【技术实现步骤摘要】
一种SiC晶片抛光的抛光垫表面粗糙度测量装置
本技术涉及碳化硅(SiC)晶片加工
，尤其涉及一种SiC晶片抛光的抛光垫表面粗糙度测量装置。
技术介绍
SiC作为第三代半导体材料，其具有禁带宽度大，击穿场强，热导率大，电子饱和漂移速度高，抗辐射能力强和良好化学稳定性等特性，成为新一代的电子器件关键材料。同时SiC与制作大功率微波、电力电子、光电子器件的重要材料GaN之间具有非常小的晶格失配和热膨胀系数差，使得SiC成为新一代宽禁带半导体器件的重要衬底材料。在节能减排、国防建设、电子信息等方面有着可催生出上万亿的市场。SiC晶片作为衬底材料其表面的粗糙度和刮伤直接影响后段外延加工和芯片的良率及最终器件的性能稳定性。SiC晶体加工的工艺包含线切、研磨、倒角、退火、铜抛、抛光和100级无尘室清洗。从线切后开始每道加工制程逐步降低碳化硅衬底的表面粗糙度和刮伤而抛光是衬底晶片加工中的最后一道对晶片的加工，抛光后晶片表面的粗糙度和刮伤的改善变得至关重要。抛光过程影响晶片表面粗糙度和刮伤质量的主要因素有抛光垫，抛光液及抛光加工...
【技术保护点】
1.一种SiC晶片抛光的抛光垫表面粗糙度测量装置，包括粗糙度测量装置(1)、大盘(8)、主液管(9)、主轴(10)、修整装置(14)和抛光垫(4)，其特征在于：所述主轴(10)的顶端固定连接有圆形的大盘(8)，所述大盘(8)的上端放置有抛光垫(4)，所述大盘(8)的正上方设有主液管(9)，所述大盘(8)的右端上表面连接有修整装置(14)，所述大盘(8)的左端安装有粗糙度测量装置(1)；/n所述修整装置(14)包括修整盘(5)、修整轴(6)和修整头(7)，所述修整轴(6)的下端面固定连接有修整头(7)，且修整轴(6)垂直于修整头(7)的上表面，所述修整头(7)的下表面连接有修...
【技术特征摘要】
1.一种SiC晶片抛光的抛光垫表面粗糙度测量装置，包括粗糙度测量装置(1)、大盘(8)、主液管(9)、主轴(10)、修整装置(14)和抛光垫(4)，其特征在于：所述主轴(10)的顶端固定连接有圆形的大盘(8)，所述大盘(8)的上端放置有抛光垫(4)，所述大盘(8)的正上方设有主液管(9)，所述大盘(8)的右端上表面连接有修整装置(14)，所述大盘(8)的左端安装有粗糙度测量装置(1)；
所述修整装置(14)包括修整盘(5)、修整轴(6)和修整头(7)，所述修整轴(6)的下端面固定连接有修整头(7)，且修整轴(6)垂直于修整头(7)的上表面，所述修整头(7)的下表面连接有修整盘(5)，所述修整盘(5)位于修整头(7)和抛光垫(4)之间；所述粗糙度测量装置(1)包括测量头(2)和伸缩杆(3)，所述伸缩杆(3)的一端连接有测量头(2)，所述测量头(2)位于抛光垫(4)的上方；
所述测量头(2)包括镜片(11)、激光发射器(12)和信号处理器(13)，所述激光发射器(12)的一端朝向镜片(11)，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：张洁，林武庆，陈文鹏，王泽隆，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35
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