制剂和层制造技术

描述了用于在包含有机层的有机电子(OE)器件上沉积钝化层的可流动制剂；所述有机层选自有机半导体(OSC)层和有机栅极绝缘体(OGI)层；所述制剂包含钝化材料和溶剂；所述溶剂包括乳酸酯和/或其衍生物。还描述了制造OE器件的方法。进一步描述了OE器件。

【技术实现步骤摘要】
制剂和层
本专利技术涉及但不限于用于提供层例如钝化层和/或光图案化层、用于制造有机电子器件的制剂、使用这种制剂制造有机电子器件的方法以及包括由这类制剂提供的层的有机电子器件。
技术介绍
有机电子(OE)器件包括例如用于显示器件的背板或逻辑电路中的有机场效应晶体管(OFET)和有机光伏(OPV)器件。常规的顶栅OFET包含源极和漏极、由有机半导体(OSC)材料制成的半导体层、由介电材料(也称为电介质或栅极电介质)例如有机栅极绝缘体(OGI)制成的栅极绝缘体层、栅极电极、以及通常在OGI层顶部上的钝化层，以保护OSC和OGI层免受环境影响和/或来自后续器件制造步骤的损坏。类似地，常规的底栅OFET包含栅极电极、由介电材料例如有机栅极绝缘体(OGI)制成的栅极绝缘体层、源极和漏极、由有机半导体(OSC)材料制成的半导体层、以及通常在OSC层顶部的钝化层，以保护OSC层和OGI层免受环境影响和/或来自后续器件制造步骤的损坏。例如，在顶栅OFET和底栅OFET中，钝化层也可以用作层间电介质，使得金属迹线可以在这些OE器件的不同层上的电路中布线而不短路。<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于在包含有机层的有机电子(OE)器件上沉积钝化层的可流动制剂，其中所述有机层选自有机半导体(OSC)层和有机栅极绝缘体(OGI)层，其中所述制剂包含钝化材料和溶剂；/n其中所述溶剂包含乳酸酯和/或其衍生物。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于在包含有机层的有机电子(OE)器件上沉积钝化层的可流动制剂，其中所述有机层选自有机半导体(OSC)层和有机栅极绝缘体(OGI)层，其中所述制剂包含钝化材料和溶剂；
其中所述溶剂包含乳酸酯和/或其衍生物。


2.根据权利要求1所述的制剂，其中所述衍生物具有在乳酸乙酯的汉森溶解度参数的6MPa1/2内的汉森溶解度参数。


3.根据权利要求1所述的制剂，其中所述钝化材料包含可交联组合物。


4.根据权利要求3所述的制剂，其中所述可交联组合物包含单体前体、低聚物前体和/或聚合物前体。


5.根据权利要求4所述的制剂，其中所述单体前体、低聚物前体和/或聚合物前体包含环氧基团。


6.根据权利要求5所述的制剂，其中所述钝化材料包含交联剂，光产酸剂，硬化剂和抗氧化剂中的至少一种。


7.根据权利要求4-6中任一项所述的制剂，其中所述单体前体、低聚物前体和/或聚合物前体包含(烷基)丙烯酸酯重复单元。


8.根据权利要求4-6中任一项所述的制剂，其中所述单体前体、低聚物前体和/或聚合物前体经由硫醇-烯或硫醇(烷基)丙烯酸酯反应是可交联的。


9.根据权利要求4-6中任一项所述的制剂，其中所述单体前体、低聚物前体和/或聚合物前体经由热叠氮炔环加成反应是可交联的。


10.根据权利要求3-6中任一项所述的制剂，其中所述可交联组合物包含聚酰亚胺。


11.根据权利要求3-6中任一项所述的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯林润，刘哲，凯伦·帕拉巴·拉杰夫，沙希·乌尔维什·潘迪亚，西蒙·多米尼克·奥吉尔，
申请(专利权)人：纽多维有限公司，
类型：发明
国别省市：英国;GB