一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装结构制造技术

本实用新型专利技术的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装结构，包括陶瓷基板和WB芯片，陶瓷基板两侧面分别向内凹陷形成上挖腔和下挖腔，上挖腔和下挖腔内均贴合有WB芯片，陶瓷基板上侧面覆盖有上盖板，陶瓷基板下侧面覆盖有下盖板，上盖板通过可伐环与陶瓷基板上侧面的焊接层固定连接，下盖板与陶瓷基板下侧面的焊接层固定连接。通过在陶瓷基板两侧面分别设置上挖腔和下挖腔，使得陶瓷基板的空间得到增大，且上挖腔和下挖腔内均设有WB芯片，使得陶瓷基板的封装空间变大，提高了陶瓷封装的空间利用率且降低了陶瓷封装的外形尺寸。

【技术实现步骤摘要】
一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装结构
本技术属于芯片陶瓷封装
，具体来说是一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装结构。
技术介绍
随着半导体技术的不断发展，越来越多的芯片种类被开发出来以适用于不同的市场需求，其中WB芯片是为现阶段封装所使用的主流芯片之一。然而现有的WB芯片的陶瓷封装结构由于内部空间小，存在难以满足需求的问题。
技术实现思路
1.技术要解决的技术问题本技术的目的在于解决现有的WB芯片陶瓷封装结构由于内部空间小，难以满足需求的问题。2.技术方案为达到上述目的，本技术提供的技术方案为：本技术的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装结构，包括陶瓷基板和WB芯片，所述陶瓷基板两侧面分别向内凹陷形成上挖腔和下挖腔，所述上挖腔和下挖腔内均贴合有WB芯片，所述陶瓷基板上侧面覆盖有上盖板，所述陶瓷基板下侧面覆盖有下盖板，所述上盖板通过可伐环与陶瓷基板上侧面的焊接层固定连接，所述下盖板与陶瓷基板下侧面的焊接层固定连接。优选的，所述上盖板侧边为阶梯型。优选的，所述上挖腔的数量设为至少一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装结构，其特征在于：包括陶瓷基板(1)和WB芯片(4)，所述陶瓷基板(1)两侧面分别向内凹陷形成上挖腔(3)和下挖腔(11)，所述上挖腔(3)和下挖腔(11)内均贴合有WB芯片(4)，所述陶瓷基板(1)上侧面覆盖有上盖板(10)，所述陶瓷基板(1)下侧面覆盖有下盖板(12)，所述上盖板(10)通过可伐环(9)与陶瓷基板(1)上侧面的焊接层(2)固定连接，所述下盖板(12)与陶瓷基板(1)下侧面的焊接层(2)固定连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装结构，其特征在于：包括陶瓷基板(1)和WB芯片(4)，所述陶瓷基板(1)两侧面分别向内凹陷形成上挖腔(3)和下挖腔(11)，所述上挖腔(3)和下挖腔(11)内均贴合有WB芯片(4)，所述陶瓷基板(1)上侧面覆盖有上盖板(10)，所述陶瓷基板(1)下侧面覆盖有下盖板(12)，所述上盖板(10)通过可伐环(9)与陶瓷基板(1)上侧面的焊接层(2)固定连接，所述下盖板(12)与陶瓷基板(1)下侧面的焊接层(2)固定连接。


2.根据权利要求1所述的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装结构，其特征在于：所述上盖板(10)侧边为阶梯型。


3.根据权利要求1所述的一种基于WB芯片的双面挖腔陶瓷封装结构，其特征在于：所述上挖腔(3)的数量设为至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡孝伟，代文亮，伊海伦，
申请(专利权)人：上海芯波电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31