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一种电化学传感器，具有包含ＦＥＴ基结构的ＩＳＦＥＴ，包括源极区（２５）、漏极区（２６）以及设置在所述源极区（２５）与所述漏极区（２６）之间的导电槽（１３），并且还包括在所述ＦＥＴ基结构上直接形成并完全覆盖所述ＦＥＴ基结构的第一层（２１）、在...该专利属于梅特勒-托利多公开股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过梅特勒-托利多公开股份有限公司授权不得商用。
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一种电化学传感器，具有包含ＦＥＴ基结构的ＩＳＦＥＴ，包括源极区（２５）、漏极区（２６）以及设置在所述源极区（２５）与所述漏极区（２６）之间的导电槽（１３），并且还包括在所述ＦＥＴ基结构上直接形成并完全覆盖所述ＦＥＴ基结构的第一层（２１）、在...