液晶显示装置制造方法及图纸

不特别地损害显示质量，或不显著地增加成本，改善横向电场驱动方式的液晶显示装置中的由静电引起的显示缺陷。本实用新型专利技术的液晶显示装置(10)具备：薄板化为小于0.5mm的阵列基板(110)及对置基板(120)；封装于这一对基板间的液晶层(140)；以及设置于该对置基板(120)之上，与没有照射光的状态相比，具有照射了光的状态下的体积电阻值至少变化为小于或等于1/10的光导电性特性的取向膜(122)。

【技术实现步骤摘要】
液晶显示装置
本技术涉及液晶显示装置，特别是涉及使用了横向电场驱动方式的液晶面板的液晶显示装置。
技术介绍
在具备相对于基板面平行地被施加电压的横向电场驱动方式的液晶面板的液晶显示装置中，在形成有TFT(ThinFilmTransistor)等驱动元件的基板(“TFT阵列基板”、或简称为“阵列基板”)中设置电极，在设置彩色滤光片等的对置基板(也称为“彩色滤光片(CF)基板”)中没有设置电极。因此，存在由于来自对置基板侧的静电等外部电场的侵入、或对置基板表面的局部带电等，在液晶面板的显示中产生不良情况的问题。因此，在现有的具备通常的横向电场驱动方式的液晶面板的液晶显示装置中，作为上述那样的静电放电(ESD：Electro-StaticDischarge)对策，为了对来自对置基板侧的外部电场的侵入进行抑制，在对置基板的显示面侧(即，与阵列基板相反侧)的玻璃表面，采用形成有由ITO(IndiumTinOxide)膜等构成的透明导电层(由于相对于配置彩色滤光片侧的面而设置于背面侧，因此也称为“背面ITO”)的构造。另一方面，关于横向电场驱动方式的液晶显示装置所使用的取向膜，有时为了提高可靠性、光学特性而使用高电阻规格的取向膜(例如，以聚酰胺酸为前驱体进行酰亚胺化而形成的聚酰亚胺)。特别地，近年来，在横向电场驱动方式的液晶显示装置中与高画质化的要求相伴地，多数应用在取向处理中使用偏振光的光取向膜。关于该光取向膜，为了使取向特性稳定化，需要增大光分解性聚合物的分子量，由于相伴于此而将形成聚酰亚胺时的酰亚胺化率设定得高，因此成为电阻率高，具有高电阻的取向膜。在使用了以上那样的具有高电阻的取向膜的情况下，有时在对置基板的单元内侧的基板面产生局部带电，产生辉点缺陷、显示不均这样的显示状态缺陷(显示缺陷)。特别地，根据申请人进行的详细的调查研究，发现该辉点缺陷、显示不均的产生是否变得显著与制造工艺中的形成上述背面ITO的定时相关。具体而言，与对近年来的液晶显示装置的薄型轻量化的要求、具有弯曲形状显示面的弯曲显示器化的要求相伴地，成为薄型机型、弯曲型机型的液晶显示装置正在产品化。在成为该薄型机型、弯曲型机型的液晶显示装置中，在使用了具有高电阻的取向膜的情况下，特别关注上述辉点缺陷、显示不均的产生变得显著的问题。作为成为该薄型机型、弯曲型机型的液晶显示装置与通常的液晶显示装置的制造工艺的区别在于如下这一点，即，在成为该薄型机型、弯曲型机型的液晶显示装置中，在其制造工艺的中途，设置通过研磨等将主玻璃基板的厚度加工得薄的薄板化研磨工序(也称为薄化工序)，在通常的液晶显示装置中，没有设置该薄化工序。另一方面，关于形成上述背面ITO的定时而言，在没有使用该薄化工序的通常的液晶显示装置中，在贴合主玻璃基板前的状态下形成背面ITO，与此相对，在成为采用了进行薄化工序的制造工艺的薄型机型、弯曲型机型的液晶显示装置的情况下，通常在薄化工序之后形成上述背面ITO。在设置了背面ITO的状态下的主玻璃基板中，得到缓和主玻璃基板本身的带电，并且将在主玻璃基板积蓄的电荷均匀化的作用。因此，可以认为在设置了背面ITO之后，在主玻璃基板所经过的制造工艺中的各工序中，得到缓和该主玻璃基板本身的带电，并且将在主玻璃基板积蓄的电荷均匀化的作用，其结果，上述说明的辉点缺陷、产生显示不均得到改善。另一方面，可以认为在成为采用了进行薄化工序的制造工艺的薄型机型、弯曲型机型的液晶显示装置的情况下，至少在直至形成背面ITO前的薄化工序为止的全部工序中，重复在主玻璃基板本身产生带电、在主玻璃基板局部地积蓄电荷，其结果，上述说明的辉点缺陷、显示不均的产生变得显著。此外，如果形成背面ITO的定时为主要原因，则在采用了进行薄化工序的制造工艺的薄型机型、弯曲型机型的液晶显示装置的情况下，如果采用在贴合主玻璃基板前，追加假代背面ITO、即将来要被去除的背面ITO，在薄化工序刚刚之前去除该假代背面ITO，然后进行薄化工序，之后，再次形成原本的背面ITO的工艺，则能够针对该辉点缺陷、显示不均产生进行改善。但是，由于追加原本不需要的假代背面ITO的形成工序、去除该假代背面ITO的工序，因此制造期间会变长，并且需要该工艺涉及的ITO材料、药液、各种装置等。其结果，由于会伴随大幅度的成本增加，因此现实中难以采用。另外，在成为薄型机型、弯曲型机型的液晶显示装置中，在使用了具有高电阻的取向膜的情况下，特别地，还存在上述辉点缺陷、显示不均的产生变得显著的其它原因。在该对置基板的单元内侧的基板面产生了局部带电的情况下，由于由该带电产生的电场作用于液晶而引起该辉点缺陷、显示不均，因此是否引起显著的辉点缺陷、显示不均取决于电容的大小。特别地，在薄型机型、弯曲型机型中，由于与在单元内侧的基板面激励的带电和成为电容电极的背面ITO之间的电介质对应的玻璃基板被薄板化，因此与通常的液晶显示装置相比电容变大。其结果，在成为薄型机型、弯曲型机型的液晶显示装置中，容易产生由形成背面ITO的定时导致的局部带电，通过该带电而作用于液晶的电场大，或者由于电容变大而积蓄的电荷量变多，如果一旦产生带电则难以释放电荷，这些原因相互作用，上述辉点缺陷、显示不均的产生变得特别显著。因此，辉点缺陷、显示不均的产生也与玻璃基板的厚度本身相关，所以即使采用了形成上述假代背面ITO的工艺，也不一定能够充分地改善辉点缺陷、显示不均的产生。另一方面，以往认为引起在制造工艺中产生的静电导致的缺陷的主要原因是使用具有高电阻的取向膜，例如，在专利文献1中记载了如下液晶显示装置，即，通过使用预先混入了导电物质的取向膜材料，从而使形成的取向膜低电阻化，目的在于防止由在制造工艺中产生的静电导致的静电破坏、防止由连续显示相同图案时的残留直流成分造成的烧屏现象。专利文献1：日本特开2000-171802号公报但是，如果如专利文献1的结构那样，取向膜材料的电阻的低电阻化的程度过低，则与保持显示电位的能力对应的电压保持率(VoltageHoldingRatio：VHR)会降低，有时会产生与此相伴的显示质量的恶化(显示中间色阶时的画面的闪烁、或亮度、对比度的降低等)。即，如果随便地将取向膜材料低电阻化，则会引起其它不良情况。因此，难以对为了改善各种缺陷所需要的电阻值进行设定、对取向膜材料进行选定。另外，在专利文献1中没有与成为薄型机型、弯曲型机型的液晶显示装置、在该液晶显示装置中成为问题的显著的辉点缺陷、显示不均相关的记载，没有记载解决成为该薄型机型、弯曲型机型的液晶显示装置中的特有的课题的方法。
技术实现思路
本技术就是为了解决上述说明那样的课题而提出的，其目的在于得到不特别地损害显示质量，或不显著地增加成本，就能够改善由静电引起的显示缺陷的产生的横向电场驱动方式的液晶显示装置。在本技术的液晶显示装置中具备：横向电场驱动方式的液晶面板，其具备薄板化为小于0.5mm的一对透明绝缘性基板彼此相对地配置而形成的阵列基板及对置基板、在这些一对基板间配置的密封材料、封装于这些一对基板间的由密封材料包围的区域本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种液晶显示装置，其特征在于，具备：/n横向电场驱动方式的液晶面板，其具备薄板化为小于0.5mm的一对透明绝缘性基板彼此相对地配置而形成的阵列基板及对置基板、在所述一对透明绝缘性基板间配置的密封材料、封装于所述一对透明绝缘性基板间的由所述密封材料包围的区域的液晶层；以及/n取向膜，其设置于所述对置基板之上，使用具有如下光导电性特性的材料，即，就没有照射光的状态和照射了光的状态下的体积电阻值的变化而言，与没有照射所述光的状态相比，照射了光的状态下的体积电阻值至少变化为小于或等于1/10。/n

【技术特征摘要】
20181122 JP 2018-2193101.一种液晶显示装置，其特征在于，具备：
横向电场驱动方式的液晶面板，其具备薄板化为小于0.5mm的一对透明绝缘性基板彼此相对地配置而形成的阵列基板及对置基板、在所述一对透明绝缘性基板间配置的密封材料、封装于所述一对透明绝缘性基板间的由所述密封材料包围的区域的液晶层；以及
取向膜，其设置于所述对置基板之上，使用具有如下光导电性特性的材料，即，就没有照射光的状态和照射了光的状态下的体积电阻值的变化而言，与没有照射所述光的状态相比，照射了光的状态下的体积电阻值至少变化为小于或等于1/10。


2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，
关于所述光导电性特性，照射了光的状态下的体积电阻值处于大于或等于1012Ω·cm且小于或等于1013Ω·cm的范围内，没有照射光的状态下的体积电阻值处于大于或等于1014Ω·cm且小于或等于1015Ω·cm的范围内。


3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于，
所述取向膜在厚度方向具备相对地配置于下层侧的第1层区域、以及相对于所述第1层而配置于上层侧的第2层区域，
所述第1层区域和所述第2层区域各自主要包含彼此不同的由聚酰亚胺构成的...

【专利技术属性】
技术研发人员：清田和司，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：新型
国别省市：日本;JP