一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。本发明专利技术通过在衬底上形成目标膜层，目标膜层在朝向芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且该凹陷结构所处的位置与芯片绑定区所处的位置相对应，以使得阵列基板中的配向膜在衬底上的正投影与芯片绑定区不存在重合区域。通过在芯片绑定区对应的位置处，将目标膜层设置成凹陷结构，以减小芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值，防止配向膜涂覆至芯片绑定区，后续再将待绑定芯片与阵列基板中的金属走线绑定时，待绑定芯片无需与配向膜接触，避免了配向膜吸收的水汽导致待绑定芯片的引脚腐蚀，以避免液晶显示装置出现黑屏。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，近年来得到飞速的发展，已经成为市场上显示器的主流，随着LCD的不断发展，高屏占比逐渐成为市场的主流，为了提高屏占比，需要将液晶显示装置的边框设置得越来越窄。目前，液晶显示装置需要配向膜来实现对液晶的配向，受到制作精度的影响，配向膜的EM值(即配向膜边缘与显示区域之间的距离值)的最大极限值为1.85mm，最小极限值为0.385mm；此外，当液晶显示装置的边框变窄时，待绑定芯片所在的芯片绑定区与显示区域之间的距离也变窄，如当显示装置的边框为3.15mm时，通常需要将芯片绑定区与显示区域之间的距离设置成1.42mm。因此，芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值可能会大于芯片绑定区与显示区域之间的距离，当芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值大于芯片绑定区与显示区域之间的距离时，配向膜会涂覆至芯片绑定区，后续将待绑定芯片与阵列基板中的金属走线绑定时，待绑定芯片会与配向膜接触。然而，配向膜容易吸收水汽，配向膜吸收的水汽会使得待绑定芯片的引脚腐蚀，导致液晶显示装置出现黑屏。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置，以解决现有的芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值较大，使得配向膜容易涂覆至芯片绑定区，进而导致液晶显示装置出现黑屏的问题。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种阵列基板，包括衬底，所述衬底被划分为显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述非显示区域包括芯片绑定区；所述阵列基板还包括设置在所述衬底上的目标膜层，所述目标膜层延伸至所述非显示区域；其中，所述目标膜层在朝向所述芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且所述凹陷结构所处的位置与所述芯片绑定区所处的位置相对应，以使得所述阵列基板中的配向膜在所述衬底上的正投影与所述芯片绑定区不存在重合区域。可选的，所述目标膜层为所述配向膜，所述凹陷结构的凹陷方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向。可选的，所述凹陷结构在所述衬底上的正投影为曲线。可选的，所述凹陷结构在第一方向上的深度为0.2mm至0.5mm；所述凹陷结构在第二方向上的长度与待绑定芯片在所述第二方向上的长度之间的差值为3mm至5mm，且所述凹陷结构的长度大于所述待绑定芯片的长度；所述凹陷结构在垂直于所述衬底的方向上的高度与所述配向膜的厚度相等；其中，所述第一方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向，所述第二方向与所述第一方向垂直，且所述第二方向与所述衬底所在的平面平行。可选的，所述目标膜层为有机膜层，在所述有机膜层上还设置有所述配向膜；所述凹陷结构的凹陷方向为垂直于所述衬底的方向。可选的，所述凹陷结构在所述衬底上的正投影为封闭图形。可选的，所述凹陷结构在第一方向上的宽度为20μm至30μm；所述凹陷结构在第二方向上的长度与待绑定芯片在所述第二方向上的长度之间的差值为3mm至5mm，且所述凹陷结构的长度大于所述待绑定芯片的长度；所述凹陷结构在垂直于所述衬底的方向上的高度小于或等于所述有机膜层的厚度；其中，所述第一方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向，所述第二方向与所述第一方向垂直，且所述第二方向与所述衬底所在的平面平行。可选的，所述配向膜的厚度为0.08μm至0.15μm。可选的，所述有机膜层的厚度为1μm至3μm。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种显示面板，包括上述的阵列基板。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种显示装置，包括待绑定芯片以及上述的显示面板。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种阵列基板的制作方法，包括：提供一衬底；所述衬底被划分为显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述非显示区域包括芯片绑定区；在所述衬底上形成目标膜层；所述目标膜层延伸至所述非显示区域；其中，所述目标膜层在朝向所述芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且所述凹陷结构所处的位置与所述芯片绑定区所处的位置相对应，以使得所述阵列基板中的配向膜在所述衬底上的正投影与所述芯片绑定区不存在重合区域。可选的，所述在所述衬底上形成目标膜层的步骤，包括：采用APR(AsahikaseiPhotosensitiveResin，感光性树脂)版在所述衬底上形成所述配向膜；所述APR版具有所述凹陷结构对应的凹陷图案，所述凹陷结构的凹陷方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向。可选的，所述在所述衬底上形成目标膜层的步骤，包括：采用构图工艺在所述衬底上形成有机膜层；所述有机膜层具有的凹陷结构的凹陷方向为垂直于所述衬底的方向；在所述采用构图工艺在所述衬底上形成有机膜层的步骤之后，还包括：在所述有机膜层上形成所述配向膜。与现有技术相比，本专利技术包括以下优点：在本专利技术实施例中，通过在衬底上形成目标膜层，而目标膜层在朝向非显示区域内的芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且该凹陷结构所处的位置与芯片绑定区所处的位置相对应，以使得阵列基板中的配向膜在衬底上的正投影与芯片绑定区不存在重合区域。通过在芯片绑定区对应的位置处，将目标膜层设置成凹陷结构，以减小芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值，使得芯片绑定区对应位置处的配向膜的EM值小于或等于芯片绑定区与显示区域之间的距离，即使得配向膜在衬底上的正投影与芯片绑定区不存在重合区域，则配向膜不会涂覆至芯片绑定区，后续再将待绑定芯片与阵列基板中的金属走线绑定时，待绑定芯片无需与配向膜接触，因此，避免了配向膜吸收的水汽导致待绑定芯片的引脚腐蚀，进而避免液晶显示装置出现黑屏的问题。附图说明图1示出了现有的一种阵列基板的结构示意图；图2示出了本专利技术实施例的一种阵列基板的结构示意图；图3示出了图2所示的阵列基板沿截面A-A’的剖视图；图4示出了本专利技术实施例的另一种阵列基板的结构示意图；图5示出了图4所示的阵列基板沿截面B-B’的剖视图；图6示出了图3所示的阵列基板对应的显示装置的结构示意图；图7示出了图5所示的阵列基板对应的显示装置的结构示意图；图8示出了本专利技术实施例的一种阵列基板的制作方法的流程图；图9示出了采用APR版制作配向膜的示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。如图1所示，目前，阵列基板包括衬底11和形成在衬底11上的配向膜12，衬底11被划分为显示区域111和围绕显示区域111的非显示区域112。后续在将阵列基板与彩膜基板对盒之后，还需要在非显示区域112内的芯片绑定区设置待绑定芯片13，将待绑定芯片13与阵列基板中的金属走线(如数据线)绑定。现有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，所述衬底被划分为显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述非显示区域包括芯片绑定区；/n所述阵列基板还包括设置在所述衬底上的目标膜层，所述目标膜层延伸至所述非显示区域；/n其中，所述目标膜层在朝向所述芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且所述凹陷结构所处的位置与所述芯片绑定区所处的位置相对应，以使得所述阵列基板中的配向膜在所述衬底上的正投影与所述芯片绑定区不存在重合区域。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底，所述衬底被划分为显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述非显示区域包括芯片绑定区；
所述阵列基板还包括设置在所述衬底上的目标膜层，所述目标膜层延伸至所述非显示区域；
其中，所述目标膜层在朝向所述芯片绑定区的一侧具有凹陷结构，且所述凹陷结构所处的位置与所述芯片绑定区所处的位置相对应，以使得所述阵列基板中的配向膜在所述衬底上的正投影与所述芯片绑定区不存在重合区域。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述目标膜层为所述配向膜，所述凹陷结构的凹陷方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷结构在所述衬底上的正投影为曲线。


4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷结构在第一方向上的深度为0.2mm至0.5mm；所述凹陷结构在第二方向上的长度与待绑定芯片在所述第二方向上的长度之间的差值为3mm至5mm，且所述凹陷结构的长度大于所述待绑定芯片的长度；所述凹陷结构在垂直于所述衬底的方向上的高度与所述配向膜的厚度相等；
其中，所述第一方向为沿着所述非显示区域至所述显示区域的方向，所述第二方向与所述第一方向垂直，且所述第二方向与所述衬底所在的平面平行。


5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述目标膜层为有机膜层，在所述有机膜层上还设置有所述配向膜；
所述凹陷结构的凹陷方向为垂直于所述衬底的方向。


6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷结构在所述衬底上的正投影为封闭图形。


7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述凹陷结构在第一方向上的宽度为20μm至30μm；所述凹陷结构在第二方向上的长度与待绑定芯片在所述第二方向上的长度之间的差值为3mm至5mm，且所述凹陷结构的长度大于所述待...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵彦礼，李晓吉，陈刚，孙贺，文江鸿，王广，王玉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11