一类有机半导体分子及其化合物、制备方法和在有机光电器件中的应用技术

本发明专利技术涉及一类有机半导体分子及其化合物、制备方法和在有机光电器件中的应用。由该化合物制备的材料能与阴极形成界面偶极，降低阴极功函，具有较低的LUMO能级、提高电子迁移率，有利于电子的注入与传输，同时可以阻挡空穴传输；侧链上的强极性基团使得这类化合物可以用水、醇等强极性溶剂溶解并通过溶液加工方式制备均匀薄膜，可以实现溶剂正交加工。将这类含氮有机半导体材料可用于有机光电器件的阴极界面修饰层，可以提高器件效率。

【技术实现步骤摘要】
一类有机半导体分子及其化合物、制备方法和在有机光电器件中的应用
本专利技术属于有机光电材料领域，具体涉及到一类基于喹啉并三唑单元的水/醇溶性机半导体分子及其化合物、制备方法和在有机光电器件中的应用。
技术介绍
Al、Ag等高功函金属是目前最常用的有机光电器件的阴极材料，这类金属具有较好的环境稳定性及水氧阻隔性，有利于器件稳定。但是，Al、Ag等高功函金属作为阴极也面临着电子注入较困难的问题，影响器件性能。通常的改善方法是采用无机的低功函金属如Ba、Ca等或者碱金属盐如CsF、Cs2CO3等进行修饰，降低阴极功函，这类金属和金属盐需要在高真空中通过蒸镀的方式制备薄膜，能耗较高。另外一种改善高功函金属阴极的电子注入能力的方法是引入有机的阴极界面修饰层。Cao等报道了一系列侧链含氨基等强极性基团的芴类聚合物，这类聚合物可以溶解在醇和水等强极性溶剂中，作者通过旋涂的方式以这些含氨基等强极性基团的芴类聚合物为电子传输层制备了高效率的有机发光二极管[Chem.Mater.2004,16,708-716；Chem.Sci.,2013,4,1298–1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一类含氮有机半导体材料分子，其特征在于，该分子以喹啉并三唑单元为核心，化学结构式满足以下通式：/n

【技术特征摘要】
1.一类含氮有机半导体材料分子，其特征在于，该分子以喹啉并三唑单元为核心，化学结构式满足以下通式：



其中，R为含极性基团的水/醇溶解特性侧链；
Ar1和Ar2为H、F、Cl、Br、碳原子数6～30的芳香族烃基或碳原子数3～30的芳香族杂环基。


2.一种含有根据权利要求1所述的含氮有机半导体材料分子的化合物，其特征在于，所述含极性基团的水/醇溶性侧链R均选自如下化学结构式或如下化学结构式的衍生物中的一种及以上：



式中，m为1～10的整数。


3.根据权利要求2所述的化合物，其特征在于，所述Ar1/Ar2除了可为H、F、Cl、Br之外，还可以是碳原子数6～30的芳香族烃基或碳原子数3～30的芳香族杂环基，分别优选为如下化学结构式或如下化学结构式的衍生物中的一种及以上：



R1为碳原子数1～30的烷基、碳原子数3～30的环烷基、碳原子数为6～30芳香族烃基或碳原子数为3～30的芳香族杂环基。


4.一种根据权利要求2-3中任一项所述的化合物的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
由喹啉为原料，通过关环反应得到喹啉并噻二唑单元；溴化后得到溴代喹啉并噻二唑单元；经过开环和重新关环反应得...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙文彬，彭沣，
申请(专利权)人：东莞阿尔达新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44