一种防碎真空吸笔头制造技术

本实用新型专利技术涉及一种防碎真空吸笔头，包括吸笔头主体、真空吸孔、真空吸腔，吸笔头主体呈圆盘状，在吸笔头主体一侧设有真空吸腔，真空吸腔最外围设有一圈圆形外围凸起，在真空吸腔中心设有真空吸孔，真空吸孔与外围凸起间设有3～6个“C”型防碎凸起，所述防碎凸起低于外围凸起。本实用新型专利技术增加了防碎凸起结构，防碎凸起能有效限制芯片形变，对于厚度较小的芯片，减少因芯片受压过大引起形变超过极限导致碎裂的概率。而且在吸取芯片过程中，真空吸腔与芯片接触面积较大，保证有足够吸力来吸牢芯片；因此，本实用新型专利技术既能提高吸片速度，又能防止芯片碎裂，这样就提高了工艺效率。

【技术实现步骤摘要】
一种防碎真空吸笔头
本技术涉及一种防碎真空吸笔头，特别涉及带有防碎凸起的真空吸笔头。
技术介绍
由于在模腔中芯片的胶圈与模腔相粘连，为取出芯片，必须采用吸笔进行吸取芯片的操作。现成的吸笔头真空吸腔是一个圆柱形的空间结构，由于某一型号芯片厚度较小，在吸取过程中需要使用巧劲才能较为迅速地取出芯片，以免碎裂。模腔粘连力过大，就会造成吸取缓慢，影响效率，且极易产生碎裂。而防碎凸起与外围凸起的高度一致时，已产生形变的芯片无法与吸笔头主体平面完全接触而使真空漏气，即无法吸取芯片。
技术实现思路
为了克服现有技术的缺陷，本技术提供一种防碎真空吸笔头。本技术的技术方案是：一种防碎真空吸笔头，包括吸笔头主体、真空吸孔、真空吸腔，吸笔头主体呈圆盘状，在吸笔头主体一侧设有真空吸腔，真空吸腔最外围设有一圈圆形外围凸起，在真空吸腔中心设有真空吸孔，真空吸孔与外围凸起间设有3～6个“C”型防碎凸起，所述防碎凸起低于外围凸起。所述的吸笔头主体直径为55mm～65mm。所述的真空吸孔直径为3mm～9mm。所述的防碎凸起的形状圆滑。所述的防碎凸起对于真空吸腔底面的高度为0.4mm～0.8mm。所述的外围凸起高度为0.5～1.5mm。所述的外围凸起和防碎凸起的宽度均为1mm～3mm。所述的外围凸起和防碎凸起相邻两两间距为1mm～5mm。所述的外围凸起高度比防碎凸起高度大0.2～0.6mm。所述的防碎凸起C型开口宽度为1mm～3mm。本技术的有益效果为：本技术是一种类似圆盘式的真空吸取工具。它在现有吸笔头的基础上，增加了防碎凸起，该防碎凸起高度小于真空吸腔的外围凸起。防碎凸起能有效限制芯片形变，防止其过大而导致芯片碎裂；而且在吸取芯片过程中，真空吸腔与芯片接触面积较大，保证有足够吸力来吸牢芯片；在工艺过程中，足够吸力可以提高取片速度；因此，本技术既能提高吸片速度，又能防止芯片碎裂，这样就提高了工艺效率。附图说明图1是本技术的结构示意图。图2是图1的A-A’剖视图。具体实施方式为了更清楚地说明本技术的技术方案，下面结合附图，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。本技术提供一种防碎真空吸笔头，防碎真空吸笔头材料为聚四氟乙烯。其结构如图1所示，包括吸笔头主体1、真空吸孔2、真空吸腔3，吸笔头主体1呈圆盘状，所述的吸笔头主体1直径为60mm。在吸笔头主体1一侧设有真空吸腔3，真空吸腔3最外围设有一圈圆形外围凸起5，所述的外围凸起5高度为1mm。在真空吸腔3中心设有真空吸孔2，所述的真空吸孔2直径为6mm。真空吸孔2与外围凸起5间设有4个“C”型防碎凸起4，所述的防碎凸起4的形状圆滑无尖刺。所述的防碎凸起4“C”型开口宽度为2mm。所述的防碎凸起4对于真空吸腔3底面的高度为0.6mm。所述的外围凸起5和防碎凸起4的宽度均为2mm。所述的外围凸起5和防碎凸起4相邻两两间距为3mm。通过刀片切削以及砂纸打磨，使得防碎凸起4低于外围凸起5。所述的外围凸起5高度比防碎凸起4高度大0.4mm。防碎凸起4与不含防碎凸起4的真空吸笔头分别加工，把防碎凸起4黏贴在真空吸腔3中，形成防碎真空吸笔头。所述真空吸孔2、外围凸起5与防碎凸起4均应采用砂纸等工具对其进行打磨，使其表面圆滑无刺，以免划伤芯片。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种防碎真空吸笔头，包括吸笔头主体(1)、真空吸孔(2)、真空吸腔(3)，其特征在于：吸笔头主体(1)呈圆盘状，在吸笔头主体(1)一侧设有真空吸腔(3)，真空吸腔(3)最外围设有一圈圆形外围凸起(5)，在真空吸腔(3)中心设有真空吸孔(2)，真空吸孔(2)与外围凸起(5)间设有3～6个“C”型防碎凸起(4)，所述防碎凸起(4)低于外围凸起(5)。/n

【技术特征摘要】
1.一种防碎真空吸笔头，包括吸笔头主体(1)、真空吸孔(2)、真空吸腔(3)，其特征在于：吸笔头主体(1)呈圆盘状，在吸笔头主体(1)一侧设有真空吸腔(3)，真空吸腔(3)最外围设有一圈圆形外围凸起(5)，在真空吸腔(3)中心设有真空吸孔(2)，真空吸孔(2)与外围凸起(5)间设有3～6个“C”型防碎凸起(4)，所述防碎凸起(4)低于外围凸起(5)。


2.如权利要求1所述的一种防碎真空吸笔头，其特征在于：所述的吸笔头主体(1)直径为55mm～65mm。


3.如权利要求1所述的一种防碎真空吸笔头，其特征在于：所述的真空吸孔(2)直径为3mm～9mm。


4.如权利要求1所述的一种防碎真空吸笔头，其特征在于：所述的防碎凸起(4)的形状圆滑。


5.如权利要求1所述的一种防碎真空吸笔...

【专利技术属性】
技术研发人员：张璐，秦浩，乔旭，
申请(专利权)人：西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西;61