量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:25833269 阅读:33 留言:0更新日期:2020-10-02 14:14
本申请公开了一种量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板及显示装置,其中,所述量子点彩膜基板包括基底、挡墙层和反射金属层,所述挡墙层位于基底一侧,且包括多个挡墙结构和多个挡墙开口,所述反射金属层覆盖所述挡墙结构的侧面,用于对发光单元出射光线的反射,提高出射光线的利用率,同时所述反射金属层还用于接收触控信号进行触控检测,将触控功能集成在量子点彩膜基板内,无需通过外挂的触控面板实现触控功能,有利于减少量子点显示面板的膜层数量,从而降低量子点显示面板的整体厚度,满足用户对于量子点显示面板的轻薄要求。

【技术实现步骤摘要】
量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板及显示装置
本申请涉及显示
,更具体地说,涉及一种量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
技术介绍
量子点(QuantumDot)显示是一种新型的显示技术,具有可以提高显示装置色域值和对比度的特点。参考图1,图1为量子点显示装置的剖面结构示意图,受限于量子点显示装置的特殊结构,目前在量子点显示装置中集成触控功能的方式大多为外挂式,即在量子点显示面板1上通过一光学胶2粘合集成的触控面板3的方式,触控面板3背离量子点显示面板1一侧还需要通过另一层光学胶4粘接盖板5实现对触控面板3的保护。这种外挂式的触控功能集成方式使得量子点显示装置的膜层堆叠层数较多,难以满足用户对于量子点显示装置的轻薄要求。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本申请提供了一种量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板及显示装置,以实现在量子点彩膜基板中集成触控功能的目的,有利于减少具有触控功能的量子点显示面板的膜层数量,从而降低量子点显示面板的整体厚度,满足用户对于量子点显示面板的轻薄要求。为实现上述技术目的,本申请实施例提供了如下技术方案:一种量子点彩膜基板,包括:基底,所述基底包括显示区。位于所述显示区的挡墙层,所述挡墙层位于所述基底一侧,所述挡墙层包括多个挡墙结构和多个挡墙开口。反射金属层,所述反射金属层至少覆盖所述挡墙结构的侧面,所述侧面为所述挡墙结构靠近所述挡墙开口一侧的表面。所述反射金属层用于接收触控信号进行触控检测。一种显示面板,包括如上述一项所述的量子点彩膜基板。还包括背光基板,所述背光基板与所述量子点彩膜基板相对设置。一种显示装置,包括如上述一项所述的显示面板。一种量子点彩膜基板的制备方法,所述量子点彩膜基板的制备方法包括:提供一基底,所述基底包括显示区。形成挡墙层,所述挡墙层位于所述基底一侧;所述挡墙层包括多个挡墙结构和多个挡墙开口。形成反射金属层,在所述挡墙层形成所述反射金属层,所述反射金属层至少覆盖所述挡墙结构的侧面,所述侧面为所述挡墙结构靠近所述挡墙开口一侧的表面。所述反射金属层用于接收触控信号进行触控检测。从上述技术方案可以看出,本申请实施例提供了一种量子点彩膜基板及其制备方法、显示面板及显示装置,其中,所述量子点彩膜基板包括基底、挡墙层和反射金属层,所述挡墙层位于基底一侧,且包括多个挡墙结构和多个挡墙开口,所述反射金属层覆盖所述挡墙结构的侧面,用于对发光单元出射光线的反射,提高出射光线的利用率,同时所述反射金属层还用于接收触控信号进行触控检测,将触控功能集成在量子点彩膜基板内,无需通过外挂的触控面板实现触控功能,有利于减少量子点显示面板的膜层数量,从而降低量子点显示面板的整体厚度,满足用户对于量子点显示面板的轻薄要求。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为现有技术的量子点显示装置的剖面结构示意图;图2为本申请的一个实施例提供的一种基底的俯视结构示意图;图3为图2中沿AA’线的剖面结构示意图;图4为本申请的一个实施例提供的一种触控电极的结构示意图;图5为本申请的另一个实施例提供的一种量子点彩膜基板的剖面结构示意图;图6为本申请的又一个实施例提供的一种量子点彩膜基板的剖面结构示意图;图7为本申请的再一个实施例提供的一种量子点彩膜基板的剖面结构示意图;图8为本申请的一个可选实施例提供的一种量子点彩膜基板的剖面结构示意图;图9为本申请的另一个可选实施例提供的一种量子点彩膜基板的剖面结构示意图;图10为本申请的一个实施例提供的一种显示面板的剖面结构示意图;图11为本申请的一个实施例提供的一种显示装置的外观示意图;图12为本申请的一个实施例提供的一种量子点彩膜基板的制备方法的流程示意图;图13为本申请的一个实施例提供的一种量子点彩膜基板的制备流程示意图;图14为本申请的另一个实施例提供的一种量子点彩膜基板的制备方法的流程示意图;图15为本申请的另一个实施例提供的一种量子点彩膜基板的制备流程示意图;图16为本申请的又一个实施例提供的一种量子点彩膜基板的制备方法的流程示意图;图17为本申请的又一个实施例提供的一种量子点彩膜基板的制备流程示意图;图18为本申请的再一个实施例提供的一种量子点彩膜基板的制备方法的流程示意图;图19为本申请的再一个实施例提供的一种量子点彩膜基板的制备流程示意图。具体实施方式下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。本申请实施例提供了一种量子点彩膜基板,如图2和图3所示,图2为所述量子点彩膜基板的俯视结构示意图,图3为图2中沿AA’线的剖面结构示意图,,所述量子点彩膜基板包括:基底10,所述基底10包括显示区。位于所述显示区的挡墙层,所述挡墙层位于所述基底10一侧,所述挡墙层包括多个挡墙结构20和多个挡墙开口。反射金属层30,所述反射金属层30至少覆盖所述挡墙结构20的侧面,所述侧面为所述挡墙结构20靠近所述挡墙开口一侧的表面。所述反射金属层30用于接收触控信号进行触控检测。通常情况下,所述挡墙开口用于供发光单元出射的光线通过,当所述发光单元出射的光线统一为蓝光光线时,所述挡墙开口中通常还用于设置量子点色阻50,即仍然参考图3,所述量子点彩膜基板还包括多个量子点色阻50,所述量子点色阻50位于黑矩阵40的限定区域以及所述挡墙开口中,且所述挡墙开口与所述量子点色阻50一一对应设置。具体地,所述量子点色阻50包括红色色阻、绿色色阻和散射色阻,当蓝色光线通过所述红色色阻时,蓝色光线经过红色色阻的光致转换成为红色光线出射;当蓝色光线通过所述绿色色阻时,蓝色光线经过绿色色阻的光致转换成为绿色光线出射。当蓝色光线通过所述散射色阻时,蓝色光线出射角度被散射色阻改变,以满足对于蓝色光线的出射角度要求。由于所述挡墙结构20围绕所述挡墙开口设置,这使得至少覆盖所述挡墙结构20侧面的反射金属层30可以避免相邻发光单元出射的光线的光串扰,也可以起到对于发光单元出射的光线的反射作用,避免这些光线被挡墙结构20吸收而无法从挡墙开口中出射的情况,提高了光线利用率。同时,参考图4并同时结合参考图3和图2,图4为触控电极61的结构示意图,在图4所示的结构中,所述反射金属层30被分割为本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点彩膜基板,其特征在于,包括:/n基底,所述基底包括显示区;/n位于所述显示区的挡墙层,所述挡墙层位于所述基底一侧,所述挡墙层包括多个挡墙结构和多个挡墙开口;/n反射金属层,所述反射金属层至少覆盖所述挡墙结构的侧面,所述侧面为所述挡墙结构靠近所述挡墙开口一侧的表面;/n所述反射金属层用于接收触控信号进行触控检测。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点彩膜基板,其特征在于,包括:
基底,所述基底包括显示区;
位于所述显示区的挡墙层,所述挡墙层位于所述基底一侧,所述挡墙层包括多个挡墙结构和多个挡墙开口;
反射金属层,所述反射金属层至少覆盖所述挡墙结构的侧面,所述侧面为所述挡墙结构靠近所述挡墙开口一侧的表面;
所述反射金属层用于接收触控信号进行触控检测。


2.根据权利要求1所述的量子点彩膜基板,其特征在于,所述反射金属层包括多个触控电极和触控电极引线;
多个所述触控引线与多个所述触控电极一一对应连接。


3.根据权利要求1所述的量子点彩膜基板,其特征在于,所述多个挡墙结构包括多个第一类挡墙结构和多个第二类挡墙结构;
所述反射金属层包括第一金属层和第二金属层;
所述第一金属层至少覆盖所述第一类挡墙结构的侧壁,且至少暴露出所述第一类挡墙结构的部分底面,所述第一类挡墙结构的底面为所述第一类挡墙结构背离所述基底一侧的表面;
所述第二金属层覆盖所述第二类挡墙结构的侧壁和底面,所述第二类挡墙结构的底面为所述第二类挡墙结构背离所述基底一侧的表面。


4.根据权利要求3所述的量子点彩膜基板,其特征在于,所述反射金属层还包括:
第三金属层,所述第三金属层位于所述第一类挡墙结构的底面。


5.根据权利要求4所述的量子点彩膜基板,其特征在于,
所述第三金属层包括走线金属,所述走线金属在所述基底的正投影与所述第一金属层在所述基底的正投影不交叠。


6.根据权利要求5所述的量子点彩膜基板,其特征在于,所述第三金属层还包括第一搭接金属,所述第一搭接金属在所述基底的正投影与所述第一金属层在所述基底的正投影毗邻;所述第一搭接金属在所述基底的正投影与所述走线金属不交叠。


7.根据权利要求3所述的量子点彩膜基板,其特征在于,所述第一类挡墙结构还包括凹槽,所述第一类挡墙结构的底面向所述第一类挡墙结构内部延伸形成所述凹槽,所述底面为所述第一类挡墙结构远离所述基底一侧的表面。


8.根据权利要求7所述的量子点彩膜基板,其特征在于,所述反射金属层还包括第四金属层,所述第四金属层位于所述凹槽内,所述第四金属层在所述基底的正投影与所述反射金属层在所述基底的正投影不交叠。


9.根据权利要求7所述的量子点彩膜基板,其特征在于,所述第四金属层还用于接收固定电位或所述第一金属层还用于接收所述固定电位。


10.根据权利要求8所述的量子点彩...

【专利技术属性】
技术研发人员:张卿曾洋姚绮君
申请(专利权)人:上海天马微电子有限公司
类型:发明
国别省市:上海;31

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