FBAR双工器的制备方法以及FBAR双工器技术

本发明专利技术提供一种FBAR双工器的制备方法以及FBAR双工器，该制备方法包括；S101：在第一衬底一侧蚀刻出空腔，并在第一衬底的同一侧形成第一键合层；S102：在第二衬底的一侧形成压电层，并在压电层远离第二衬底的一侧形成部分覆盖压电层的底电极；S103：在压电层和底电极上形成与第一键合层镜像对称的第二键合层，刻蚀压电层，形成第一通孔；S104：将第一键合层与第二键合层键合连接，刻蚀第二衬底形成第二通孔，去除第二衬底，并在压电层远离底电极一侧形成顶电极。本发明专利技术利用第一键合层、第二键合层作为接地，同时，对其进行图形化以获得等效电感和电容，避免增加占用区域，实现了器件集成，且在流片后可以直接进行电性能的检测，便于对制造过程进行控制。

【技术实现步骤摘要】
FBAR双工器的制备方法以及FBAR双工器
本专利技术涉及薄膜体声波谐振器
，尤其涉及一种FBAR双工器的制备方法以及FBAR双工器。
技术介绍
FBAR双工器由两个不同频段的FBAR((FilmBulkAcousticResonator，薄膜体声波谐振器))滤波器构成，在现有的制造的过程中，为了达到不同频段的效果，采取的方法是一种膜层做好后，继续在上面生长另一膜层，最终叠加形成谐振所需结构。然而这种方式会导致膜的表面被化学或物理处理，粗糙度会有增加的风险。另外，为了能够在流片过程中对FBAR双工器在产品过程形态下进行性能测试，需要在封装之前可测。但是，还会遇到一个问题，两个滤波器设计优化中，可能会用到电感和带内容调节，这些器件的引入，依然要集成的话，就需要通过等效的方法去获得。一般晶圆片上空间有限，而且如果等效的电感或电容占用的区域比外接元器件还大的话，难以实现器件集成的目的，进而不能在流片过程中对FBAR双工器进行性能测试。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提出一种FBAR双工器的制备方法以及FBAR双工器，在FBAR双工器中设置键合层，通过键合层将两个滤波器集中在一个晶圆片中，减少核心谐振结构中膜的工艺工序，并利用第一键合层、第二键合层作为接地，同时，对其进行图形化以获得等效电感和电容，避免增加占用区域，实现了器件集成，满足了对FBAR双工器性能的要求，且在流片后可以直接进行电性能的检测，便于对制造过程进行控制。为解决上述问题，本专利技术采用的一个技术方案为：一种FBAR双工器的制备方法，所述FBAR双工器的制备方法包括：S101：在第一衬底一侧蚀刻出空腔，并在所述第一衬底的同一侧形成图形化处理的第一键合层，所述第一键合层的图形根据空腔的位置、等效电感和等效电容图形设置；S102：在第二衬底的一侧形成压电层，并在所述压电层远离所述第二衬底的一侧形成部分覆盖所述压电层的底电极；S103：在压电层和所述底电极上形成与所述第一键合层镜像对称的第二键合层，刻蚀未覆盖所述第二键合层的所述压电层，形成贯穿所述压电层、底电极的第一通孔；S104：将所述第一键合层与所述第二键合层键合连接，刻蚀所述第二衬底形成与所述第一通孔连通的第二通孔，去除所述第二衬底，并在压电层远离所述底电极一侧形成顶电极。进一步地，所述第一键合层、第二键合层为金属键合层。进一步地，所述在第二衬底的一侧形成压电层的步骤具体包括：对所述第二衬底标识、清洗处理后，生长压电层。进一步地，所述在压电层和所述底电极上形成与所述第一键合层镜像对称的第二键合层的步骤具体包括：在所述压电层上生长第三键合层，使所述第三键合层的高度与所述底电极一致；在所述第三键合层和所述底电极上形成第四键合层，使第三键合层、第四键合层形成的第二键合层与第一键合层镜像对称。进一步地，所述刻蚀未覆盖所述第二键合层的所述压电层，形成贯穿所述压电层、底电极的第一通孔的步骤具体包括：对所述压电层图形掩膜，进行通孔蚀刻，形成贯穿所述压电层、底电极的第一通孔。进一步地，所述刻蚀所述第二衬底形成与所述第一通孔连通的第二通孔的步骤之前还包括：对所述第二衬底机械减薄处理。进一步地，所述刻蚀所述第二衬底形成与所述第一通孔连通的第二通孔的步骤具体包括：对所述第二衬底远离所述底电极一侧图案化掩膜处理，刻蚀所述第二衬底，形成第二通孔。进一步地，所述在压电层远离所述底电极一侧形成顶电极的步骤具体包括：对所述压电层远离所述底电极一侧图形掩膜处理，生长顶电极。进一步地，所述第一通孔内设置有金属层。基于相同的专利技术构思，本专利技术还提出一种FBAR双工器，所述FBAR双工器通过如上所述的FBAR双工器的制备方法形成。相比现有技术，本专利技术的有益效果在于：在FBAR双工器中设置键合层，通过键合层将两个滤波器集中在一个晶圆片中，减少核心谐振结构中膜的工艺工序，并利用第一键合层、第二键合层作为接地，同时，对其进行图形化以获得等效电感和电容，避免增加占用区域，实现了器件集成，满足了对FBAR双工器性能的要求，且在流片后可以直接进行电性能的检测，便于对制造过程进行控制。附图说明图1为本专利技术FBAR双工器的制备方法一实施例的流程图；图2为本专利技术FBAR双工器的制备方法中在衬底上形成空腔一实施例的剖视图；图3为本专利技术FBAR双工器的制备方法中形成第一键合层一实施例的剖视图；图4为本专利技术FBAR双工器的制备方法中形成压电层一实施例的剖视图；图5为本专利技术FBAR双工器的制备方法中形成底电极一实施例的剖视图；图6为本专利技术本专利技术FBAR双工器的制备方法中形成第三键合层一实施例的剖视图；图7为本专利技术FBAR双工器的制备方法中形成第四键合层一实施例的剖视图；图8为本专利技术FBAR双工器的制备方法中形成第一通孔一实施例的剖视图；图9为本专利技术FBAR双工器的制备方法中第一键合层与第二键合层连接一实施例的剖视图；图10为本专利技术FBAR双工器的制备方法中第二衬底减薄后一实施例的剖视图；图11为本专利技术FBAR双工器的制备方法中在第二衬底上设置图形化掩膜一实施例的剖视图；图12为本专利技术FBAR双工器的制备方法中在第二衬底上形成第二通孔一实施例的剖视图；图13为本专利技术FBAR双工器的制备方法中在具备第二通孔的第二衬底一实施例的剖视图；图14为本专利技术FBAR双工器的制备方法中去除第二衬底一实施例的剖视图；图15为本专利技术FBAR双工器的制备方法中形成顶电极一实施例的剖视图；图16为本专利技术FBAR双工器中的键合层一实施例的示意图；图17为本专利技术FBAR双工器中的键合层另一实施例的示意图；图18为本专利技术FBAR双工器一实施例的剖视图。图中：2011、第一衬底；2031、第一键合层；205、压电层；2012、第二衬底；204、底电极；2032、第二键合层；206、第一通孔；202、空腔；203、键合层；208、掩膜；207、顶电极。具体实施方式下面，结合附图以及具体实施方式，对本专利技术做进一步描述，需要说明的是，在不相冲突的前提下，以下描述的各实施例之间或各技术特征之间可以任意组合形成新的实施例。请参阅图1-17，其中，图1为本专利技术FBAR双工器的制备方法一实施例的流程图；图2为本专利技术FBAR双工器的制备方法中在衬底上形成空腔一实施例的剖视图；图3为本专利技术FBAR双工器的制备方法中形成第一键合层一实施例的剖视图；图4为本专利技术FBAR双工器的制备方法中形成压电层一实施例的剖视图；图5为本专利技术FBAR双工器的制备方法中形成底电极一实施例的剖视图；图6为本专利技术本专利技术FBAR双工器的制备方法中形成第三键合层一实施例的剖视图；图7为本专利技术FBAR双工器的制备方法中形成第四键合层一实施例的剖视图；图8为本专利技术FBAR双工器的制备方法中形成第一通孔一实施例的剖视图；图9为本专利技术FB本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种FBAR双工器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括；/nS101：在第一衬底一侧蚀刻出空腔，并在所述第一衬底的同一侧形成图形化处理的第一键合层，所述第一键合层的图形根据空腔的位置、等效电感和等效电容图形设置；/nS102：在第二衬底的一侧形成压电层，并在所述压电层远离所述第二衬底的一侧形成部分覆盖所述压电层的底电极；/nS103：在压电层和所述底电极上形成与所述第一键合层镜像对称的第二键合层，刻蚀未覆盖所述第二键合层的所述压电层，形成贯穿所述压电层、底电极的第一通孔；/nS104：将所述第一键合层与所述第二键合层键合连接，刻蚀所述第二衬底形成与所述第一通孔连通的第二通孔，去除所述第二衬底，并在压电层远离所述底电极一侧形成顶电极。/n

【技术特征摘要】
1.一种FBAR双工器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括；
S101：在第一衬底一侧蚀刻出空腔，并在所述第一衬底的同一侧形成图形化处理的第一键合层，所述第一键合层的图形根据空腔的位置、等效电感和等效电容图形设置；
S102：在第二衬底的一侧形成压电层，并在所述压电层远离所述第二衬底的一侧形成部分覆盖所述压电层的底电极；
S103：在压电层和所述底电极上形成与所述第一键合层镜像对称的第二键合层，刻蚀未覆盖所述第二键合层的所述压电层，形成贯穿所述压电层、底电极的第一通孔；
S104：将所述第一键合层与所述第二键合层键合连接，刻蚀所述第二衬底形成与所述第一通孔连通的第二通孔，去除所述第二衬底，并在压电层远离所述底电极一侧形成顶电极。


2.如权利要求1所述的FBAR双工器的制备方法，其特征在于，所述第一键合层、第二键合层为金属键合层。


3.如权利要求1所述的FBAR双工器的制备方法，其特征在于，所述在第二衬底的一侧形成压电层的步骤具体包括：
对所述第二衬底标识、清洗处理后，生长压电层。


4.如权利要求1所述的FBAR双工器的制备方法，其特征在于，所述在压电层和所述底电极上形成与所述第一键合层镜像对称的第二键合层的步骤具体包括：
在所述压电层上生长第三键合层，使所述第三键合层的高度与所述底电极一致；
在所述第三键合层...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，
申请(专利权)人：河源市众拓光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44