具有模拟端口的多端口存储器制造技术

本发明专利技术描述了一种端口之一是模拟的而不是数字的多端口存储器。在一个实施方式中，模拟端口用作只读端口，并且数字端口用作只写端口。这使得能够将核存储器中的数据应用于模拟信号，同时保留能够访问核存储器以用于快速存储数据的数字端口。这样的多端口存储器的一种潜在用途是作为数字计算机与模拟计算机之间的桥接器；例如，这使得数字编程的两端口存储器能够从多个模拟输入信号得出乘积和信号，并且使得多个这样的多端口存储器能够在实现模拟人工智能(AI)的诸如可编程神经网络的模拟神经网络中使用。

【技术实现步骤摘要】
具有模拟端口的多端口存储器本申请要求于2019年3月18日提交的临时申请第62/819,876号的优先权，该临时申请通过引用整体并入本文。
本专利技术总体上涉及多端口存储器，并且更具体地涉及可以在模拟神经网络中使用的两端口存储器。
技术介绍
多端口存储器在本领域中是公知的。随机存取存储器(RAM)可以被设计成具有两组或更多组控制线、多组数据线、多组地址线和多组控制信号。这些信号可以独立地操作并且使得两个或更多个进程能够访问相同的核存储器元件；因此，与一次仅能访问一个存储器位置的单端口RAM相比，多端口RAM使得多次读或写能够(通常在RAM中的不同地址处)同时发生。多端口存储器的一种常见形式是两端口或双端口存储器。用于读和写的存储器访问通常由时钟控制，尽管一些异步两端口存储器是可用的，这些异步两端口存储器在不需要时钟或计数器的情况下对地址和控制引脚变化做出响应，同时使得能够从两条总线同时访问单个RAM存储器位置。在这样的异步装置中，仲裁逻辑可以用于确保不会发生对同一存储器位置的同时写入。图1示出了来自Xilinx7系列现场本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多端口存储器，包括：/n存储器核，其包含以具有多条线的矩阵的形式排列的存储器单元，每条线具有单独的地址；/n数字端口，其被配置成：/n接收第一多个位，所述第一多个位表示所述存储器单元的多条线中的一条线的地址；以及/n接收第二多个位，所述第二多个位表示要被存储在所述存储器单元的多条线中的处于由所述第一多个位表示的地址处的所述一条线中的值；以及/n模拟端口，其被配置成：/n接收多个模拟输入量，每个输入量对应于所述存储器单元的多条线中的一条线；以及/n生成多个模拟输出量，所述多个模拟输出量是所述模拟输入量中的每个模拟输入量与被存储在所述多条线中的与所述模拟输入量中的每个模拟输入量相对应的一条...

【技术特征摘要】
20190318 US 62/819,876;20200317 US 16/821,1911.一种多端口存储器，包括：
存储器核，其包含以具有多条线的矩阵的形式排列的存储器单元，每条线具有单独的地址；
数字端口，其被配置成：
接收第一多个位，所述第一多个位表示所述存储器单元的多条线中的一条线的地址；以及
接收第二多个位，所述第二多个位表示要被存储在所述存储器单元的多条线中的处于由所述第一多个位表示的地址处的所述一条线中的值；以及
模拟端口，其被配置成：
接收多个模拟输入量，每个输入量对应于所述存储器单元的多条线中的一条线；以及
生成多个模拟输出量，所述多个模拟输出量是所述模拟输入量中的每个模拟输入量与被存储在所述多条线中的与所述模拟输入量中的每个模拟输入量相对应的一条线上的值相乘的乘积的总和。


2.根据权利要求1所述的多端口存储器，其中，所述存储器单元包括可编程阻抗元件。


3.根据权利要求2所述的多端口存储器，其中，所述可编程阻抗元件的值是由所述第二多个位表示的值。


4.根据权利要求2所述的多端口存储器，其中，所述可编程阻抗元件中的每个可编程阻抗元件包括多个场效应晶体管，所述多个场效应晶体管被偏置到其电阻区中并且以串联和/或并联组合的方式连接。


5.根据权利要求4所述的多端口存储器，其中，所述场效应晶体管的串联和/或并联组合通过由所述第二多个位表示的值而确定。


6.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·马丁·马林森，克里斯蒂安·莱特·彼得森，
申请(专利权)人：硅谷介入有限公司，
类型：发明
国别省市：加拿大;CA