【技术实现步骤摘要】
新型聚三芳基胺及其用途
本专利技术涉及但不限于半导体材料
，特别是涉及一种新型聚三芳基胺及其用途。
技术介绍
有机薄膜晶体管(OTFT)器件可以通过溶液打印或涂布工艺在塑料基板上于较低制程温度(例如低于120℃)下制造。因此，它们非常适合需要柔性电子的应用，例如塑料基板上的柔性或可折叠显示器。与真空工艺相比，溶液法制程和打印可以实现低成本制造。高电荷迁移率OTFT在一系列电子器件中是理想的功能单元，可用于需要快速开关和高电流驱动的场景。在具有小沟道长度的OTFT器件中实现高电荷载流子迁移率也是非常重要的，因为这样的器件可以提高开关速度并增加电流驱动能力。当沟道长度小于10μm时，基于现有的有机半导体材料和制剂的器件电荷迁移率显著降低。这通常被称为“短沟道效应”。现有公开技术，诸如专利WO2012160383中的制剂给出了高k半导体粘合剂材料与多并苯小分子半导体的结合使用实例。虽然实现了高性能，但长沟道器件(102μm)和较短沟道器件(6μm)之间的迁移率降低了20％甚至更多。专利EP11823548公开了与C8-BTB...
【技术保护点】
1.一种半导体聚合物，所述半导体聚合物为聚三芳基胺，当所述聚三芳基胺用作半导体粘合剂、用于包含其中源极及漏极由半导体组合物桥联的有机薄膜晶体管时，可以得到低于140至90Ohm.cm的接触电阻(宽度归一化)的高迁移率有机薄膜晶体管器件；/n这里，所述半导体组合物包含半导体材料及所述聚三芳基胺，而且半导体材料及所述聚三芳基胺结合使用。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体聚合物，所述半导体聚合物为聚三芳基胺，当所述聚三芳基胺用作半导体粘合剂、用于包含其中源极及漏极由半导体组合物桥联的有机薄膜晶体管时，可以得到低于140至90Ohm.cm的接触电阻(宽度归一化)的高迁移率有机薄膜晶体管器件；
这里，所述半导体组合物包含半导体材料及所述聚三芳基胺，而且半导体材料及所述聚三芳基胺结合使用。
2.如权利要求1所述的半导体聚合物，其中，所述器件在沟道宽度缩小6至7倍时，所述器件的迁移率的降低不超过8％，优选地不超过6％。
3.如权利要求1所述的半导体聚合物，其中所述聚三芳基胺为共聚物，这里，所述共聚物至少一个重复单元且优选地至少30％的重复单元包含氰基或包括至少一个CN基团的有机基团；
而且，所述共聚物至少一个重复单元包含卤原子、或卤素取代的脂族烃基。
4.如权利要求1所述的半导体聚合物，其中，所述聚三芳基胺是具有以下式(I)、式(VII)、式(VIII)、式(IXa)、或式(IXb)所示的共聚物
Rx独立地为氢、优选地具有1至10个碳原子的烷基、优选地具有1至10个碳原子的烷氧基、卤素、硝基或Ry；其中各Ry独立地为氰基或包括至少一个CN基团的有机基团，条件为三芳基胺聚合物中的至少一个重复单元且优选地至少30％的所述重复单元包括Ry基团且指数(j+k+l)的总和至少为1，所述聚合物中存在足够的Ry基团以确保其在1000Hz下的电容率大于3.4，式(I)、式(VII)、式(VIII)、式(IXa)、或式(IXb)中的所有所述重复单元中的Rx基团可以不相同；
RZ为卤原子、或卤素取代的脂族烃基，这里，所述的卤素取代的脂族烃基是指其中任何位置被任何种类的卤素原子取代的脂族烃基；卤原子的实例包括氟原子，氯原子，溴原子和碘原子；优选地，RZ为氟原子、氯原子和溴原子，更优选地，RZ为氟原子；卤素取代的脂族烃基的具体实例包括氯甲基，溴甲基，三氟甲基，五氟乙基，正-全氟丙基，正-全氟丁基，正-全氟戊基，正-全氟辛基，正-全氟癸基，正-(十二氟)-6-碘己基，2,2,3,3,3-五氟丙基和2,2,3,3-四氟丙基；
所述聚合物的不同单元中可选择Rx及Ry的定义范围内的不同选项；
Ra及Rb各自独立地表示氢原子、取代的或未被取代的具有6至50个碳原子的芳族烃环状基团、取代的或未被取代的具有5至50个碳原子的芳族杂环基团、取代的或未被取代的具有1至50个碳原子的烷基、取代的或未被取代的具有3至50个碳原子的环烷基、取代的或未被取代的具有1至50个原子的烷氧基、取代的或未被取代的具有6至50个碳原子的芳烷基、取代的或未被取代的具有5至50个碳原子的芳氧基、取代的或未被取代的具有5至50个碳原...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯林润，刘哲，沙希·乌尔维什·潘迪亚，迈克尔·詹姆斯·西姆斯，西蒙·多米尼克·奥吉尔，
申请(专利权)人：纽多维有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB
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