一种半导体激光吸收光谱气体分析方法技术

技术编号:2581866 阅读:179 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术公开了一种半导体激光吸收光谱气体分析方法,所述方法包括以下步骤:a.确定半导体激光器的工作电流范围和工作温度范围;b.把所述半导体激光器的工作温度范围划分为至少二个工作温度区间,使任一工作温度区间对应被测气体的至少一条吸收谱线;c.测得所述半导体激光器的工作温度T↓[work],确定与所述工作温度T↓[work]所在的由步骤b确定的工作温度区间对应的吸收谱线;d.根据半导体激光器的工作温度T↓[work]和步骤c确定的吸收谱线的中心频率,确定并调整半导体激光器的工作电流;e.半导体激光器发出的光穿过被测气体并被传感器接收;对接收到的光信号进行吸收光谱分析,进而得到被测气体的被测参数并显示。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种半导体激光吸收光谱气体分析方法,所述方法包括以下步骤:a.确定半导体激光器的工作电流范围和工作温度范围;b.把所述半导体激光器的工作温度范围划分为至少二个工作温度区间,使任一工作温度区间对应被测气体的至少一条吸收谱线;c.测得所述半导体激光器的工作温度T↓[work],确定与所述工作温度T↓[work]所在的由步骤b确定的工作温度区间对应的吸收谱线;d.根据半导体激光器的工作温度T↓[work]和步骤c确定的吸收谱线的中心频率,确定并调整半导体激光器的工作电流;e.半导体激光器发出的光穿过被测气体并被传感器接收;对接收到的光信号进行吸收光谱分析,进而得到被测气体的被测参数并显示。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王健顾海涛刘立鹏
申请(专利权)人:聚光科技杭州股份有限公司
类型:发明
国别省市:86[中国|杭州]

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