塑料膜处理制造技术

一种方法，包括：在第一载体上原位地处理塑料膜；然后将经处理的塑料膜从所述第一载体上移除；使所述经处理的塑料膜经受一项或多项质量检验；于确定所述经处理的塑料膜符合一项或多项预定的质量标准后，将所述经处理的塑料膜结合到第二载体；在所述第二载体上原位地进一步处理所述经处理的塑料膜；以及随后，使用比从所述第一载体上移除所述经处理的塑料膜的工艺具有更高产率的工艺，将经进一步处理的塑料膜从所述第二载体上脱黏。

【技术实现步骤摘要】
塑料膜处理
本专利技术涉及塑料膜处理，特别是涉及一种塑料膜的处理方法。
技术介绍
对于使用柔性塑料膜作为支撑组件代替更刚性的支撑组件(例如玻璃板)的装置的需求不断增长。柔性塑料膜的处理(用以生产装置)通常是在载体上原位进行，以例如有利于将塑料膜从一个处理单元运送到另一处理单元。本申请的专利技术人已经研究了用于批量生产装置的处理塑料膜的新方法。
技术实现思路
在此提供一种方法，包含：在第一载体上原位地处理塑料膜；然后将经处理的塑料膜从所述第一载体上移除；使所述经处理的塑料膜经受一项或多项质量检验；于确定所述经处理的塑料膜符合一项或多项预定的质量标准后，将所述经处理的塑料膜结合到第二载体；在所述第二载体上原位地进一步处理所述经处理的塑料膜；以及随后，使用比从所述第一载体上移除所述经处理的塑料膜的工艺具有更高产率的工艺，将经进一步处理的塑料膜从所述第二载体上脱黏。根据一实施例，所述第一载体和所述第二载体是独立的元件。根据一实施例，在所述第一载体上原位地处理所述塑料膜包括比在所述第二载体上进一步处理所述经处理的塑料膜更高温度的处理。根据一实施例，在所述第一载体上处理所述塑料膜包含在所述塑料膜上原位地形成导体、半导体和绝缘体层以形成层堆叠体，所述层堆叠体至少界定包括具有无机半导体通道的一个或多个晶体管的电路；以及在所述第二载体上进一步处理所述经处理的塑料膜包括将所述经处理的塑料膜通过液体材料层结合到另一塑料膜。根据一实施例，将所述另一塑料膜结合到第三载体，并且所述方法进一步包含在将所述塑料膜从所述第二载体脱黏之前或之后，将所述另一塑料膜从所述第三载体脱黏。根据一实施例，所述液体材料包括液晶材料，以及形成在所述塑料膜上的所述层堆叠体包含像素电极阵列和电路，所述电路通过所述像素电极阵列外部的导体独立寻址每个像素电极。根据一实施例，所述塑料膜包括聚酰亚胺膜。根据一实施例，从所述第一载体移除所述塑料膜的工艺包括将所述塑料膜与所述第一载体之间的界面暴露于穿过所述第一载体的相对高强度的辐射中；以及从所述第二载体脱黏所述塑料膜的工艺依赖于所述塑料膜之间的粘合剂的温度变化和/或粘合剂暴露于相对低强度的辐射。根据一实施例，将所述塑料膜从所述第一载体移除的工艺包括从所述第一载体上激光剥离分层所述塑料膜。根据一实施例，所述方法包括在所述第一载体上原位地形成所述塑料膜。根据一实施例，在所述第一载体上处理所述塑料膜包含在所述塑料膜上原位地形成导体、半导体和绝缘体层以形成层堆叠体，所述层堆叠体至少界定包括具有无机半导体通道的一个或多个晶体管的电路；以及在所述第二载体上原位地进一步处理所述经处理的塑料膜包括将所述经处理的塑料膜结合到另一塑料膜以在它们之间产生微流体通道。附图说明下面仅通过举例的方式，参考附图详细描述本专利技术的示例实施例。图1至图8示出了根据本专利技术的示例实施例的工艺流程；图9A至图9E示出了在图1至图8的工艺流程中所使用技术的示例；以及图10示出了从载体上释放粘合剂层的工艺的示例。具体实施方式下面以生产用于液晶显示(LCD)装置的液晶(LC)胞为例描述示例实施例，但是该技术同样适用于生产其他类型的装置(或其组件)，包括：例如，在塑料膜组件之间包含液体材料的其他类型的装置，例如微流体装置。下面的详细描述提及了特定的工艺细节(特定的材料等)，这些特定的工艺细节对于实现下述技术效果不是必不可少的。提及这样的特定工艺细节仅作为示例，并且可以在本申请的一般教导内替换地使用其他特定材料、处理条件等。参照图1和图2，在诸如玻璃载体的刚性载体2上提供基本上非双折射的透明塑料膜8。塑料膜8和载体2之间的附接足够牢固，使得在将塑料膜8在载体2上原位地进行相对高温处理期间，保持塑料膜8在载体2上的适当位置。在该示例中，通过在载体2上原位地形成塑料膜，例如通过诸如旋涂的液体处理技术，在载体2上提供塑料膜8。将塑料膜材料(或其前体)的溶液/分散液的液滴4沉积在载体2上，然后将载体高速旋转，以使液滴4的内容物散布在载体的表面上。干燥并进行一种或多种后处理(诸如，退火)后，将厚度基本均匀的塑料膜8固定在载体2上。参考图3，导体、半导体及绝缘材料的层(包括图案层)原位地形成在塑料膜8上以形成层堆叠体10，所述层堆叠体10界定出至少像素电极阵列和电路，所述电路包括具有无机半导体通道的薄膜晶体管(TFT)以用于在像素电极阵列外部独立寻址每个像素电极。在该示例中，层堆叠体10的形成包括通过液体处理技术和后处理(包括高于约250℃的相对较高的温度)，沉积至少一包括无机半导体(例如，金属氧化物半导体、低温多晶硅(LTPS)或非晶硅(a-Si))的层。层堆叠体10可以被设计用于：像素电极和对立电极两者位于LC材料的相同侧的LCD装置(诸如，平面转换(IPS)装置和边缘场转换(FFS)装置)，或像素电极和对立电极位于LC材料的相反侧的LCD装置(诸如，扭曲向列(TN)型LCD装置)。层堆叠体10可以包括滤色器的阵列，每个滤色器与相应的像素电极相关联。层堆叠体的顶层是LC对准层(例如，经摩擦的聚酰亚胺(PI)层)，其与LC材料相反侧上的LC对准层(于下文中讨论)一起决定了在没有由像素电极和对立电极之间的电势差产生的过高(over-riding)电场的情况下LC指向矢的取向(LC材料的分子的取向)。参考图4，然后将经处理的塑料膜从载体2上移除。在该示例中，这是通过激光剥离(LLO)分层技术完成的，该技术包括将塑料膜8和载体之间的界面暴露于穿过载体2的于UV(308nm)激光12中。在载体2的界面处的聚合物(例如聚酰亚胺)材料被蒸发，从而从载体2释放出经处理的塑料膜。然后对经释放的塑料膜进行质量检查，目的是丢弃由于诸如LLO分层工艺导致的缺陷而不能满足一个或多个质量标准的任何经处理的膜。参考图5，如果经处理的塑料膜通过一项或多项质量检查，然后通过粘合剂层16(或粘合单元16，所述粘合单元16包括塑料支撑膜，在该塑料支撑膜两侧上承载粘合剂膜，例如，在一侧上是紫外线释放膜而在另一侧上是热释放膜)，将经释放的塑料膜结合到另一个刚性载体14(例如玻璃载体)上。下面将进一步讨论粘合单元的具体示例。参考图6，还制备对立组件，例如通过将另一柔性塑料膜18经由粘合剂层22(或粘合单元22，所述粘合单元22包括塑料支撑膜，在该塑料支撑膜的两侧承载粘合剂膜)结合到刚性载体20(例如，玻璃载体)，并在载体20上原位地处理塑料膜18。此附加的塑料膜18可以包括与塑料膜8相同的材料(或者可以包括具有与塑料膜8相似的热膨胀系数的不同、基本上非双折射的透明材料)。在载体20上原位地处理塑料膜18包括形成顶部LC对准层24(例如，经摩擦的聚酰亚胺层)，并且还可以包括例如在塑料膜18上原位地形成共同导体层以用于在LC材料的相反侧上具有像素电极和对立电极的LCD装置的示例。在该示例中，滴下式注入(one-dropf本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种方法，其特征在于，所述方法包含：在第一载体上原位地处理塑料膜；然后将经处理的塑料膜从所述第一载体上移除；使所述经处理的塑料膜经受一项或多项质量检验；于确定所述经处理的塑料膜符合一项或多项预定的质量标准后，将所述经处理的塑料膜结合到第二载体；在所述第二载体上原位地进一步处理所述经处理的塑料膜；以及随后，使用比从所述第一载体上移除所述经处理的塑料膜的工艺具有更高产率的工艺，将经进一步处理的塑料膜从所述第二载体上脱黏。/n

【技术特征摘要】
20190418 GB 1905512.81.一种方法，其特征在于，所述方法包含：在第一载体上原位地处理塑料膜；然后将经处理的塑料膜从所述第一载体上移除；使所述经处理的塑料膜经受一项或多项质量检验；于确定所述经处理的塑料膜符合一项或多项预定的质量标准后，将所述经处理的塑料膜结合到第二载体；在所述第二载体上原位地进一步处理所述经处理的塑料膜；以及随后，使用比从所述第一载体上移除所述经处理的塑料膜的工艺具有更高产率的工艺，将经进一步处理的塑料膜从所述第二载体上脱黏。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一载体和所述第二载体是独立的元件。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述第一载体上原位地处理所述塑料膜包括比在所述第二载体上进一步处理所述经处理的塑料膜更高温度的处理。


4.根据前述任一项权利要求所述的方法，其特征在于，在所述第一载体上处理所述塑料膜包含在所述塑料膜上原位地形成导体、半导体和绝缘体层以形成层堆叠体，所述层堆叠体至少界定包括具有无机半导体通道的一个或多个晶体管的电路；以及在所述第二载体上进一步处理所述经处理的塑料膜包括将所述经处理的塑料膜通过液体材料层结合到另一塑料膜。


5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，将所述另一塑料膜结合到第三载体，并且所述方法进一步包含在将所述塑料膜从所述第二载体脱黏之前或...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿吉拜·陆资特，珍·琼格曼，
申请(专利权)人：弗莱克英纳宝有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB