【技术实现步骤摘要】
可弯折柔性显示装置及其制作方法
本专利技术涉及一种柔性显示装置，特别是涉及一种可弯折柔性显示装置及其制作方法。
技术介绍
现有技术的柔性显示装置通常是采用聚酰亚胺树脂(Polyimide,PI)作为柔性基板，在其上沉积多晶硅(poly)、金属(metal)等材料形成器件结构，然后再在器件结构上形成封装层，最终形成柔性显示装置,请参考图9所示。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：现有技术的柔性显示装置在弯折时，经多次弯折后，金属(metal)易断折；同时，多晶硅(poly)相对较脆，在可弯折柔性显示装置弯折角度过大时，还容易导致多晶硅(poly)断折。因此，急需一种可弯折柔性显示装置，以解决现有技术的柔性显示装置在材料柔韧性等方面存在的不足的问题。
技术实现思路
为解决现有技术的可弯折柔性显示装置在材料柔韧性等方面存在的不足的问题，本专利技术实施例提供了一种可弯折柔性显示装置及其制作方法。具体的技术方案如下：第一方面，一种可弯折柔性显示装...
【技术保护点】
1.一种可弯折柔性显示装置，其特征在于，所述可弯折柔性显示装置包括：/n柔性基板；/n缓冲层，设置于所述柔性基板上；/n薄膜场效应晶体管器件层，设置于所述缓冲层上，所述薄膜场效应晶体管器件层上设有多个贯通相对两表面的开孔；/n平坦层，设置于所述薄膜场效应晶体管器件层及所述多个开孔内；/n有机发光二极管器件层，设置于所述平坦层上；以及/n封装层，设置于所述有机发光二极管器件层上。/n
【技术特征摘要】
1.一种可弯折柔性显示装置，其特征在于，所述可弯折柔性显示装置包括：
柔性基板；
缓冲层，设置于所述柔性基板上；
薄膜场效应晶体管器件层，设置于所述缓冲层上，所述薄膜场效应晶体管器件层上设有多个贯通相对两表面的开孔；
平坦层，设置于所述薄膜场效应晶体管器件层及所述多个开孔内；
有机发光二极管器件层，设置于所述平坦层上；以及
封装层，设置于所述有机发光二极管器件层上。
2.根据权利要求1所述的可弯折柔性显示装置，其特征在于，所述缓冲层还包括：
氮化硅层，设置于所述柔性基板上；以及
氧化硅层，设置于所述氮化硅层上，所述器件层设置于所述氧化硅层上。
3.根据权利要求1所述的可弯折柔性显示装置，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管器件层还包括：
多晶硅层，设置于所述缓冲层上；
栅极绝缘层，设置于所述多晶硅层上；
第一金属层，设置于所述栅极绝缘层上；
层间绝缘层，设置于所述第一金属层上；以及
第二金属层，设置于所述层间绝缘层上，所述平坦层设置于所述第二金属层上；
其中，所述多个开孔贯通所述多晶硅层、所述栅极绝缘层、所述第一金属层、所述层间绝缘层及所述第二金属层。
4.一种可弯折柔性显示装置的制作方法，其特征在于，所述可弯折柔性显示装置的制作方法包括以下步骤：
形成柔性基板；
于所述柔性基板上形成缓冲层；
于所述缓冲层上形成薄膜场效应晶体管器件层；
于所述薄膜场效应晶体管器件层上形成多个贯通相对两表面的开孔；
于所述薄膜场效应晶体管器件层上及所述开孔内形成平坦层；
于所述平坦层上形成有机发光二极管器件层；以及
于所述有机发光二极管器件层上形成封装层。
5.根据权利要求4所述的可弯折柔性显示装置的制作方法，其特征在于，所述形成缓冲层的步骤还包括：
于所述柔性基板上形成氮化硅层；以及
于所述氮化硅层上形成所述氧化硅层。
6.根据权利要求4所述的可弯折柔性显示装置的制作方法，其特征在于，所述形成薄膜场效应晶体管器件层的步骤还包括：
于所述缓冲层上形成所述多晶硅层，并在所述多晶硅层上刻蚀出需要的器件图形；
于所述多晶硅层上形成栅极绝缘层；
于所述栅极绝缘层上形成第一金属层；
于所述第一金属层上形成层间绝缘层；以及
于所述层间绝缘层上形成第二金属层。
7.根据权利要求4所述的可弯折柔性显示装置的制作方法，其特征在于，是通过激光照射所述薄膜场效应晶体管器件层的上表面，使其穿过所述薄膜场效应晶体管器件层的下表面，形成所述多个贯通相对两表面的开孔。
8.一种可弯折柔性显示装置，其特征在于，所述可弯折柔...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨轩，孙伯彰，
申请(专利权)人：陕西坤同半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
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