一种二氧化硅生产污水二次处理装置制造方法及图纸

一种二氧化硅生产污水二次处理装置，包括依次连通的硅酸镁预缓释池、第一沉降池、若干硅酸镁处理池和第二沉降池，在硅酸镁预缓释池、每个硅酸镁处理池内均盛装有用于去除二氧化硅生产污水中的氟离子的硅酸镁块，在硅酸镁块之间均留有便于二氧化硅生产污水流动的流水间隙；硅酸镁预缓释池的底部与第一沉降池的底部连通，第一沉降池的顶部与硅酸镁处理池的顶部连通，硅酸镁处理池的底部与第二沉降池的底部连通，相邻硅酸镁处理池的底部相互连通。该装置设计合理、操作简单、方便，利用硅酸镁去除污水中的氟离子，使得处理后的二氧化硅生产污水达到排放标准，处理成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种二氧化硅生产污水二次处理装置
本技术涉及污水处理
，特别是一种二氧化硅生产污水二次处理装置。
技术介绍
二氧化硅的化学式为SiO2，二氧化硅有晶态和无定形两种形态，自然界中存在的二氧化硅如石英、石英砂等统称硅石，纯石英为无色晶体，二氧化硅用途很广泛，主要用于制玻璃、水玻璃、陶器、搪瓷、耐火材料、气凝胶毡、硅铁、型砂、单质硅、水泥等。目前，随着科技的发展，智能芯片应用越来越多，而芯片主要采用单晶硅制成，单晶硅又靠高纯二氧化硅制成，因而，现在越来越多的公司都在研究如何对二氧化硅进行提纯，以制得更高精度的高纯二氧化硅，现有的主要技术手段是对低纯度的石英砂进行酸洗、提纯，以制得高纯石英砂，从而得到高纯度的二氧化硅。而在二氧化硅的提纯过程，会产生大量的污水，这些污水中会含有大量的氟离子，很难进行去除，现有技术中一般采用化学絮凝剂或者一些复杂的工艺方法来去除，一方面化学絮凝剂添加量、添加时间很难进行把控，一方面现有的工艺方法比较复杂，操作繁琐，成本高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种设计合理、简单方便、成本低、能够有效去除二氧化硅生产污水中氟离子的二氧化硅生产污水二次处理装置。本技术所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的。本技术是一种二氧化硅生产污水二次处理装置，该装置包括依次连通的硅酸镁预缓释池、第一沉降池、若干硅酸镁处理池和第二沉降池，在硅酸镁预缓释池、每个硅酸镁处理池内均盛装有用于去除二氧化硅生产污水中的氟离子的硅酸镁块，在硅酸镁块之间均留有便于二氧化硅生产污水流动的流水间隙。本技术所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的二氧化硅生产污水二次处理装置，所述硅酸镁处理池至少设置有2个。本技术所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的二氧化硅生产污水二次处理装置，所述硅酸镁处理池设置有3个，3个硅酸镁处理池依次为硅酸镁一次缓释池、硅酸镁二次缓释池和硅酸镁三次缓释池。本技术所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的二氧化硅生产污水二次处理装置，硅酸镁预缓释池的底部与第一沉降池的底部连通，第一沉降池的顶部与硅酸镁处理池的顶部连通，硅酸镁处理池的底部与第二沉降池的底部连通，相邻硅酸镁处理池的底部相互连通。本技术所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的二氧化硅生产污水二次处理装置，所述硅酸镁预缓释池、第一沉降池、若干硅酸镁处理池和第二沉降池由一个长方体池分隔而成。本技术所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现，对于以上所述的二氧化硅生产污水二次处理装置，所述硅酸镁预缓释池、第一沉降池、若干硅酸镁处理池和第二沉降池均呈长方体状。与现有技术相比，本技术先通过硅酸镁对排放的二氧化硅生产污水中的氟离子进行处理，采用缓释、沉降、再缓释、再沉降的处理方式，以便于处理后的污水的氟离子符合标准，从而使得经本申请处理后的污水达到排放标准；其次，硅酸镁处理池设置有若干个，便于对污水中的氟离子进行多次缓释处理，保证氟离子的去除效果。该装置设计合理、操作简单、方便，利用硅酸镁去除污水中的氟离子，使得处理后的二氧化硅生产污水达到排放标准，处理成本低。附图说明图1为本技术的一种结构示意图。具体实施方式为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。参照图1，一种二氧化硅生产污水二次处理装置，该装置包括依次连通的硅酸镁预缓释池1、第一沉降池2、若干硅酸镁处理池和第二沉降池6，在硅酸镁预缓释池1、每个硅酸镁处理池内均盛装有用于去除二氧化硅生产污水中的氟离子的硅酸镁块7，在硅酸镁块7之间均留有便于二氧化硅生产污水流动的流水间隙。在硅酸镁预缓释池1和硅酸镁处理池内装满硅酸镁块7，保证提供足量的硅酸镁，使得排放的二氧化硅生产污水排入该装置后，依次流经硅酸镁预缓释池1、第一沉降池2、硅酸镁处理池，最后进入第二沉降池6，在污水流动过程中，污水中的氟离子与硅酸镁反应，实现了污水的动态处理，既保证处理效果，又提高处理效率；硅酸镁块7既可以提供硅酸镁，又不防止污水流动，一举两得。硅酸镁预缓释池1、第一沉降池2、若干硅酸镁处理池和第二沉降池6的大小根据每天的污水排放量和需要污水停留的时间来确定，一般采用该装置需要污水停留一天左右，因此，如每天排放污水200立方米，则硅酸镁预缓释池1、第一沉降池2、若干硅酸镁处理池和第二沉降池6的总体容积为200立方米，具体为硅酸镁预缓释池1、第一沉降池2的容积和为100立方米，若干硅酸镁处理池和第二沉降池6的容积和为100立方米，从而可以保证污水的处理时间；当然，可根据实际中污水的处理效果，进行相应的调整，不局限于本申请所列数据；所述硅酸镁处理池至少设置有2个，实际中根据最后第二沉降池6内水质情况来调整硅酸镁处理池的数量，能够使第二沉降池6内的水质复合标准即可。所述硅酸镁处理池设置有3个，3个硅酸镁处理池依次为硅酸镁一次缓释池3、硅酸镁二次缓释池4和硅酸镁三次缓释池5。3个硅酸镁处理池相互连通，用于通过内部盛装的硅酸镁依次对硅酸镁进行三次处理，使得硅酸镁可以与污水中的氟离子充分反应，以最大程度的去除污水中的氟离子；实际中，可以根据污水处理的效果调整硅酸镁处理池的个数，可适当的进行增加或减少。硅酸镁预缓释池1的底部与第一沉降池2的底部连通，第一沉降池2的顶部与硅酸镁处理池的顶部连通，硅酸镁处理池的底部与第二沉降池6的底部连通，相邻硅酸镁处理池的底部相互连通。硅酸镁预缓释池1的底部与第一沉降池2的底部连通，使得污水与硅酸镁进行边反应、边沉降，提高反应效率；第一沉降池2的顶部与硅酸镁处理池的顶部连通，使得第一沉降池2内的污水需要溢流才能进入硅酸镁处理池，避免反应产生的沉降物进入硅酸镁处理池；硅酸镁处理池的底部与第二沉降池6的底部连通，相邻硅酸镁处理池的底部相互连通，使得进入硅酸镁处理池的污水可以与硅酸镁进行再次反应，经反应后的污水进行第二沉降池6内进行沉降。所述硅酸镁块7为含有硅酸镁的块状硅酸盐矿物，成本低，使用寿命长，更换、清理方便；硅酸镁，自然界中含量较少，一般大量存在与硅酸盐矿物中，因而采用硅酸盐矿物提供硅酸镁，简单、方便，又便于更换和清洗。所述硅酸镁预缓释池1、第一沉降池2、若干硅酸镁处理池和第二沉降池6均呈长方体状，既方便设置，又便于存放二氧化硅生产污水，使得硅酸镁可以与二氧化硅污水内的氟离子进行充分反应，并使得反应产生的沉淀物沉降、分离。实际中，所述硅酸镁预缓释池1、第一沉降池2、若干本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二氧化硅生产污水二次处理装置，其特征在于：该装置包括依次连通的硅酸镁预缓释池、第一沉降池、若干硅酸镁处理池和第二沉降池，在硅酸镁预缓释池、每个硅酸镁处理池内均盛装有用于去除二氧化硅生产污水中的氟离子的硅酸镁块，在硅酸镁块之间均留有便于二氧化硅生产污水流动的流水间隙。/n

【技术特征摘要】
1.一种二氧化硅生产污水二次处理装置，其特征在于：该装置包括依次连通的硅酸镁预缓释池、第一沉降池、若干硅酸镁处理池和第二沉降池，在硅酸镁预缓释池、每个硅酸镁处理池内均盛装有用于去除二氧化硅生产污水中的氟离子的硅酸镁块，在硅酸镁块之间均留有便于二氧化硅生产污水流动的流水间隙。


2.根据权利要求1所述的二氧化硅生产污水二次处理装置，其特征在于：所述硅酸镁处理池至少设置有2个。


3.根据权利要求1或2所述的二氧化硅生产污水二次处理装置，其特征在于：所述硅酸镁处理池设置有3个，3个硅酸镁处理池依次为硅酸镁一次缓释池、硅酸镁二次缓释池和硅酸镁三次缓释池。


4.根据权利要求1所述的二氧化硅生产污水...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈怀斌，陈梦楠，
申请(专利权)人：连云港神汇硅材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32