基于FET的核酸探测传感器制造技术

技术编号:2581975 阅读:191 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种核酸探测传感器包括场效应晶体管、基于场效应晶体管的阈值电压的变化程度从样品中探测具有序列的目标核酸分子的探测器,以及与目标核酸分子的对应一个杂交的并固定在场效应晶体管的栅上的至少一个核酸探针分子,其中场效应晶体管的栅宽度具有由下面给出的表达式(ε↓[0]ε↓[r]k↓[B]T/e↑[2]n)↑[1/2]所获得的长度的量级,其中ε↓[0]是真空的介电常数,ε↓[r]是沟道区的相对介电常数,k↓[B]是玻尔兹曼常数,T是沟道区的绝对温度,e是元电荷,并且n是场效应晶体管中形成沟道的沟道区中的平衡载流子密度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种核酸探测传感器,包括:场效应晶体管;基于场效应晶体管的阈值电压的变化程度从样品中探测具有序列的目标核酸分子的探测器;以及与目标核酸分子的对应一个杂交的、并固定在场效应晶体管的栅上的至少一个核酸探针分子,其中场效应晶体管的栅宽度具有由下面给出的表达式所获得的长度的量级:(ε↓[0]ε↓[r]k↓[B]T/e↑[2]n)↑[1/2]其中ε↓[0]是真空的介电常数,ε↓[r]是沟道区的相对介电常数,k↓[B]是玻尔兹曼常数,T是沟道区的绝对温度,e是元电荷,并且n是场效应晶体管中形成沟道的沟道区中的平衡载流子密度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:大内真一
申请(专利权)人:株式会社东芝
类型:发明
国别省市:JP[]

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