【技术实现步骤摘要】
一种提高晶体生长速度的风冷管装置
本技术涉及晶体生长
,具体涉及一种提高晶体生长速度的风冷管装置。
技术介绍
一般坩埚下降晶体生长炉的热场示意图如下,熔点温度线一般控制在底部隔热层中上部,坩埚可下降慢慢移动完成晶体生长过程。生长早期由于坩埚基本处于底部隔热层的上部,隔热层下部空间由于远离发热区,温度较低,结晶区温度梯度大,适合高效率生长质量良好的晶体。随着坩埚的不断下移进入底部隔热层下部空间,坩埚将发热区的热量大幅度带入隔热层下部空间,导致下部空间温度升高,结晶区温度梯度大幅度降低,导致生长界面漂移,适合的生长速度下降,极其不利于晶体生长。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种提高晶体生长速度的风冷管装置,在发热筒体内设置螺旋形环结构的管道,利用光电开关根据坩埚本体的移动位置启动冷气机向管道内输送冷气,使发热筒体内始终保持适合晶体快速生长的温度;在冷风管道一侧设置驱动组件带动灌输冷气的管道在发热筒体内往复运动,使冷气在坩埚下移过程中均匀受冷,更利于晶体的生长,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。< ...
【技术保护点】
1.一种提高晶体生长速度的风冷管装置,包括发热筒体(1),其特征在于:所述发热筒体(1)内设置有隔热层(2),且发热筒体(1)内设置有坩埚本体(3),所述隔热层(2)底部位于发热筒体(1)内滑动安装有管道(4),所述管道(4)呈螺旋形环结构设置,且管道(4)一端设置有冷气机(5),所述冷气机(5)的出风口和管道(4)一端通过钢丝软管(6)固定连接,所述管道(4)表面固定安装有四组滑块(7),其中一组所述滑块(7)贯穿于发热筒体(1)内壁且延伸至发热筒体(1)外部;/n所述滑块(7)位于发热筒体(1)外部一侧设置有驱动组件(8),所述驱动组件(8)包括丝杆(801),所述丝杆 ...
【技术特征摘要】
1.一种提高晶体生长速度的风冷管装置,包括发热筒体(1),其特征在于:所述发热筒体(1)内设置有隔热层(2),且发热筒体(1)内设置有坩埚本体(3),所述隔热层(2)底部位于发热筒体(1)内滑动安装有管道(4),所述管道(4)呈螺旋形环结构设置,且管道(4)一端设置有冷气机(5),所述冷气机(5)的出风口和管道(4)一端通过钢丝软管(6)固定连接,所述管道(4)表面固定安装有四组滑块(7),其中一组所述滑块(7)贯穿于发热筒体(1)内壁且延伸至发热筒体(1)外部;
所述滑块(7)位于发热筒体(1)外部一侧设置有驱动组件(8),所述驱动组件(8)包括丝杆(801),所述丝杆(801)转动安装于滑块(7)内,且丝杆(801)一端固定安装有电机(802),所述电机(802)固定安装于发热筒体(1)外壁一侧;
所述隔热层(2)底部对称安装有光电开关(9),所述光电开关(9)和冷气机(5)电性连接。
2.根据权利要求1所述的一种提高晶体生长速度的风冷管装置,其特...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖永建,张福亮,周里华,
申请(专利权)人:惠磊光电科技上海有限公司,
类型:新型
国别省市:上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。