一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。本发明专利技术通过在衬底上形成目标膜层，目标膜层在朝向芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且该凹陷结构所处的位置与芯片绑定区所处的位置相对应，以使得阵列基板中的配向膜在衬底上的正投影与芯片绑定区不存在重合区域。通过在芯片绑定区对应的位置处，将目标膜层设置成凹陷结构，以减小芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值，防止配向膜涂覆至芯片绑定区，后续再将待绑定芯片与阵列基板中的金属走线绑定时，待绑定芯片无需与配向膜接触，避免了配向膜吸收的水汽导致待绑定芯片的引脚腐蚀，以避免液晶显示装置出现黑屏。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，近年来得到飞速的发展，已经成为市场上显示器的主流，随着LCD的不断发展，高屏占比逐渐成为市场的主流，为了提高屏占比，需要将液晶显示装置的边框设置得越来越窄。目前，液晶显示装置需要配向膜来实现对液晶的配向，受到制作精度的影响，配向膜的EM值(即配向膜边缘与显示区域之间的距离值)的最大极限值为1.85mm，最小极限值为0.385mm；此外，当液晶显示装置的边框变窄时，待绑定芯片所在的芯片绑定区与显示区域之间的距离也变窄，如当显示装置的边框为3.15mm时，通常需要将芯片绑定区与显示区域之间的距离设置成1.42mm。因此，芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值可能会大于芯片绑定区与显示区域之间的距离，当芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值大于芯片绑定区与显示区域之间的距离时，配向膜会涂覆至芯片绑定区，后续将待绑本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，所述衬底被划分为显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述非显示区域包括芯片绑定区；/n所述阵列基板还包括设置在所述衬底上的目标膜层，所述目标膜层延伸至所述非显示区域；/n其中，所述目标膜层在朝向所述芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且所述凹陷结构所处的位置与所述芯片绑定区所处的位置相对应，以使得所述阵列基板中的配向膜在所述衬底上的正投影与所述芯片绑定区不存在重合区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，所述衬底被划分为显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述非显示区域包括芯片绑定区；
所述阵列基板还包括设置在所述衬底上的目标膜层，所述目标膜层延伸至所述非显示区域；
其中，所述目标膜层在朝向所述芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且所述凹陷结构所处的位置与所述芯片绑定区所处的位置相对应，以使得所述阵列基板中的配向膜在所述衬底上的正投影与所述芯片绑定区不存在重合区域。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述目标膜层为所述配向膜，所述凹陷结构的凹陷方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷结构在所述衬底上的正投影为曲线。


4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷结构在第一方向上的深度为0.2mm至0.5mm；所述凹陷结构在第二方向上的长度与待绑定芯片在所述第二方向上的长度之间的差值为3mm至5mm，且所述凹陷结构的长度大于所述待绑定芯片的长度；所述凹陷结构在垂直于所述衬底的方向上的高度与所述配向膜的厚度相等；
其中，所述第一方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向，所述第二方向与所述第一方向垂直，且所述第二方向与所述衬底所在的平面平行。


5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述目标膜层为有机膜层，在所述有机膜层上还设置有所述配向膜；
所述凹陷结构的凹陷方向为垂直于所述衬底的方向。


6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷结构在所述衬底上的正投影为封闭图形。


7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷结构在第一方向上的宽度为20μm至30μm；所述凹陷结构在第二方向上的长度与待绑定芯片在所述第二方向上的长度之间的差值为3mm至5mm，且所述凹陷结构的长度大于所述待...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵彦礼，李晓吉，陈刚，孙贺，文江鸿，王广，王玉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11