一种抛光装置及抛光组件制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种抛光装置及抛光组件，该抛光装置用于抛光晶圆，该抛光装置包括能够旋转的转盘、设置在转盘上且具有抛光表面的抛光垫，在抛光垫的上方设置有用于向抛光表面喷洒抛光液的喷头。抛光表面划分为多个抛光区，且每个抛光区上设置有用于将该抛光区的抛光液排出的排液孔。还包括控制每个排液孔是否排出抛光液的控制阀门。通过将抛光表面划分为多个抛光区，在每个区上设置排液孔，还设置控制每个排液孔是否排出抛光液的控制阀门，以便于控制晶圆的不同位置处的抛光液的量。在应用时，晶圆上抛光量已经较大的区域，可以相应排出一些该区域所对应的抛光区上的抛光液的量，从而防止晶圆被过度抛光，以控制晶圆上成膜图形的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种抛光装置及抛光组件
本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种抛光装置及抛光组件。
技术介绍
随着半导体器件(Device)的逐步精细化,采用CMP(ChemicalMechanicalPolishing，化学机械抛光)工艺对晶圆(wafer)表面进行抛光的工序正在增加，其可以减小晶圆上成膜图形边缘处的高度差。因此，在CMP工艺中，晶圆上成膜图形的厚度散布变得更加重要。CMP工艺后由于所存在的氧化残渣(OxideResidue)、由钨或铜构成的互连结构不良、及CMP后续工序等问题会影响晶圆上成膜图形的均匀性,从而会出现接触不良(ContactNotopen)、晶圆边缘处过度抛光等缺陷。
技术实现思路
本专利技术提供了一种抛光装置及抛光组件，用以提高晶圆表面成膜图形的均匀性，提高良率。第一方面，本专利技术提供了一种抛光装置，该抛光装置用于抛光晶圆，该抛光装置包括能够旋转的转盘、以及设置在转盘上且具有抛光表面的抛光垫，在抛光垫的上方设置有用于向抛光表面喷洒抛光液的喷头。其中，抛光表面划分为多个抛光区，且每个抛光区本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种抛光装置，用于抛光晶圆，其特征在于，包括：/n能够旋转的转盘；/n设置在所述转盘上且具有抛光表面的抛光垫；/n位于所述抛光垫上方且用于向所述抛光表面喷洒抛光液的喷头；/n其中，所述抛光表面划分为多个抛光区；且每个抛光区上设置有用于将该抛光区的抛光液排出的排液孔；/n还包括：控制所述每个排液孔是否排出所述抛光液的控制阀门。/n

【技术特征摘要】
1.一种抛光装置，用于抛光晶圆，其特征在于，包括：
能够旋转的转盘；
设置在所述转盘上且具有抛光表面的抛光垫；
位于所述抛光垫上方且用于向所述抛光表面喷洒抛光液的喷头；
其中，所述抛光表面划分为多个抛光区；且每个抛光区上设置有用于将该抛光区的抛光液排出的排液孔；
还包括：控制所述每个排液孔是否排出所述抛光液的控制阀门。


2.如权利要求1所述的抛光装置，其特征在于，所述多个抛光区环绕所述转盘的中心由内向外呈同心圆分布；
其中，所述多个抛光区中位于最内侧的抛光区为圆形区域，且相邻的两个同心圆之间的区域为一个抛光区。


3.如权利要求2所述的抛光装置，其特征在于，所述多个抛光区中位于最内侧的抛光区上的排液孔的个数为一个，且该排液孔设置在所述转盘的中心位置。


4.如权利要求2所述的抛光装置，其特征在于，所述多个抛光区中除所述最内侧的抛光区外的每个抛光区上的排液孔的个数均为至少两个。


5.如权利要求4所述的抛光...

【专利技术属性】
技术研发人员：金泰源，张月，卢一泓，刘青，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11