入材料、OLED器件及其制备方法和应用技术

本发明专利技术提供了一种苯并二咪唑类的化合物、空穴注入材料、OLED器件及其制备方法和应用，所述苯并二咪唑类的化合物具有如式I所示的结构；本发明专利技术提供的苯并二咪唑类的化合物，通过苯并二咪唑具有的母环结构，使得化合物具有良好的交叉超共轭特性，同时引入取代基团，赋予化合物分子较强的还原电位，具有较低的LUMO能级，一般在‑5.2eV～‑5.5eV之间，提升了化合物的稳定性，无需掺入其他物质，非常适用于作为有机电致发光器件的空穴注入材料，能够赋予材料良好的空穴注入性能，在半导体材料领域具有良好的应用前景，应用价值较高。

【技术实现步骤摘要】
一种苯并二咪唑类的化合物、空穴注入材料、OLED器件及其制备方法和应用
本专利技术属于半导体材料领域，涉及一种苯并二咪唑类化合物、空穴注入材料、OLED器件及其制备方法和应用。
技术介绍
能级匹配对于有机电致发光器件至关重要，以经典的有有机电致发光器件为例，其层叠结构包括：阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层以及阳极，一般使用ITO作为阳极，但是它的功函数较高，与大部分空穴传输材料的能级相差达到0.4eV左右。因此，如果在阳极以及空穴传输层之间加入一层空穴注入层，一方面可以增加电荷的注入，另一方面还可以提高器件的整体效率以及寿命。当然，将某些强氧化剂掺杂到空穴传输层中作为空穴注入层也是另一种提高有机电致发光器件的空穴注入效率的途径。不过该方法对于主体材料以及掺杂材料的能级有要求，一般而言，主体材料的HOMO能级需要与客体材料的LUMO能级接近，这样一来，HOMO能级的电子就能更跳跃至掺杂剂的LUMO能级，从而使的空穴传输层形成自由空穴，实现器件电导率的提升。同时，掺杂还可以使界面能带发生弯曲，空穴就能够以穿隧的方式注入。对于掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种苯并二咪唑类的化合物，其特征在于，所述苯并二咪唑类的化合物具有如式I所示的结构：/n

【技术特征摘要】
1.一种苯并二咪唑类的化合物，其特征在于，所述苯并二咪唑类的化合物具有如式I所示的结构：



其中，R1、R2、R3、R4、R5和R6独立地选自氢原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、取代或未取代的杂芳基、取代或未取代的芳氧基中的任意一种，且R1、R2、R3、R4、R5和R6不同时为氢原子。


2.根据权利要求1所述的苯并二咪唑类的化合物，其特征在于，R1、R2、R3、R4、R5和R6独立地选自卤素原子、氰基、取代的烷基、取代的烯基、取代的芳基、取代的烷氧基、取代的杂芳基或取代的芳氧基中的任意一种。


3.根据权利要求1或2所述的苯并二咪唑类的化合物，其特征在于，所述卤素原子为氟原子；
优选地，所述取代的取代基为氟原子、氰基或三氟甲基中的任意一种。


4.根据权利要求1-3中任一项所述的苯并二咪唑类的化合物，其特征在于，所述苯并二咪唑类的化合物包括中的任意一种；
优选地，所述苯并二咪唑类的化合物为中的任意一种。


5.根据权利要求1-4中任一项所述的苯并二咪唑类的化合物的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：化合物a与取代试剂在钯催化剂和强碱存在下反应得到具有式I所示的结构的苯并二咪唑类的化合物；
其中化合物a的结构为取代试剂为卤素单质或R...

【专利技术属性】
技术研发人员：张双，张晓龙，谭奇，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31