一种陶质抗形变釉面砖及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种陶质抗形变釉面砖及其制备方法，陶质抗形变釉面砖包括抗形变釉层、陶质坯体层和面釉层，抗形变釉层位于陶质坯体层的底面和/或侧面，面釉层位于陶质坯体层的上表面；抗形变釉层由抗形变釉烧制而成，陶质坯体层由陶质砖坯烧制而成，抗形变釉的熔融温度与陶质砖坯的熔融温度之间的差值≤3℃，且抗形变釉的膨胀系数与陶质砖坯的膨胀系数之间的差值≤3；抗形变釉层的原料包括钾长石和石英。本技术方案提出的一种陶质抗形变釉面砖，其砖体布施有抗形变釉，使得釉面砖成品的侧面和/或底面色调与其顶面的色调一致，同时有利于稳定釉面砖产品的形变度。进而提出一种上述陶质抗形变釉面砖的制备方法，有利于防止抗形变釉的脱落。

【技术实现步骤摘要】
一种陶质抗形变釉面砖及其制备方法
本专利技术涉及建筑陶瓷
，尤其涉及一种陶质抗形变釉面砖及其制备方法。
技术介绍
由于釉面砖生产工艺都是坯体层上施釉后烧成，由于釉面层承担装饰效果往往使用较好的原料生产，厂家为了降低成本，坯体层大多选用廉价原料，由于釉面层和坯体层原料品质的差异，导致出现了坯体成品底部和面部色相不一样，俗称“两层皮”，尤其白度和氧化程度差别明显，使得陶瓷砖成品的底面色调与其侧面、顶面的色调都不一样。现如今的釉面砖生产中广泛使用宽体辊道窑，凡是窑炉都存在温差，而宽体辊道窑的截面温差要比普通常规窑炉的截面温差更明显些，一般情况下当窑炉产量增加，烧成周期缩短时，排烟风机的抽力明显增大时，则会直接加大宽体辊道窑炉内截面温差。由于宽体辊道窑炉内存在截面温差，宽体窑内高温侧的坯体和低温侧的坯体烧成时收缩就不一致。再有，砖坯在压制成型时底部一般形成有几何条纹，砖坯几何条纹的筋和格子底部的致密度不一致，烧成时筋和格子底部的收缩就不一致，当宽体窑截面温差偏大时，会对同时岀窑的坯体平直度有直接影响，常常会造成平行岀窑口的一排砖坯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶质抗形变釉面砖，其特征在于：包括抗形变釉层、陶质坯体层和面釉层，所述抗形变釉层位于所述陶质坯体层的底面和/或侧面，所述面釉层位于所述陶质坯体层的上表面；/n所述抗形变釉层由抗形变釉烧制而成，所述陶质坯体层由陶质砖坯烧制而成，所述抗形变釉的熔融温度与所述陶质砖坯的熔融温度之间的差值≤3℃，且所述抗形变釉的膨胀系数与所述陶质砖坯的膨胀系数之间的差值≤3；/n所述抗形变釉层的原料包括钾长石和石英。/n

【技术特征摘要】
1.一种陶质抗形变釉面砖，其特征在于：包括抗形变釉层、陶质坯体层和面釉层，所述抗形变釉层位于所述陶质坯体层的底面和/或侧面，所述面釉层位于所述陶质坯体层的上表面；
所述抗形变釉层由抗形变釉烧制而成，所述陶质坯体层由陶质砖坯烧制而成，所述抗形变釉的熔融温度与所述陶质砖坯的熔融温度之间的差值≤3℃，且所述抗形变釉的膨胀系数与所述陶质砖坯的膨胀系数之间的差值≤3；
所述抗形变釉层的原料包括钾长石和石英。


2.根据权利要求1所述的一种陶质抗形变釉面砖，其特征在于：按照质量份数，所述抗形变釉层包括以下原料组分：钾长石20～30份、石灰石10～15份、石英20～30份、氧化锌2～5份、粘土8～12份、锆英石10～15份和熔块5～16份。


3.根据权利要求2所述的一种陶质抗形变釉面砖，其特征在于：按照质量百分比，所述钾长石的Al2O3含量为18～20％，且其K2O含量为10～12％。


4.根据权利要求2所述的一种陶质抗形变釉面砖，其特征在于：所述锆英石的粒径小于5μm。


5.根据权利要求1所述的一种陶质抗形变釉面砖，其特征在于：所述抗形变釉层的吸水率大于所述陶质坯体层的吸水率。


6.根据权利要求5所述的一种陶质抗形变釉面砖，其特征在于：所述抗形变釉层的吸水率与所述陶质砖坯的吸水率之间的差值为2～5％。


7.一种权利要求1～6任意一项所...

【专利技术属性】
技术研发人员：祁国亮，郑显英，周燕，
申请(专利权)人：佛山市东鹏陶瓷有限公司，广东东鹏控股股份有限公司，佛山市东鹏陶瓷发展有限公司，淄博卡普尔陶瓷有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44