一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构制造技术

本实用新型专利技术的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构，属于芯片封装技术领域。包括硅基板和贴装在硅基板上的WB芯片，所述硅基板向内凹陷设有台阶腔，所述WB芯片贴装于台阶腔底部。通过硅基板向内凹陷形成台阶腔且在台阶腔的底部贴装WB芯片，可以使得WB芯片与台阶腔的溢胶区域得到有效控制，同时，台阶腔上还可以设有金手指，可以增加硅基板的平面利用率，提高封装的集成度。

【技术实现步骤摘要】
一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构
本技术属于芯片封装
，具体来说是一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构。
技术介绍
随着封装行业的不断进步，对于封装的尺寸以及内部芯片的集成度越来越高，目前大多数的芯片是直接贴装在硅基板的表面，这样造成最终的封装尺寸较高；而且由于WB芯片手指的安全间距问题以及芯片底部的填充胶造成尺寸大集成度较低，难以满足更多需求。
技术实现思路
1.技术要解决的技术问题本技术的目的在于解决现有的芯片封装集成度较低难以满足需求的问题。2.技术方案为达到上述目的，本技术提供的技术方案为：本技术的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构，包括硅基板和贴装在硅基板上的WB芯片，所述硅基板向内凹陷设有台阶腔，所述WB芯片贴装于台阶腔底部。优选的，所述台阶腔的数量设有一个或至少两个，当台阶腔的数量为至少两个时，相邻的台阶腔之间相互隔离设置。优选的，所述台阶腔包括由浅入深依次设置的顶层台阶腔、中层台阶腔和底层台阶腔，所述顶层台阶腔、中层台阶腔和底层台阶腔的面积逐渐减少，所述WB芯片贴装于底层台阶腔内壁。优选的，所述WB芯片同导电胶或非导电胶粘贴于所述台阶腔底部。优选的，所述顶层台阶腔和中层台阶腔的底面均设有金手指，该金手指通过金线、铝线或铜线与所述WB芯片导通。优选的，所述顶层台阶腔的深度为100um-300um，所述中层台阶腔的深度为100um-300um，所述底层台阶腔的深度为100um-300um。优选的，所述台阶腔的四周设有焊接层，所述台阶腔上平行覆盖有盖板，所述盖板侧边通过可伐环与焊接层固定连接。优选的，所述盖板侧边为T型结构。3.有益效果采用本技术提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：本技术的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构，包括硅基板和贴装在硅基板上的WB芯片，所述硅基板向内凹陷设有台阶腔，所述WB芯片贴装于台阶腔底部。通过硅基板向内凹陷形成台阶腔且在台阶腔的底部贴装WB芯片，可以使得WB芯片与台阶腔的溢胶区域得到有效控制，同时，台阶腔上还可以设有金手指，可以增加硅基板的平面利用率，提高封装的集成度。附图说明图1为本技术的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构的俯视图；图2为本技术的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构的过滤网的结构示意图；图3为本技术的整体外观示意图。示意图中的标号说明：1、硅基板；2、焊接层；3、中层台阶腔；4、底层台阶腔；5、WB芯片；6、金线；7、顶层台阶腔；8、可伐环；9、盖板；10、引脚。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述，附图中给出了本技术的若干实施例，但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例，相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。需要说明的是，当元件被称为“固设于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件；当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件；本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同；本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术；本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。实施例1参照附图1-附图3，本实施例的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构，包括硅基板1和贴装在硅基板1上的WB芯片5，所述硅基板1向内凹陷设有台阶腔，所述WB芯片5贴装于台阶腔底部。通过硅基板1向内凹陷形成台阶腔且在台阶腔的底部贴装WB芯片5，可以使得WB芯片5与台阶腔的溢胶区域得到有效控制，同时，台阶腔上还可以设有金手指，可以增加硅基板1的平面利用率，提高封装的集成度。本实施例的台阶腔的数量设有两个，相邻的台阶腔之间相互隔离设置，且每个台阶腔内均设有WB芯片5。本实施例的台阶腔包括由浅入深依次设置的顶层台阶腔7、中层台阶腔3和底层台阶腔4，所述顶层台阶腔7、中层台阶腔3和底层台阶腔4的面积逐渐减少，可以更好的对WB芯片5进行固定，且顶层台阶腔7、中层台阶腔3具有一定的空间用于安装金手指。WB芯片5贴装于底层台阶腔4内壁。WB芯片5同导电胶或非导电胶粘贴于所述台阶腔底部。顶层台阶腔7和中层台阶腔3的底面均设有金手指，该金手指通过金线与所述WB芯片5导通。本实施例的顶层台阶腔7的深度为100um-300um，所述中层台阶腔3的深度为100um-300um，所述底层台阶腔4的深度为100um-300um。本实施例的台阶腔的四周设有焊接层2，所述台阶腔上平行覆盖有盖板9，所述盖板9侧边通过可伐环8与焊接层2固定连接。盖板9侧边为T型结构，可以与可伐环8进行更好的配合固定，稳定性更强。以上所述实施例仅表达了本技术的某种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制；应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围；因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构，其特征在于：包括硅基板(1)和贴装在硅基板(1)上的WB芯片(5)，所述硅基板(1)向内凹陷设有台阶腔，所述WB芯片(5)贴装于台阶腔底部。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构，其特征在于：包括硅基板(1)和贴装在硅基板(1)上的WB芯片(5)，所述硅基板(1)向内凹陷设有台阶腔，所述WB芯片(5)贴装于台阶腔底部。


2.根据权利要求1所述的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构，其特征在于：所述台阶腔的数量设有一个或至少两个，当台阶腔的数量为至少两个时，相邻的台阶腔之间相互隔离设置。


3.根据权利要求1所述的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构，其特征在于：所述台阶腔包括由浅入深依次设置的顶层台阶腔(7)、中层台阶腔(3)和底层台阶腔(4)，所述顶层台阶腔(7)、中层台阶腔(3)和底层台阶腔(4)的面积逐渐减少，所述WB芯片(5)贴装于底层台阶腔(4)内壁。


4.根据权利要求1所述的一种基于WB芯片的台阶腔硅基封装结构，其特征在于：所述WB芯片(5)同导电胶或非导电胶粘贴于所述台阶腔底...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡孝伟，代文亮，胡行勇，
申请(专利权)人：上海芯波电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31