【技术实现步骤摘要】
半导体片材组件的制备方法及装置
本专利技术实施例涉及半导体
，特别涉及一种半导体片材组件的制备方法及装置。
技术介绍
目前半导体片材的切割主要是通过激光划片及机械裂片、或者激光开槽以及冷热结合在半导体片材内部形成瞬间的压应力以及拉应力，从而将半导体片材切割成数个小半导体裂片。然而现有技术中的方法仅仅考虑如何保证半导体裂片效率，而并未考虑半导体裂片切割后容易产生隐裂等问题。
技术实现思路
本专利技术实施方式的目的在于提供一种半导体片材组件的制备方法及装置，旨在降低半导体片材切割后容易产生隐裂的问题。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式提供了一种半导体片材组件的制备方法，依次包括：S1：对半导体片材进行定位，并确定待开槽的第一区域及所述第一区域内的缺陷位置；S2：沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行切割开槽；S3：对切割开槽后的半导体片材进行裂片。本专利技术实施方式相对于现有技术而言通过对半导体片材进行定位，并确定待开槽的第一区域及所述第一区域...
【技术保护点】
1.一种半导体片材组件的制备方法，其特征在于，依次包括：/nS1：对半导体片材进行定位，并确定待开槽的第一区域及所述第一区域内的缺陷位置；/nS2：沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行切割开槽；/nS3：对切割开槽后的半导体片材进行裂片。/n
【技术特征摘要】
1.一种半导体片材组件的制备方法，其特征在于，依次包括：
S1：对半导体片材进行定位，并确定待开槽的第一区域及所述第一区域内的缺陷位置；
S2：沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行切割开槽；
S3：对切割开槽后的半导体片材进行裂片。
2.如权利要求1所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括：
对半导体片材进行定位，确定待开槽的第一区域；
获取所述第一区域中多个位置的灰度值，将灰度值大于或等于50%的位置作为缺陷位置。
3.如权利要求1所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
沿所述第一区域中所述缺陷位置和边缘点对半导体片材进行切割开槽，其中所述边缘点为所述半导体片材的中间线与半导体片材边缘的交点。
4.如权利要求1所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：
沿所述第一区域中所述缺陷位置对半导体片材进行间断性激光打点开槽。
5.如权利要求1所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，所述步骤S3依次包括：
对切割开槽后的半导体片材进行加热处理；
对加热处理后的半导体片材冷却并腐蚀。
6.如权利要求5所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，所述对加热处理后的半导体片材冷却并腐蚀的步骤，包括：
对加热处理后的半导体片材采用冷却液进行冷却并腐蚀，其中，所述冷却液为含具有腐蚀性的酸性或者碱性物质的冷却液。
7.如权利要求1所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，在步骤S3之后，还包括如下步骤：
S4：将步骤S3中裂片形成的若干个半导体裂片的切割边缘朝第一方向依次排列设置，相邻的两个所述半导体裂片采用互联条连接。
8.如权利要求7所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S4中所述互联条具有沿第一方向延伸的第一段和第二段、以及分别与所述第一段和所述第二段连接的中间段，所述第一段与其中一个所述半导体裂片的上表面金属化电学连接，所述第二段与沿第一方向的下一个所述半导体裂片的下表面金属化电学连接，形成半导体片材串。
9.如权利要求8所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S4之后还包括如下步骤：
S5：将玻璃面板、第一胶膜、所述半导体片材串、第二胶膜、以及背板依次堆叠设置形成堆叠结构，对所述堆叠结构进行层压。
10.如权利要求9所述的半导体片材组件的制备方法，其特征在于，在所述步骤S5中，所述半导体片材串中所述切割边缘朝向...
【专利技术属性】
技术研发人员：王路闯，陶武松，郭志球，白杨，张雪明，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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