本发明专利技术公开了一种容性耦合装置及滤波器。它至少包括第一介质谐振器和第二介质谐振器，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间设有负耦合孔，所述负耦合孔包括纵向盲孔和横向盲槽，所述纵向盲孔位于第一介质谐振器与第二介质谐振器连接位置的本体表面且垂直于所述本体表面布置，所述横向盲槽位于第一介质谐振器与第二介质谐振器连接位置的本体上。本发明专利技术容性耦合装置在两个介质谐振器之间设置纵向盲孔和横向盲槽形成负耦合孔，实现两个介质谐振器之间的负耦合，结构简单；该结构用于滤波器中，由于两个孔形成的面积更大，可以在滤波器的通带低端形成传输零点，增加了滤波器的矩形系数，从而提高滤波器性能，降低滤波器的体积。
【技术实现步骤摘要】
一种容性耦合装置及滤波器
本专利技术属于通信
，具体涉及一种容性耦合装置及滤波器。
技术介绍
在通信领域，随着技术的发展，对于系统内滤波器的性能要求越来越高。随着要求的提高，基站端大功率微波滤波器呈现出指标高，体积小，低成本的特征。在实现这些高性能滤波器的时候，受限于腔体尺寸，滤波器需要使用新的材料或技术实现。受限于介质滤波器的材料特性，一般在设计滤波器时需要加入传输零点。而介质滤波器，在实现容性交叉耦合时，相较于金属滤波器更加困难。现有设计中，专利号201310688407.3公开了三种可行的方案，其一为零腔设计实现容性交叉耦合的方案；其二为采用两个腔进行180度相位翻转实现容性交叉耦合的方案；其三为在介质耦合窗口上打孔(孔内不设置电磁屏蔽层)，螺杆深入孔中距离孔底约2mm以内，然后采用盖板或螺杆套方式固定，从而实现容性交叉耦合的方案。容性耦合装置对于方案一和方案二，每实现一个容性交叉耦合，就需要在水平方向多占用一个腔的空间；对于方案三，为了使极性翻转，需要增加螺杆套或盖板，也需要在垂直方向增加高度空间，从而不利于空间比较严苛的介质滤波器设计，为此需要对现有技术进行改进。现有设计中，专利号201811036762.1公开了一种可行的方案，一种容性耦合装置，包括多个实心的介质单体，所述相邻的介质单体之间拼接连接，至少一个相邻介质单体的拼接面上设置有容性耦合结构，所述容性耦合结构包括第一盲孔和表面未金属化的第一空气耦合窗口，所述相邻介质单体的拼接面的一侧沿竖向对应位置处设有相匹配的半凹槽，两个相匹配的半凹槽拼接后形成所述第一盲孔，所述第一盲孔的深度大于等于所述空气耦合窗口深度的1/2且小于第一空气耦合窗口深度，所述第一盲孔的内壁和底部上设置有金属屏蔽层，所述第一空气耦合窗口设置于第一盲孔的两侧及底部。多个介质单体需拼接连接，生产难度大，需进一步优化改进设计。也有是在两个谐振器之间设置一个通孔或者盲孔形式的负耦合孔实现两个谐振器之间的负耦合，这种形式的负耦合引起的二次谐波距离滤波器通带较近，带外抑制有一定影响。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决上述
技术介绍
存在的不足，提供一种结构简单、耦合强度高的容性耦合装置及滤波器。本专利技术采用的技术方案是：一种容性耦合装置，至少包括第一介质谐振器和第二介质谐振器，每个介质谐振器包括由固态介电材料制成的本体和位于本体表面的调谐孔，所述调谐孔为盲孔，所述本体表面覆盖有导电层，所述第一介质谐振器与第二介质谐振器之间设有负耦合孔，所述负耦合孔包括纵向盲孔和横向盲槽，所述纵向盲孔位于第一介质谐振器与第二介质谐振器连接位置的本体表面且垂直于所述本体表面布置，所述横向盲槽位于第一介质谐振器与第二介质谐振器连接位置的本体上。进一步地，所述纵向盲孔和所述横向盲槽的内壁设有导电层。进一步地，所述横向盲槽位于两个介质谐振器连接位置的本体表面。进一步地，所述横向盲槽位于两个介质谐振器连接位置的本体表面与本体侧面相接处。进一步地，所述纵向盲孔与所述横向盲槽之间不连通。进一步地，所述纵向盲孔与所述横向盲槽之间相互连通，所述纵向盲孔贯穿所述横向盲槽的槽底面。进一步地，所述纵向盲孔与调谐孔之间不连通。进一步地，所述纵向盲孔与两个调谐孔之间均相互连通。更进一步地，还包括第三介质谐振器、第四介质谐振器和T型耦合通孔，所述T型耦合通孔用于使四个介质谐振器之间产生一定耦合量的正耦合，所述横向盲槽与T型耦合通孔连通或不连通。一种滤波器，所述滤波器至少包含一个如上述的任意一项容性耦合装置。本专利技术容性耦合装置在两个介质谐振器之间设置纵向盲孔和横向盲槽形成负耦合孔，实现两个介质谐振器之间的负耦合，结构简单；横向盲槽开设于介质谐振器本体表面或表面与侧面相交处，避免采用开孔的形式，结构形式开阔，更方便制作成型及内壁导电层的加工；该结构用于滤波器中，由于两个孔形成的面积更大，可以在滤波器的通带低端形成传输零点，增加了滤波器的矩形系数，从而提高滤波器性能，降低滤波器的体积；同时通过调节盲孔和盲槽内导电层面积及盲孔和盲槽的深度，可以使得负耦合的耦合量范围更宽，使二次谐波位置会往更远处推移，并降低二次谐波的幅度。附图说明图1为本专利技术实施例1的正面示意图。图2为本专利技术实施例1的背面示意图。图3为图1中A-A剖面图。图4为图1中B-B剖面图。图5为本专利技术实施例1的立体示意图。图6为本专利技术实施例2的正面示意图。图7为图6中C-C剖面图。图8为本专利技术实施例2的立体示意图。图9为本专利技术实施例3的正面示意图。图10为图9中D-D剖面图。图11为图9中E-E剖面图。图12为本专利技术实施例3的正面立体示意图。图13为本专利技术实施例3的背面立体示意图。图14为本专利技术实施例4的正面示意图。图15为图14中F-F剖面图。图16为图14中G-G剖面图。图17为本专利技术实施例4的正面立体示意图。图18为本专利技术实施例4的背面立体示意图。图19为本专利技术实施例5的正面示意图。图20为本专利技术实施例5的正面立体示意图。图21为本专利技术实施例6的正面示意图。图22为本专利技术实施例6的正面立体示意图。图23为本专利技术实施例7的正面示意图。图24为本专利技术实施例7的正面立体示意图。图25为本专利技术实施例8的正面示意图。图26为本专利技术实施例8的正面立体示意图。图27为本专利技术实施例9的正面示意图。图28为本专利技术实施例9的背面立体示意图。图中：1-第一介质谐振器；2-第二介质谐振器；3-第三介质谐振器；4-第四介质谐振器；5-调谐孔；6-纵向盲孔；7-横向盲槽；8-本体表面；9-本体侧面；10-T型耦合通孔；11-输入输出端口；12-隔断层。具体实施方式下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步说明。在此需要说明的是，对于这些实施方式的说明用于帮助理解本专利技术，但并不构成对本专利技术的限定。此外，下面所描述的本专利技术各个实施方式中所涉及到的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以互相结合。本专利技术提供一种容性耦合装置，至少包括相互连接的第一介质谐振器1和第二介质谐振器2，该第一介质谐振器1和第二介质谐振器2为固态介电材料制成，所述第一介质谐振器1和第二介质谐振器2的顶面均设有调谐孔5，调谐孔5的作用是通过盲孔的深浅对频率进行调整；也可以通过对盲孔内侧导电层面积的调整，进行对频率的微调。本专利技术以与调谐孔5轴线垂直的平面作为介质谐振器的本体表面8，本体表面8包括相互平行的正面8.1和背面8.2，与本体表面8垂直的面作为本体侧面9；以与两个调谐孔5的中心连线平行的方向作为宽度方向，以与两个调谐孔的中心连线垂直的方向作为长度方向，以下描述的宽度和长度均以此处方向为基准。所述第一介质谐振器1与第二介质谐振器2之间设有负耦合孔，该负耦合孔用于实现第一介质谐振器本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种容性耦合装置，至少包括第一介质谐振器(1)和第二介质谐振器(2)，每个介质谐振器包括由固态介电材料制成的本体和位于本体表面的调谐孔(5)，所述调谐孔(5)为盲孔，所述本体表面覆盖有导电层，所述第一介质谐振器(1)与第二介质谐振器(2)之间设有负耦合孔，其特征在于：所述负耦合孔包括纵向盲孔(6)和横向盲槽(7)，所述纵向盲孔(6)位于第一介质谐振器(1)与第二介质谐振器(2)连接位置的本体表面且垂直于所述本体表面布置，所述横向盲槽(6)位于第一介质谐振器(1)与第二介质谐振器(2)连接位置的本体上。/n
【技术特征摘要】
1.一种容性耦合装置，至少包括第一介质谐振器(1)和第二介质谐振器(2)，每个介质谐振器包括由固态介电材料制成的本体和位于本体表面的调谐孔(5)，所述调谐孔(5)为盲孔，所述本体表面覆盖有导电层，所述第一介质谐振器(1)与第二介质谐振器(2)之间设有负耦合孔，其特征在于：所述负耦合孔包括纵向盲孔(6)和横向盲槽(7)，所述纵向盲孔(6)位于第一介质谐振器(1)与第二介质谐振器(2)连接位置的本体表面且垂直于所述本体表面布置，所述横向盲槽(6)位于第一介质谐振器(1)与第二介质谐振器(2)连接位置的本体上。
2.根据权利要求1所述的容性耦合装置，其特征在于：所述纵向盲孔(4)和所述横向盲槽(5)的内壁设有导电层。
3.根据权利要求1所述的容性耦合装置，其特征在于：所述横向盲槽(7)位于两个介质谐振器连接位置的本体表面(8)。
4.根据权利要求1所述的容性耦合装置，其特征在于：所述横向盲槽(7)位于两个介质谐振器连接位置的本体表面(8)与本体侧面(9)相接处。...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘文，钟伟刚，朱晖，
申请(专利权)人：武汉凡谷陶瓷材料有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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