放电灯及液晶面板制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种放电灯及液晶面板制造装置，实施方式的放电灯包括发光管及一对电极。一对电极设置于发光管的两端部。透过发光管而放射的放射光中，280nm以上、340nm以下的波段相对于200nm以上、400nm以下的波段的强度比为83％以上。本发明专利技术的课题为高效地制造液晶面板。

【技术实现步骤摘要】
放电灯及液晶面板制造装置
本专利技术的实施方式涉及一种放电灯(dischargelamp)及液晶面板制造装置。
技术介绍
近年来，有如下的液晶面板制造装置，其通过对封入有含光反应性物质的液晶体的被处理基板，同时施加电压以及照射紫外线，来控制液晶体所含的单体的取向状态。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2011-146363号公报专利文献2：日本专利特开2009-266574号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题但，随着近年来液晶面板的需求增加，要求液晶面板的制造的效率化。本专利技术所要解决的问题为提供一种能够高效地制造液晶面板的放电灯及液晶面板制造装置。解决问题的技术手段实施方式的放电灯包括发光管及一对电极。一对电极设置于发光管的两端部。透过发光管而放射的放射光中，280[nm]以上、340[nm]以下的波段相对于200[nm]以上、400[nm]以下的波段的强度比为83[％]以上。专利技术的效果依据本专利技术，能够高效地制造液晶面板。附图说明图1是实施方式的放电灯的侧视图。图2是示意性表示液晶面板的剖面图。图3是针对每个波长示出液晶层的吸收率的图。图4是表示将放电灯的光谱分布(spectraldistribution)加以比较的结果的图。图5是实施方式的液晶面板制造装置的立体图。符号的说明1：放电灯6：被处理面板7、8：基板9：液晶层10：发光管11：灯头12：接点20：电极30：荧光体50：机械臂100：液晶面板制造装置101、101A、101B、101C：照射单元110：照射部111：灯120：快门130：顶板140a、140b：排热管D：管径L：管长具体实施方式以下所说明的实施方式的放电灯1包括发光管10以及一对电极20。一对电极20设置于发光管10的两端部。透过发光管10而放射的放射光中，280[nm]以上、340[nm]以下的波段相对于200[nm]以上、400[nm]以下的波段的强度比为83[％]以上。另外，在以下所说明的实施方式的发光管10封入荧光体30，所述荧光体30含有包含锶、镁及钡中的一种以上的铝酸盐以及作为激活剂(activator)的铈。另外，以下所说明的实施方式的放电灯1为液晶面板制造用的放电灯。另外，以下所说明的实施方式的液晶面板制造装置100包括照射被处理面板6的多个照射部110。多个照射部110包括放电灯1。另外，以下所说明的实施方式的被处理面板6包括液晶层9、以及夹持液晶层9而相向的一对基板7、8。照射部110对施加有电压的液晶层9照射紫外线。以下，基于附图，对本专利技术的实施方式加以说明。此外，以下所示的各实施方式并不限定本专利技术所公开的技术。另外，以下所示的各实施方式及各变形例能够在不矛盾的范围内适当组合。另外，各实施方式的说明中，对同一结构赋予同一符号，适当省略后述的说明。[实施方式]首先，使用图1，对实施方式的放电灯的结构例加以说明。图1是实施方式的放电灯的侧视图。如图1所示，实施方式的放电灯1包括：发光管10、一对灯头11、一对接点12、一对电极20、以及荧光体30。一对电极20设置于发光管10的长度方向的两端部，且与销状的一对接点12分别连接，所述一对接点12位于支撑发光管10的一对灯头11的端部。放电灯1例如能够通过放射出对图2所示的被处理面板6的处理而言适合的波长的紫外线，来高效地制造液晶面板。此处，使用图2，对被处理面板6进行说明。图2是示意性表示液晶面板的剖面图。图2所示的被处理面板6包括一对基板7、8以及设置于基板7与基板8之间的液晶层9。基板7例如为透过红色、绿色、蓝色的光的彩色滤光片(未图示)配置于基材上，且由保护膜来覆盖彩色滤光片而成的彩色滤光片基板。基板8是以夹持液晶层9而与基板7相向的方式来设置的相向基板，且多个电极配置为阵列状。液晶层9包含液晶组合物以及作为光反应性物质的聚合性单体。液晶层9通过吸收由放电灯1所放射的具有特定波长的紫外线，而使聚合性单体聚合，通过施加电压来控制取向的液晶组合物稳定化。图3是针对每个波长示出液晶层的吸收率的图。图2所示的被处理面板6的液晶层9所含的聚合性单体是如图3所示，吸收波长为400[nm]以下的光而进行聚合。但，若对被处理面板6照射具有小于280[nm]的波长的光，则担忧液晶层9所含的液晶组合物、或基板7及基板8的损伤。因此，理想为尽可能不放射出波长小于280[nm]的光，且以高强度来放射280[nm]以上、340[nm]以下的紫外线的放电灯1。回到图1，对具有此种特性的放电灯1进一步进行说明。放电灯1例如为管径D＝15.5[mm]、管长L＝1700[mm]的热阴极(hotcathode)荧光灯。发光管10是以石英(SiO2)为主成分的硬质玻璃。发光管10含有例如Na2O、K2O、BaO中的一种或两种以上。此外，发光管10中所含有的各成分能够通过使用电子探针微量分析仪(electronprobemicro-analyzer，EPMA)JXA-8200(日本电子公司制造)进行组成分析而确认。另外，放电灯1的透过发光管10而放射的放射光中，280[nm]以上、340[nm]以下的波段相对于200[nm]以上、400[nm]以下的波段的强度比为83[％]以上。由此，能够使液晶层9中的聚合性单体高效地进行反应。因此，每一定时间内的液晶面板的处理可增大，故而能够高效地制造液晶面板。所述放电灯1的放射性能可通过含有包含锶(Sr)、镁(Mg)及钡(Ba)中的一种以上的铝酸盐以及作为激活剂的铈(Ce)，来作为荧光体30而实现。具体而言，例如可应用SrAl12O19：Ce(铈激活铝酸锶)来作为荧光体30。荧光体30例如涂布于发光管10的内表面。另外，在发光管10的内部封入有例如包含氩Ar、氖(Ne)等稀有气体的惰性气体以及水银。另外，通过应用例如(MgSrBa)Al11O19：Ce来作为荧光体30，也可获得透过发光管10而放射的放射光中，280[nm]以上、340[nm]以下的波段相对于200[nm]以上、400[nm]以下的波段的强度比为83[％]以上的放电灯1。如上所述，实施方式的放电灯1利用由未图示的电源装置所供给的电力，而放射出280[nm]以上、340[nm]以下的波段相对于200[nm]以上、400[nm]以下的波段的强度比为83[％]以上的光。图4是表示将放电灯的光谱分布加以比较的结果的图。图4中，“实施例1”将应用所述SrAl12O19：Ce来作为荧光体30的放电灯1的光谱分布的一例加以图示，“实施例2”将应用(MgSrBa)Al11O19：Ce来作为荧光体30的放本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放电灯，包括：/n发光管；以及/n一对电极，设置于所述发光管的两端部；并且/n透过所述发光管而放射的放射光中，280nm以上、340nm以下的波段相对于200nm以上、400nm以下的波段的强度比为83％以上。/n

【技术特征摘要】
20190325 JP 2019-0566461.一种放电灯，包括：
发光管；以及
一对电极，设置于所述发光管的两端部；并且
透过所述发光管而放射的放射光中，280nm以上、340nm以下的波段相对于200nm以上、400nm以下的波段的强度比为83％以上。


2.根据权利要求1所述的放电灯，其中，
在所述发光管封入荧光体，所述荧光体含有包含锶、镁及钡中的一种以上的铝酸盐以及作为激活剂的铈。
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【专利技术属性】
技术研发人员：日野弘喜，藤冈纯，田内亮彦，
申请(专利权)人：东芝照明技术株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP