一种局部加热熔料装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种局部加热熔料装置，包括盛料盘，所述盛料盘内设置有若干个用于水平安置带晶料锭的石英坩埚的容置槽，且容置槽的底部设置有电加热组件，所述容置槽的两端均设置有压紧定位机构；所述压紧定位机构包括用于抵压晶料锭端部的抵压弹片、压持晶料锭外表面的压杆组件以及用于调节抵压弹片和压杆组件距离容置槽底端距离的高度调节组件。该装置，可将放置到容置槽内物料进行局部单向加热，使得物料靠近电加热组件的一侧物料能够缓慢依次熔化，将原本紧密充满坩埚内壁的物料形态转变为半充满不紧密贴附的形态，避免晶体生长不良需要重新进行二次生长晶体时因为物料膨胀挤压石英坩埚导致坩埚碎裂问题。膨胀挤压石英坩埚导致坩埚碎裂问题。膨胀挤压石英坩埚导致坩埚碎裂问题。

【技术实现步骤摘要】
一种局部加热熔料装置


[0001]本技术属于晶体生长
，具体涉及一种局部加热熔料装置。

技术介绍

[0002]氯化物、溴化物和碘化物晶体比如碘化钠，碘化铯，碘化锂，溴化镧，氯化镧，溴化钾，CLYC，碘化铯等晶体，是非常重要的光电或闪烁晶体，具有非常广泛的用途。
[0003]这类晶体由于熔点低，同时对水分和氧含量要求极为苛刻，一般真空密封在石英坩埚内采用坩埚下降法进行晶体生长。这些卤化物晶体生长要求苛刻，成品率不高，经常出现碎裂、生长不完全、透明度低、气泡、散射颗粒等质量问题，导致生长出来的晶锭不合格。这些卤化物晶体原料由于高纯低水低氧含量，价格非常昂贵，甚至高达数万元每公斤。当生长不良时，由于原料本身是真空密封在石英坩埚内，经过一次生长原料本身不会被污染，完全可以二次利用。但是如果直接进行二次晶体生长，由于已经熔化结晶的料锭密实地贴附在坩埚内，在二次晶体生长的熔化过程中料锭膨胀大，极易撑裂坩埚，导致生长失败，甚至损坏晶体生长设备；如果把石英管破碎取出原料，那么原料非常容易吸水吸氧以及其他污染，导致原材料失效很难继续使用；及时继续二次处理需要花费很大的人力物力，并且效果不理想。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种局部加热熔料装置投入使用，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种局部加热熔料装置，包括盛料盘，所述盛料盘内设置有若干个用于水平安置带晶料锭的石英坩埚的容置槽，且容置槽的底部设置有电加热组件，所述容置槽的两端均设置有压紧定位机构；
[0006]所述压紧定位机构包括用于抵压晶料锭端部的抵压弹片、压持晶料锭外表面的压杆组件以及用于调节抵压弹片和压杆组件距离容置槽底端距离的高度调节组件。
[0007]优选的，所述高度调节组件包括固定设置于容置槽端部的支撑块、沿着支撑块高度方向开设于其内侧的导槽、设置于导槽侧壁上定位凹槽以及沿着导槽滑动的弧形记忆弹片，所述弧形记忆弹片通过连接杆与抵压弹片和压杆组件连接；
[0008]当弧形记忆弹片的弧部凸起朝向远离容置槽一端时，此时弧形记忆弹片的弧部卡入定位凹槽内。
[0009]优选的，所述压杆组件包括与连接杆同轴固定连接的支撑轴、转动安装于支撑轴上的一对轴套、固定安装于轴套上的压杆件以及套接于支撑轴外侧环形槽处且两端分别与两个轴套固定连接的扭转弹簧。
[0010]优选的，所述容置槽的中部设置有脱模机构，所述脱模机构包括沿着容置槽底面弧度开设的弧形槽以及对称设置于弧形槽内的一对脱模弹片，且两个脱模弹片的端部抵压。
[0011]优选的，所述脱模弹片的外侧包裹有氧化锆纤维纸。
[0012]优选的，所述脱模弹片的表面与容置槽的底端平齐，且脱模弹片的宽度与弧形槽一致。
[0013]本技术的技术效果和优点：该局部加热熔料装置，
[0014]1、可同时将多个带料锭的石英坩埚水平放置到容置槽内进行局部单向加热，使得物料逐步缓慢熔化。第一次晶体生长不良的带料石英坩埚水平放置在容置槽内时，靠近电加热组件的一侧物料能够缓慢依次熔化，将原本紧密充满坩埚内壁的物料形态转变为半充满不紧密贴附的形态，可以解决石英坩埚生长晶体不良需要重新进行二次生长晶体时因为物料膨胀挤压石英坩埚导致坩埚碎裂问题。
[0015]2、本案中的压紧定位机构，使用抵压弹片、压杆组件以及高度调节机构可适用于多种大小带晶料锭的石英坩埚的加工压紧需求，适用性更强。
[0016]3、容置槽的中部设置有脱模机构，脱模机构包括沿着容置槽底面弧度开设的弧形槽以及对称设置于弧形槽内的一对脱模弹片，且两个脱模弹片的端部抵压。在完成一次晶体生长后，通过按压脱模弹片，使两个脱模弹片抵压端挤压并凸起，将容置槽内的带晶料锭的石英坩埚顶起，方便拿取。
附图说明
[0017]图1为本技术的结构示意图；
[0018]图2为图1中A处的结构示意图；
[0019]图3为压杆组件的结构示意图；
[0020]图4为高度调节组件的结构示意图；
[0021]图5为处理前后坩埚及晶料锭状态图。
[0022]图中：1、盛料盘；2、容置槽；3、脱模机构；31、弧形槽；32、脱模弹片；
[0023]4、压紧定位机构；41、抵压弹片；42、压杆组件；43、高度调节组件；
[0024]421、支撑轴；422、轴套；423、压杆件；424、环形槽；425、扭转弹簧；
[0025]431、支撑块；432、导槽；433、定位凹槽；434、弧形记忆弹片；
[0026]5、电加热组件；6、连接杆；7、石英坩埚；8、晶料锭。
具体实施方式
[0027]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0028]本技术提供了如图1
‑
4所示的一种局部加热熔料装置，包括盛料盘1，所述盛料盘1内设置有若干个用于水平安置带晶料锭8的石英坩埚7的容置槽2，且容置槽2的底部设置有电加热组件5，所述容置槽2的两端均设置有压紧定位机构4；
[0029]所述压紧定位机构4包括用于抵压晶料锭端部的抵压弹片41、压持晶料锭外表面的压杆组件42以及用于调节抵压弹片41和压杆组件42距离容置槽2底端距离的高度调节组件43。
[0030]在实际使用时将代加工的晶料锭水平安置到容置槽2内，使得晶料锭的下半部置于容置槽2内，通过高度调节组件43调节抵压弹片41和压杆组件42距离容置槽2底端距离，通过抵压弹片41的下端刚好可以抵压晶料锭两端的上部，对晶料锭的前后方向进行抵压限位，同时压杆组件42的端部压持晶料锭端部位置的圆周壁上，实现上下方向的压紧定位，从而避免其在高温加热工程中发生翻转或者偏移，保证每次进行加热后实现准确的局部热熔，然后启动电加热组件5对于容置槽2的底部进行加热，靠近电加热组件的一侧物料能够缓慢依次熔化，如图4中所示，a为第一次生长不良状态图，b和c分别为坩埚和晶料锭在本装置中处理中以及处理后的状态图，d为晶体二次生长前状态；
[0031]将原本晶料锭堆积在石英坩埚下部紧密充满坩埚内壁的物料形态转变为半充满不紧密贴附的形态，即由图4中a状态转变为c状态，可以解决石英坩埚生长晶体不良需要重新进行二次生长晶体时因为物料膨胀挤压石英坩埚导致坩埚碎裂问题。
[0032]并且可同时对于多个晶料锭进行加工处理，保证加工效率；
[0033]由于设置了可调的压紧定位机构4，对于各种型号大小的石英坩埚7适用性更强。
[0034]所述高度调节组件43包括固定设置于容置槽2端部的支撑块431、沿着支撑块431高度方向开设于其内侧的导槽432、设置于导槽4本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种局部加热熔料装置，包括盛料盘(1)，其特征在于：所述盛料盘(1)内设置有若干个用于水平安置带晶料锭(8)的石英坩埚(7)的容置槽(2)，且容置槽(2)的底部设置有电加热组件(5)，所述容置槽(2)的两端均设置有压紧定位机构(4)；所述压紧定位机构(4)包括用于抵压晶料锭端部的抵压弹片(41)、压持晶料锭外表面的压杆组件(42)以及用于调节抵压弹片(41)和压杆组件(42)距离容置槽(2)底端距离的高度调节组件(43)。2.根据权利要求1所述的一种局部加热熔料装置，其特征在于：所述高度调节组件(43)包括固定设置于容置槽(2)端部的支撑块(431)、沿着支撑块(431)高度方向开设于其内侧的导槽(432)、设置于导槽(432)侧壁上定位凹槽(433)以及沿着导槽(432)滑动的弧形记忆弹片(434)，所述弧形记忆弹片(434)通过连接杆(6)与抵压弹片(41)和压杆组件(42)连接；当弧形记忆弹片(434)的弧部凸起朝向远离容置槽(2)一端时，此时弧形记忆弹片(434)的弧部卡入定位凹槽(...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖永建，周里华，张福亮，
申请(专利权)人：惠磊光电科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：