光取向膜及其制造方法、相位差基板以及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及光取向膜及其制造方法、相位差基板以及液晶显示装置。本发明专利技术的光取向膜具有：含有光反应性聚合物的聚合物层、及以10

【技术实现步骤摘要】
光取向膜及其制造方法、相位差基板以及液晶显示装置
本专利技术涉及一种光取向膜、相位差基板、液晶显示装置及光取向膜的制造方法。
技术介绍
液晶显示装置(也称为“液晶显示元件”。)是利用液晶组合物进行显示的显示装置，其代表性显示方式是自背光源对在一对基板间封入有液晶组合物的液晶面板照射光，对液晶组合物施加电压而使液晶分子的取向变化，由此控制透过液晶面板的光量。在液晶显示装置中，未施加电压状态下的液晶分子的取向一般通过取向膜来控制。上述取向膜例如可通过在基板上涂布液晶取向剂，并对该涂膜实施取向处理而获得。对取向膜实施的取向处理的方法目前广泛使用以辊等摩擦取向膜表面的摩擦法。对此，近年来，作为代替摩擦法的取向处理的方法，已经广泛开发了对取向膜表面照射光的光取向法。根据光取向法，能够并不与取向膜的表面接触地实施取向处理，因此与摩擦处理不同，具有可抑制在取向处理中产生污垢、灰尘等的优点。利用光取向法进行取向处理的取向膜也称为“光取向膜”。作为关于液晶显示装置所具备的取向膜的技术，例如在专利文献1中揭示一种液晶显示元件，其具备：至少一者透明的一对玻璃基板、形成在该一对玻璃基板的内表面的一对电极层、形成在该一对电极层的表面且以相对置的方式配置的一对高分子取向膜、形成在该一对高分子取向膜之间的液晶层，在至少上述透明玻璃基板的内表面侧所配置的高分子取向膜、及视需要配置而形成在上述透明玻璃基板的外表面上的高分子保护膜中的至少一者的内部，分散有粒径为0.01～1μm的紫外线非透射性无机类超微粒子。而且，在专利文献2中揭示了一种液晶显示元件，其具备大致平行地配置的至少一个为透明的一组基板、配设在各个基板内侧的一组取向膜及填充于上述一组取向膜之间的液晶材料，且对上述取向膜的表面实施了取向处理以使上述液晶材料中的液晶分子朝向同一方向，在该液晶显示元件，在上述取向膜中含有具有强介电性的纳米粒子。现有技术文献专利文献[专利文献1]日本专利特开平1-113733号公报[专利文献2]日本专利特开2008-268309号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题上述光取向膜除了如上所述那样用以在液晶显示装置中控制液晶分子的取向以外，还用于具备相位差层的相位差基板中。相位差基板例如具备光取向膜和相位差层，该相位差层含有具有介晶基团的化合物，且设于光取向膜上。相位差层中所含的介晶基团通过光取向膜来控制其取向。为了使上述光取向膜表现出充分的取向功能，需要对光取向膜照射充分照射量的偏振紫外线。然而，如果确定了工厂的节拍时间(tacttime)，则存在如下情况：在搬送设有光取向膜的基板的时间中，难以照射充分照射量的偏振紫外线。其结果，光取向膜的取向功能无法充分地表现，从而存在使用光取向膜的相位差基板的光学性能(特别是对比度)差的课题。另外，所谓光取向膜的取向功能是表示使作为对象的分子(通常配置于光取向膜上)取向的功能。根据上述专利文献1的技术，通过使紫外线非透射性无机类超微粒子分散于高分子取向膜的内部，可防止液晶的紫外线劣化以提高液晶显示元件的耐久性，进一步可防止白浊化以确保透明性，因此也不会妨碍液晶显示元件的功能。然而，在专利文献1中使用了通过摩擦法进行了取向处理的取向膜，关于使用光取向膜的情况下的问题，并未进行探讨。在上述专利文献2中，通过使取向膜中含有具有强介电性的纳米粒子，由于上述纳米粒子的自发极化所产生的局部电场，对位于取向膜附近的液晶材料的电子分布造成影响，从而使液晶分子相互间的氢键等所引起的引力、也就是有效弹性力变弱，施加电压时的取向膜附近的液晶分子的上升变陡峭，从而可抑制漏光。然而，在专利文献2中使用了通过摩擦法进行了取向处理的取向膜，关于使用光取向膜的情况下的问题，并未进行探讨。本专利技术是鉴于上述现状而成的，其目的在于提供具有优异的取向功能的光取向膜、具备上述光取向膜的相位差基板及具备上述光取向膜的液晶显示装置。解决问题的方案(1)本专利技术的一实施方式是一种光取向膜，其特征在于具有：含有光反应性聚合物的聚合物层及以109个/(cm2×100nm)以上且1019个/(cm2×100nm)以下的浓度分散于上述聚合物层中的金属纳米粒子，上述金属纳米粒子针对420nm以下的波长区域具有吸收峰值，上述金属纳米粒子的上述吸收峰值处的吸光度A1、与上述聚合物层的吸收峰值处的吸光度A2满足下述式1的关系：0.2≦A1/A2≦25(式1)。(2)而且，本专利技术的某实施方式的光取向膜是在上述(1)的构成的基础上，上述吸光度A1与上述吸光度A2满足下述式2的关系：1≦A1/A2(式2)。(3)而且，本专利技术的某实施方式的光取向膜是在上述(1)或上述(2)的构成的基础上，上述金属纳米粒子针对300nm以下的波长区域具有上述吸收峰值。(4)而且，本专利技术的某实施方式的光取向膜是在上述(1)、上述(2)或上述(3)的构成的基础上，上述光取向膜以1010个/(cm2×100nm)以上且1018个/(cm2×100nm)以下的浓度在上述聚合物层中含有上述金属纳米粒子。(5)而且，本专利技术的某实施方式的光取向膜是在上述(1)、上述(2)、上述(3)或上述(4)的构成的基础上，上述金属纳米粒子含有选自由银、铝、铟及它们的合金所组成的群的至少一种物质。(6)而且，本专利技术的某实施方式的光取向膜是在上述(1)、上述(2)、上述(3)、上述(4)或上述(5)的构成的基础上，进一步包含发光体。(7)而且，本专利技术的某实施方式的光取向膜是在上述(6)的构成的基础上，上述发光体针对300nm以上且400nm以下的波长区域具有吸收峰值，且针对超过400nm且450nm以下的波长区域具有发光峰值。(8)而且，本专利技术的另一实施方式是一种相位差基板，其特征在于具备：上述(1)、上述(2)、上述(3)、上述(4)、上述(5)、上述(6)或上述(7)的光取向膜；及相位差层，该相位差层含有具有介晶基团及反应性基在内的聚合物，且设于上述光取向膜上。(9)而且，本专利技术的另一实施方式是一种液晶显示装置，其特征在于具备上述(1)、上述(2)、上述(3)、上述(4)、上述(5)、上述(6)或上述(7)的光取向膜。(10)而且，本专利技术的另一实施方式是一种光取向膜的制造方法，其特征在于包含：聚合物层形成工序，将含有光反应性聚合物和针对420nm以下的波长区域具有吸收峰值的金属纳米粒子的光取向膜材料涂布于基板上，形成以109个/(cm2×100nm)以上且1019个/(cm2×100nm)以下的浓度分散有上述金属纳米粒子的聚合物层；紫外线照射工序，对上述聚合物层照射偏振紫外线，且上述金属纳米粒子的上述吸收峰值处的吸光度A1、与上述聚合物层的吸收峰值处的吸光度A2满足下述式1的关系：0.2≦A1/A2≦25(式1)。专利技术效果根据本专利技术，可提供具有优异的取向功能的光取向膜、具备上述光取向膜的相位差基板、具备上述光取向膜的液本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光取向膜，其特征在于具有：含有光反应性聚合物的聚合物层和以10

【技术特征摘要】
20190329 US 62/8267821.一种光取向膜，其特征在于具有：含有光反应性聚合物的聚合物层和以109个/(cm2×100nm)以上且1019个/(cm2×100nm)以下的浓度分散于所述聚合物层中的金属纳米粒子，
所述金属纳米粒子针对420nm以下的波长区域具有吸收峰值，
所述金属纳米粒子的所述吸收峰值处的吸光度A1与所述聚合物层的吸收峰值处的吸光度A2满足下述式1的关系：
0.2≦A1/A2≦25(式1)。


2.根据权利要求1所述的光取向膜，其特征在于，
所述吸光度A1与所述吸光度A2满足下述式2的关系：
1≦A1/A2(式2)。


3.根据权利要求1或2所述的光取向膜，其特征在于，
所述金属纳米粒子针对300nm以下的波长区域具有所述吸收峰值。


4.根据权利要求1至3中的任一项所述的光取向膜，其特征在于，
所述光取向膜以1010个/(cm2×100nm)以上且1018个/(cm2×100nm)以下的浓度在所述聚合物层中含有所述金属纳米粒子。


5.根据权利要求1至4中的任一项所述的光取向膜，其特征在于，
所述金属纳米粒子含有选自由银、铝、铟及它们的合金所组成...

【专利技术属性】
技术研发人员：村田浩二，坂井彰，川平雄一，小出贵子，长谷川雅浩，箕浦洁，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP