树脂组合物的流动性评价方法、树脂组合物的分选方法以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本公开涉及树脂组合物的流动性评价方法。该方法包括：准备由树脂组合物构成的试样的工序；以及通过对试样赋予应变且在温度(T)下测定试样的剪切弹性率，来掌握温度(T)下的试样的剪切弹性率的经时性变化的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】树脂组合物的流动性评价方法、树脂组合物的分选方法以及半导体装置的制造方法
本公开涉及树脂组合物的流动性评价方法、树脂组合物的分选方法以及半导体装置的制造方法。
技术介绍
伴随着智能手机、平板PC等电子设备的多功能化，通过将半导体元件层叠成多层而高容量化的堆叠MCP(MultiChipPackage，多芯片封装)正在普及。在半导体元件的安装中广泛使用了膜状粘接剂。但是，尽管存在多功能化的趋势，但在使用了当前的引线接合(wirebond)的半导体元件的连接方式中，数据的处理速度也是有限的。另一方面，由于希望不充电地使用更长时间的需求不断高涨，因此也正在寻求省电化。以高速化以及省电化为目的，开发了通过用芯片接合膜(diebondfilm)将半导体元件整个埋入来实现元件的小型化的构造(例如，参照专利文献1的图6)。另外，还开发了不是通过引线接合而是通过贯通电极来将半导体元件彼此连接的新构造的电子设备装置。在制作具有贯通电极的半导体元件时，需要用于将半导体元件临时固定在支承体而进行加工的临时固定材料。由于该半导体元件形成为在表面具有无数电极的构造，因此在临时固定材料中需要埋入该表面的微细的凹凸的优异的流动性(专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2017－168850号公报专利文献2:国际公开第2017/191815号
技术实现思路
专利技术要解决的课题在将半导体元件埋入由树脂组合物构成的芯片接合膜的工序中，芯片接合膜需要大幅变形。或者，要求构成临时固定材料的树脂组合物追随贯通电极那样的微细的凹凸。在半导体装置的制造过程中，很难事先预测被预定用作埋入材料或者临时固定材料的树脂组合物是否具有这样的变形能力以及追随性，在很多情况下，不实际使用的话是不清楚的。以往，作为评价树脂组合物的性能的指标之一，已知有流动性。例如，有时通过使用流变仪(rheometer)测定树脂组合物的剪切粘度，来掌握其流动性，判断埋入性的优劣。但是，上述那样的膜的较大的变形以及对微细的凹凸的追随性包含仅通过剪切粘度无法说明的现象，在以往的方法中，无法充分、全面地评价树脂组合物的适合与否。本公开是鉴于上述情况而完成的，目的在于提供用于评价树脂组合物的流动性的新方法。本公开的目的在于提供包含该评价方法的树脂组合物的分选方法以及半导体装置的制造方法。用来解决课题的手段本公开提供树脂组合物的流动性评价方法。该评价方法包括：准备由树脂组合物构成的试样的工序；以及通过对试样赋予应变且在温度T下测定试样的剪切弹性率，来掌握温度T下的试样的剪切弹性率的经时性变化的工序。通过掌握温度T下的剪切弹性率的经时性变化，能够更确切地评价树脂组合物的特性(变形能力以及对微细的凹凸的追随性)。该评价方法例如对判断构成在半导体装置的制造过程中所使用的芯片接合膜以及临时固定材料等的树脂组合物的埋入性的优劣是有用的。为了量化剪切弹性率的经时性变化，也可以使用麦克斯韦模型(Maxwellmodel)的应力松弛的公式。即，本公开的评价方法也可以还包括如下工序：基于试样的剪切弹性率的测定结果，读取使用麦克斯韦模型的应力松弛的下述式(1)而导出的成为G(t)/G0＝0.3679的时间(应力松弛时间τ)。G(t)＝G0×e(－t/τ)(1)[在式(1)中，G(t)表示时间t(秒)处的剪切弹性率，G0表示初始的剪切弹性率，t表示时间(秒)，τ表示应力松弛时间(秒)。]另外，“G(t)/G0＝0.3679”中的数值“0.3679”如以下那样计算。在t＝τ时G(t)＝G0×e(－1)G(t)/G0＝e(－1)＝0.3679本公开提供树脂组合物的选定方法。该选定方法包括：在温度T为120℃的条件下实施上述的流动性评价方法的工序；以及判定评价对象的树脂组合物是否满足下述条件1、2这两方的工序，将满足条件1、2这两方的树脂组合物判定为合格。条件1：120℃下的应力松弛时间为12秒以下。条件2：120℃下的初始的剪切弹性率为35kPa以下。上述选定方法例如对选定构成在半导体装置的制造过程中所使用的芯片接合膜以及临时固定材料等的树脂组合物是有用的。本公开的半导体装置的制造方法将由该选定方法判定为合格的树脂组合物用作埋入材料或者临时固定材料。专利技术效果根据本公开，提供了用于评价树脂组合物的流动性的新方法。即，根据该评价方法，能够定量地评价仅通过剪切粘度难以说明的膜的特性(例如变形能力或者对微细的凹凸的追随性)。另外，根据本公开，提供了包含上述评价方法的树脂组合物的分选方法以及半导体装置的制造方法。附图说明图1是示意地表示半导体装置的一个例子的剖面图。图2是表示用于制造图1所示的半导体装置的一系列的工序的示意剖面图。图3是表示用于制造图1所示的半导体装置的一系列的工序的示意剖面图。图4是表示用于制造图1所示的半导体装置的一系列的工序的示意剖面图。图5是表示用于制造图1所示的半导体装置的一系列的工序的示意剖面图。图6是表示用于制造图1所示的半导体装置的一系列的工序的示意剖面图。图7是表示试样1～14的树脂组合物的剪切弹性率的经时性变化的图表。图8是描绘了试样1～14的树脂组合物的特性(横轴：剪切弹性率[kPa]、纵轴：应力松弛时间τ(秒))的图表。具体实施方式以下，对本公开的实施方式进行详细说明，但本专利技术并不限定于以下的实施方式。＜树脂组合物的流动性评价方法＞本实施方式的评价方法用于评价树脂组合物的流动性，包括：准备由树脂组合物构成的试样的工序；以及通过对试样赋予应变且在温度T下测定试样的剪切弹性率，来掌握温度T下的试样的剪切弹性率的经时性变化的工序。为了量化剪切弹性率的经时性变化，也可以使用麦克斯韦模型的应力松弛的公式。即，也可以基于试样的剪切弹性率的测定结果，使用麦克斯韦模型的应力松弛的下述式(1)来读取成为G(t)/G0＝0.3679的时间(应力松弛时间τ)。试样的初始剪切弹性率(G0)能够基于试样的剪切弹性率的测定结果而求出。G(t)＝G0×e(－t/τ)(1)[在式(1)中，G(t)表示时间t(秒)处的剪切弹性率，G0表示初始的剪切弹性率，t表示时间(秒)，τ表示应力松弛时间(秒)。]温度T下的剪切弹性率的测定例如优选至少持续10秒地进行，测定时间也可以为30～1800秒或者60～600秒。从稳定地进行测定的观点出发，温度T优选为－50～400℃的范围的特定的温度，只要根据评价对象的树脂组合物的种类以及用途等而设定即可。例如，在树脂组合物的种类为热固性树脂组合物、且其用途为在半导体装置的制造中所使用的芯片接合膜或者临时固定材料的情况下，例如温度T为30～300℃，也可以为50～200℃或者80～150℃。从稳定地进行测定的观点出发，对试样赋予的应变的量优选本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种流动性评价方法，其是树脂组合物的流动性评价方法，其中，包括：/n准备由所述树脂组合物构成的试样的工序；以及/n通过对所述试样赋予应变且在温度T下测定所述试样的剪切弹性率，来掌握所述温度T下的所述试样的剪切弹性率的经时性变化的工序。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种流动性评价方法，其是树脂组合物的流动性评价方法，其中，包括：
准备由所述树脂组合物构成的试样的工序；以及
通过对所述试样赋予应变且在温度T下测定所述试样的剪切弹性率，来掌握所述温度T下的所述试样的剪切弹性率的经时性变化的工序。


2.如权利要求1所述的流动性评价方法，其中，
所述流动性评价方法还包括如下工序：
基于所述试样的剪切弹性率的测定结果，读取使用麦克斯韦模型的应力松弛的下述式(1)而导出的成为G(t)/G0＝0.3679的时间t，
G(t)＝G0×e(－t/τ)(1)
[在式(1)中，G(t)表示时间t(秒)处的剪切弹性率，G0表示初始的剪切弹性率，t表示时间(秒)，τ表示应力松弛时间(秒)]。


3.如权利要求1或2所述的流动性评价方法，其中，
所述流动性评价方法还包括如下工序：
基于所述试样的剪切弹性率的测定结果，掌握初始的剪切弹性率。


4.如权利要求1～3中任一项所述的流动性评价方法，其中，
至少持续60秒地测定所述试样的剪切弹性率。


5.如权利要求1～4中任一项所述的流动性评价方法，其中，
所述温...

【专利技术属性】
技术研发人员：祖父江省吾，牧野龙也，
申请(专利权)人：日立化成株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP