LCD装置生产制造方法及图纸

LCD装置生产。一种方法，包括：在液晶显示器装置的第一组件的有机聚合物层上形成有机聚合物液晶对准材料层；使所述液晶对准材料层经受单一方向的摩擦处理，所述摩擦处理使所述液晶对准材料层至少在所述液晶显示器装置的有源显示区的任一区域内避免脱黏；以及提供液晶材料以与经摩擦的液晶对准材料层和位于所述液晶显示器装置的对立组件上的第二经单一方向摩擦的液晶对准材料层接触。

【技术实现步骤摘要】
LCD装置生产
本专利技术涉及一种液晶显示器(LCD)装置生产的方法。
技术介绍
在液晶显示器(LCD)装置的生产过程中，有机聚合物材料的使用越发受到关注。LCD装置包括包含于两个组件之间的液晶(LC)材料，所述两个组件在与LC材料接触的表面上具有对准涂层。所述两个组件中的至少一个包括用于电控LC材料的光学特性的电控电路。本申请的专利技术人参与了将有机聚合物材料用于电绝缘层的LCD装置的开发，并且注意到与使用无机绝缘材料(例如氮化硅)的装置相比，成品装置(包括位于LC胞的相对两侧上的偏振滤光片)中不希望有的漏光增加。本申请的专利技术人已确定不希望有的漏光起因于LCD装置的有源显示区的一个或多个区域中的液晶对准层的意外的局部脱粘。
技术实现思路
因此，提供一种方法，所述方法包括：在液晶显示器装置的第一组件的有机聚合物层上形成有机聚合物液晶对准材料层；使所述液晶对准材料层经受单一方向的摩擦处理，所述摩擦处理使所述液晶对准材料层至少在所述液晶显示器装置的有源显示区的任一区域内避免脱黏；以及提供液晶材料以与摩擦的液晶对准材料层和位于所述液晶显示器装置的对立组件上的第二经单一方向摩擦的液晶对准材料层接触。依据一实施例，所述摩擦处理包括以绒毛布的绒头摩擦所述对准材料层，以及设定与所述对准材料层紧密接触的区域内的绒头厚度减小的距离，借以使所述液晶对准材料层至少在所述液晶显示器装置的有源显示区的任一区域内避免脱黏。依据一实施例，所述方法包括将与所述对准材料层紧密接触的区域内的绒头厚度减小的距离设定为约0.3mm。依据一实施例，所述对准材料包括聚酰亚胺。附图说明以下仅通过举例的方式，参照附图详细描述本专利技术的实施例，其中：图1示出了在第一示例实施例中位于有机聚合物平面化层上的对准材料层的形成；图2示出了在第一示例实施例中对准材料层的摩擦；图3示出了将图2的摩擦对准层结合到用于LCD装置的液晶胞的示例；以及图4和图5一起示出了依据第一示例实施例的技术的效果。具体实施方式在一个示例实施例中，本技术用于生产有机液晶显示器(OLCD)装置，该装置包括用于控制组件的有机晶体管装置(例如有机薄膜晶体管(OTFT)装置)。所述OTFT包括用于半导体通道的有机半导体(例如有机聚合物或小分子半导体)。以下的详细说明提及具体制程细节(具体材料等)，这些对于实现下文所述技术效果而言并非必需。提及这些具体制程细节仅为了举例，且于本申请的总体教导范围内，可替代性地使用其他具体材料、处理条件等。例如，以下的详细说明是以边缘场开关(fringefieldswitching,FFS)型LCD装置为示例，但是相同的技术同样地适用于其他类型的LCD装置的生产过程，包括对电极和像素电极位于LC材料的同一侧上以及对电极和像素电极位于LC材料的相对侧上这两种其他类型的LCD装置。参阅图1，起始工件包括支撑组件100。在该示例中，所述支撑组件包括至少一个塑料支撑膜，诸如例如具有例如约40微米厚度的三醋酸纤维素(TAC)膜。对所述工件的处理开始于在塑料支撑膜组件100上原位地(insitu)形成多个导体(例如金属)层、有机聚合物半导体层和有机聚合物绝缘体层(包括图案化层)，以形成界定像素电极阵列与用于经由寻址像素电极阵列外部的导体而独立地寻址各像素电极的电路的层堆叠体101。在该示例中，对所述工件的处理开始于在所述塑料支撑膜组件100上原位地形成硬覆层(hard-coat)有机聚合物平面化层8(例如称为SU-8的环氧基(epoxy-based)交联聚合物)。在该示例中，所述平面化层8通过液体处理技术形成，其包括：在工件的上表面通过例如旋转涂覆(spin-coating)沉积液膜(平面化材料的熔解/分散)；干燥液膜以固化液膜；以及使固化的膜经受一种或多种进一步的处理，诸如例如紫外线照射和随后的烘烤，以实现交联。于所述平面化层8的上表面原位地形成源极-漏极导体图案10a、10b。在该示例中，于所述平面化层8的上表面原位地形成源极-漏极导体图案包括通过诸如溅射的气相沉积技术在所述平面化层8的上表面沉积一层导体材料或包括一层或多层导体材料层的导体堆叠体，然后通过光刻工艺来图案化导体层/堆叠体。为了简单起见，图1仅示出了所述源极-漏极导体图案10a、10b的部分，其形成了界定晶体管的半导体通道的通道长度的源极-漏极电极，但是所述源极-漏极导体图案可包括诸如从电极部分延伸到显示区外部的寻址线的附加部分。以形成用于所述LCD装置的有源矩阵寻址电路的晶体管为示例，所述源极-漏极导体图案可包括(i)源极导体阵列，其各自为各自的晶体管行提供源极电极，且各自延伸到所述显示区域外部的区域；(ii)漏极导体阵列，其各自为各自的晶体管提供漏极导体。然后选择性地在所述源极/漏极导体图案上形成有机注射材料的自组装单层(SAM)。在该示例中，所述SAM包括有机材料，其通过例如金-硫醇键(gold-thiolbonds)或银-硫醇键(silver-thiolbonds)选择性地结合到所述源极/漏极导体图案的金属性上表面，而基本上没有与所述平面化层结合。该SAM进一步促进了于源极-漏极导体和下文提及的有机半导体材料12之间的电荷载流子的转移。随后，在所述工件的新的上表面原位地形成有机半导体和有机聚合物介电层12、14的图案化堆叠体。在该示例中，该图案化堆叠体的形成包括：(i)通过例如旋转涂覆在工件的上表面沉积液膜(有机半导体材料的溶液/分散液)，干燥液膜以固化液膜，并烘烤固化的膜；(ii)通过例如旋转涂覆在经烘烤的有机半导体膜的上表面沉积液膜(聚合物介电材料的溶液/分散液)，干燥液膜以固化液膜，并烘烤固化的膜；以及(iii)使用光刻技术和反应性离子蚀刻在两层中产生基本相同的图案。所述图案包括孤岛阵列，每个岛为各自的晶体管提供所述半导体通道。在所述工件的新上表面上原位地形成有机聚合物介电材料层16(具有比下面的介电层14更高的介电常数(k))。在该示例中，通过以下过程在所述工件上原位地形成高k介电材料层16，所述过程包括：通过例如旋转涂覆在工件的上表面上沉积液膜(所述高k介电材料的溶液/分散液)，干燥液膜以固化液膜，并烘烤固化的膜。接着在经烘烤的高k介电层的表面原位地形成栅极导体图案18。在该示例中，通过以下过程在工件上原位地形成所述栅极导体图案，所述过程包括：通过诸如溅射的气相沉积技术在所述工件上形成导体层(或者导体层的堆叠体)；以及通过光刻技术来图案化所述导体层/堆叠体。在该示例中，在塑料膜组件100上原位地形成的层101的堆叠体界定有源矩阵寻址电路，且所述栅极导体图案18包括栅极导体阵列，其各自为各自的晶体管列提供栅极电极，且各自延伸到所述有源显示区外部的区域。有源矩阵阵列中的每个晶体管与各自的栅极和源极导体的唯一的组合相关连，借此，每个晶体管可经由有源显示区外部的栅极和源极导体的部分而被独立地寻址。在所述工件的新上表面上原位地形成一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其特征在于，所述方法包括：在液晶显示器装置的第一组件的有机聚合物层上形成有机聚合物液晶对准材料层；使所述液晶对准材料层经受单一方向的摩擦处理，所述摩擦处理使所述液晶对准材料层至少在所述液晶显示器装置的有源显示区的任一区域内避免脱黏；以及提供液晶材料以与摩擦的液晶对准材料层和位于所述液晶显示器装置的对立组件上的第二经单一方向摩擦的液晶对准材料层接触。/n

【技术特征摘要】
20190418 GB 1905514.41.一种方法，其特征在于，所述方法包括：在液晶显示器装置的第一组件的有机聚合物层上形成有机聚合物液晶对准材料层；使所述液晶对准材料层经受单一方向的摩擦处理，所述摩擦处理使所述液晶对准材料层至少在所述液晶显示器装置的有源显示区的任一区域内避免脱黏；以及提供液晶材料以与摩擦的液晶对准材料层和位于所述液晶显示器装置的对立组件上的第二经单一方向摩擦的液晶对准材料层接触。


2.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：派翠克·图，
申请(专利权)人：弗莱克英纳宝有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB