一种晶棒位置校准装置及其使用方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭示了提供了一种晶棒位置校准装置，其包括：放大镜和第一连接块，所述第一连接块设置在所述放大镜的下方；第一滑轨，所述第一滑轨与所述第一连接块滑动连接，其中，所述第一滑轨与所述放大镜相互平行；第二连接块，所述第二连接块设置在所述第一滑轨的下方；第二滑轨，所述第二滑轨与所述第二连接块滑动连接，其中，所述第二滑轨与所述第一滑轨相互垂直。本发明专利技术提供的一种晶棒位置校准装置，通过在装置内设有放大镜以及可移动滑轨，通过滑轨滑动带动放大镜滑动完成了调整晶片晶向角度公差的过程，能有效解决现有技术中的晶片晶向角度公差的调整方式已不能达到精度要求的技术问题，能实现晶棒位置的精确校准。

【技术实现步骤摘要】
一种晶棒位置校准装置及其使用方法
本专利技术涉及半导体材料加工
，尤其涉及一种晶棒位置校准装置及其使用方法。
技术介绍
砷化镓具有很高的电子迁移率，故可用于制备高速或微波半导体器件，砷化镓还用于制作耐高温、抗辐照或低噪声器件、近红外发光和激光器件，也用于作光电阴极材料等，更重要的是它将成为今后发展超高速半导体集成电路的基础材料。应用于各种领域的砷化镓晶片对其晶向角度有着严格的要求，要使切出的晶片精度符合客户要求，除了保证晶棒本身的晶向在精度范围内外，还需要保证晶棒切割时钢线与晶片端面平行，因此砷化镓晶片对晶向角度有着比较苛刻的要求。现有技术调整砷化镓晶片晶向角度的方法是使用杠杆千分表检测晶棒端面是否平行于线锯工作台，当工作台不平行时，通过调整工作台的水平和垂直角度使晶棒端面与工作台平行，但是该方法存在一个误差，就是钢线本身并不完全与工作台平行，这个误差在0.2°左右，导致生产的砷化镓晶片的晶向角度公差在±0.5°左右。在对砷化镓晶片晶向角度公差要求日益苛刻的环境下，很多客户要求提供的砷化镓晶片的晶向角度公差在±0.02°以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶棒位置校准装置，其特征在于，其包括：/n放大镜和第一连接块，所述第一连接块设置在所述放大镜的下方；/n第一滑轨，所述第一滑轨与所述第一连接块滑动连接，其中，所述第一滑轨与所述放大镜相互平行；/n第二连接块，所述第二连接块设置在所述第一滑轨的下方；/n第二滑轨，所述第二滑轨与所述第二连接块滑动连接，其中，所述第二滑轨与所述第一滑轨相互垂直。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶棒位置校准装置，其特征在于，其包括：
放大镜和第一连接块，所述第一连接块设置在所述放大镜的下方；
第一滑轨，所述第一滑轨与所述第一连接块滑动连接，其中，所述第一滑轨与所述放大镜相互平行；
第二连接块，所述第二连接块设置在所述第一滑轨的下方；
第二滑轨，所述第二滑轨与所述第二连接块滑动连接，其中，所述第二滑轨与所述第一滑轨相互垂直。


2.根据权利要求1所述的一种晶棒位置校准装置，其特征在于，所述装置还包括：
第一限位块和第二限位块，所述第一限位块和所述第二限位块分别设置在所述第一导轨的两端；
第三限位块和第四限位块，所述第三限位块和所述第四限位块分别设置在所述第二导轨的两端。


3.根据权利要求1所述的一种晶棒位置校准装置，其特征在于，所述装置还包括：
第一螺杆，所述第一螺杆贯穿所述第一限位块与所述第一连接块固定连接；
第二螺杆，所述第二螺杆贯穿所述第三限位块与所述第二连接块固定连接。


4.根据权利要求1所述的一种晶棒位置校准装置，其特征在于，所述装置还包括：
第一弹簧，所述第一弹簧的一端抵接所述第一连接块，所述第一弹簧的另一端抵接所述第二限位块；
第二弹簧，所述第二弹簧的一端抵接所述第二连接块，所述第一弹簧的另一端抵接所述第四限位块。


5.根据权利要求1所述的一种晶棒位置校准装置，其特征在于，所述装置还包括：
第一底座，所述第一底座设置在所述放大镜与所述第一连接块之间；
第二底座，所述第二底座设置在所述第二滑轨的下端面。


6.根据权利要求5所述的一种晶棒位置校准装置，其特征在于，所述装置还包括：
第一固定器，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周铁军，叶水景，刘火阳，吴晓桂，陈旭，
申请(专利权)人：广东先导先进材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44