像素单元、显示基板及显示装置制造方法及图纸

本申请提供了一种像素单元、显示基板及显示装置，属于显示技术领域。该像素单元中，存储电容包括依次层叠的第一电极、第二电极和第三电极。由于每相邻两层电极可以形成一电容，因此该存储电容可以由并联的两个电容组成，相应的，该存储电容的容值即为该并联的两个电容的容值之和。相对于相关技术，本申请记载的像素单元中存储电容的容值更大，进而，该像素单元包括的发光元件的发光准确度更高，包括该像素单元的显示基板显示效果较好。

【技术实现步骤摘要】
像素单元、显示基板及显示装置
本公开涉及显示
，特别涉及一种像素单元、显示基板及显示装置。
技术介绍
有机发光二极管(organiclightemittingdiode，OLED)显示基板因其自发光、功耗小、响应快和成本低等优点而备受青睐。相关技术中，OLED显示基板可以包括：多个像素，每个像素可以包括多个晶体管、存储电容和发光元件，发光元件可以在各晶体管和存储电容的驱动下发光，且存储电容的容值与发光元件的发光准确度成正比。其中，存储电容可以由显示基板中的栅金属层与源漏金属层，或，有源层与源漏金属层形成。但是，由于相关技术中形成的存储电容的容值较小，因此导致发光元件的发光准确度较低，显示效果较差。
技术实现思路
本公开实施例提供了一种像素单元、显示基板及显示装置，可以解决相关技术中发光元件的发光准确度较低，显示效果较差的问题。所述技术方案如下：一方面，提供了一种像素单元，所述像素单元包括：位于衬底基板上的薄膜晶体管和存储电容；所述薄膜晶体管包括：有源层，栅极和源漏极；所述存储电容包括：依本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素单元，其特征在于，所述像素单元包括：位于衬底基板上的薄膜晶体管和存储电容；所述薄膜晶体管包括：有源层，栅极和源漏极；所述存储电容包括：依次层叠的第一电极、第二电极和第三电极；/n其中，所述第一电极位于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧；/n所述第二电极与所述有源层或所述栅极位于同层；/n所述第三电极与所述源漏极位于同层，且所述第三电极与所述第一电极电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种像素单元，其特征在于，所述像素单元包括：位于衬底基板上的薄膜晶体管和存储电容；所述薄膜晶体管包括：有源层，栅极和源漏极；所述存储电容包括：依次层叠的第一电极、第二电极和第三电极；
其中，所述第一电极位于所述有源层靠近所述衬底基板的一侧；
所述第二电极与所述有源层或所述栅极位于同层；
所述第三电极与所述源漏极位于同层，且所述第三电极与所述第一电极电连接。


2.根据权利要求1至所述的像素单元，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：驱动晶体管，所述源漏极包括源极和漏极；
所述第二电极与所述驱动晶体管的第一极电连接，电连接的所述第三电极和所述第一电极与所述驱动晶体管的栅极电连接；其中，所述第一极为所述驱动晶体管的源极和漏极中的一极。


3.根据权利要求2所述的像素单元，其特征在于，所述第一电极在所述衬底基板上的正投影，与所述驱动晶体管的第二极在所述衬底基板上的正投影不重叠；其中，所述第二极为所述驱动晶体管的源极和漏极中的另一极。


4.根据权利要求1所述的像素单元，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：驱动晶体管，所述源漏极包括源极和漏极；
所述第二电极与所述驱动晶体管的栅极电连接，电连接的所述第三电极和所述第一电极与所述驱动晶体管的第一极电连接；其中，所述第一极为所述驱动晶体管的源极和漏极中的一极。


5.根据权利要求4所述的像素单元，其特征在于，所述第一电极在所述衬底基板上的正投影，与所述驱动晶体管的第二极在所述衬底基板上的正投影重叠；其中，所述第二极为所述驱动晶体管的源极和漏极中的另一极。


6.根据权利要求3或5所述的像素单元，其特征在于，所述驱动晶体管的第二极用于电连接驱动电源端。


7.根据权利要求1至5任一所述的像素单元，其特征在于，所述第三电极通过过孔与所述第一电极电连接。


8.根据权利要求2至5任一所述的像素单元，其特征在于，所述像素单...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐攀，林奕呈，王玲，王国英，张星，韩影，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11