【技术实现步骤摘要】
瓷质抗形变釉面砖的制备方法及制备的瓷质抗形变釉面砖
本专利技术涉及建筑陶瓷
,尤其涉及一种瓷质抗形变釉面砖的制备方法及制备的瓷质抗形变釉面砖。
技术介绍
由于釉面砖生产工艺都是坯体层上施釉后烧成,由于釉面层承担装饰效果往往使用较好的原料生产,厂家为了降低成本,坯体层大多选用廉价原料,由于釉面层和坯体层原料品质的差异,导致出现了坯体成品底部和面部色相不一样,俗称“两层皮”,尤其白度和氧化程度差别明显,使得陶瓷砖成品的底面色调与其侧面、顶面的色调都不一样。现如今的釉面砖生产中广泛使用宽体辊道窑,凡是窑炉都存在温差,而宽体辊道窑的截面温差要比普通常规窑炉的截面温差更明显些,一般情况下当窑炉产量增加,烧成周期缩短时,排烟风机的抽力明显增大时,则会直接加大宽体辊道窑炉内截面温差。由于宽体辊道窑炉内存在截面温差,宽体窑内高温侧的坯体和低温侧的坯体烧成时收缩就不一致。再有,砖坯在压制成型时底部一般形成有几何条纹,砖坯几何条纹的筋和格子底部的致密度不一致,烧成时筋和格子底部的收缩就不一致,当宽体窑截面温差偏大时,会对同 ...
【技术保护点】
1.一种瓷质抗形变釉面砖的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:/nA、将抗形变釉原料按配比制备抗形变釉,其中,所述抗形变釉的原料包括钾长石和哑光熔块;/nB、将面釉原料按配比加入球磨机球磨,获得面釉;/nC、将步骤B的面釉布施于瓷质砖坯体的上表面,形成面釉层;/nD、将步骤A的抗形变釉布施于步骤C的瓷质砖坯体的底面和/或侧面,形成抗形变釉层,其中,所述抗形变釉的熔融温度与所述瓷质砖坯体的熔融温度之间的差值≤3℃,且所述抗形变釉的膨胀系数与所述瓷质砖坯体的膨胀系数之间的差值≤3;/nE、将步骤D的瓷质砖坯体进行烘干和烧制,形成瓷质抗形变釉面砖。/n
【技术特征摘要】
1.一种瓷质抗形变釉面砖的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
A、将抗形变釉原料按配比制备抗形变釉,其中,所述抗形变釉的原料包括钾长石和哑光熔块;
B、将面釉原料按配比加入球磨机球磨,获得面釉;
C、将步骤B的面釉布施于瓷质砖坯体的上表面,形成面釉层;
D、将步骤A的抗形变釉布施于步骤C的瓷质砖坯体的底面和/或侧面,形成抗形变釉层,其中,所述抗形变釉的熔融温度与所述瓷质砖坯体的熔融温度之间的差值≤3℃,且所述抗形变釉的膨胀系数与所述瓷质砖坯体的膨胀系数之间的差值≤3;
E、将步骤D的瓷质砖坯体进行烘干和烧制,形成瓷质抗形变釉面砖。
2.根据权利要求1所述的一种瓷质抗形变釉面砖的制备方法,其特征在于:步骤A中,所述抗形变釉过325目筛,筛余为0.5~0.8%,且所述抗形变釉的出球比重≥1.88。
3.根据权利要求2所述的一种瓷质抗形变釉面砖的制备方法,其特征在于:步骤D中还包括以下步骤:
D1、将步骤A的抗形变釉利用喷涂或者辊涂的施釉方式布施于步骤C的瓷质砖坯体的底面,形成底面抗形变釉层;
D2、将步骤A的抗形变釉利用刷涂的施釉方式布施于步骤D1的瓷质砖坯体的侧面,形成侧面抗形变釉层。
4.根据权利要求3所述的一种瓷质抗形变釉面砖的制备方法,其特征在于:步骤D1之前还包括步骤D0:
D0、调节步骤A的抗形变釉比重,令用于喷涂的抗形变釉比重为1.35~1.40,用于辊涂的抗形变釉比重为1.60~1.80...
【专利技术属性】
技术研发人员:祁国亮,郑显英,周燕,
申请(专利权)人:佛山市东鹏陶瓷有限公司,广东东鹏控股股份有限公司,佛山市东鹏陶瓷发展有限公司,淄博卡普尔陶瓷有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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