电化学传感器制造技术

一种电化学传感器，具有包含ＦＥＴ基结构的ＩＳＦＥＴ，包括源极区（２５）、漏极区（２６）以及设置在所述源极区（２５）与所述漏极区（２６）之间的导电槽（１３），并且还包括在所述ＦＥＴ基结构上直接形成并完全覆盖所述ＦＥＴ基结构的第一层（２１）、在所述第一层（２１）的顶部上形成的离子敏感层（１１７，２１７）、以及ＥＳＤ保护层（１１８，２１８），其中所述ＥＳＤ保护层将所述ＩＳＦＥＴ与测量介质隔离，但是留出栅极区（１１９，２１９，３１９）未覆盖，其特征在于，所述ＦＥＴ基结构与所述第一层（２１）之间的第一边界表面、所述第一层（２１）与所述离子敏感层（１１７，２１７）之间的第二边界表面以及所述离子敏感层（１１７，２１７）的顶侧表面在平坦表面区域内是大致平坦的，其中所述平坦表面区域（３４）延伸超过内侧表面区域（２８），由所述源极区（２５）、漏极区（２６）和所述导电槽（１３）在所述平坦表面区域上的投影限定所述内侧表面区域。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有离子敏感场效应晶体管(ISFET)的电 化学传感器。
技术介绍
同玻璃电极相比，具有ISFET作为感应元件的电化学传感器 具有较高的机械强度，几乎不会破裂。由于这些特性，这种类型 的传感器有利于例如食品工业和制药工业的应用。使用这样的传 感器的特殊原因是，基于法规的要求，由于玻璃破裂的风险，因 此在一些工业领域使用玻璃电极是不合法的或者至少是存在隐患 的。根据它们的结构，具有离子敏感场效应晶体管的电化学传感 器可以用于检测各种不同的物质以及特别适合用于pH确定。通常，ISFET包括FET基结构(FET，场效应晶体管)和在 该基结构上成层沉积的不同材料。FET基结构包括基材，例如， 单晶硅，在其中形成源极区、漏极、以及它们之间设置的导电槽。德国专利公开文献DE 3116884A1公开了一种使用ISFET测 量液体离子活性的方法和电路结构。该ISFET具有实现离子敏感 层功能的并且覆盖导电槽的绝缘层，从而朝向介质的离子敏感栅 极区形成在该导电槽之上。欧洲专利公开文献EP 1396718A1公开了一种传感器，该传感器具有传感器壳体，该壳体以除了至少一个栅极区的方式将本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电化学传感器，具有包含ＦＥＴ基结构的ＩＳＦＥＴ，包括源极区（２５）、漏极区（２６）以及设置在所述源极区（２５）与所述漏极区（２６）之间的导电槽（１３），并且还包括在所述ＦＥＴ基结构上直接形成并完全覆盖所述ＦＥＴ基结构的第一层（２１）、在所述第一层（２１）的顶部上形成的离子敏感层（１１７，２１７）、以及ＥＳＤ保护层（１１８，２１８），其中所述ＥＳＤ保护层将所述ＩＳＦＥＴ与测量介质隔离，但是留出栅极区（１１９，２１９，３１９）未覆盖，其特征在于，所述ＦＥＴ基结构与所述第一层（２１）之间的第一边界表面、所述第一层（２１）与所述离子敏感层（１１７，２１７）之间的第二边界表面以及所述离子敏感层（１１...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：M贝尔纳斯科尼，C德穆特，H范哈伦，J范德图因，
申请(专利权)人：梅特勒托利多公开股份有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]