触控模组及其制备方法、电子设备技术

本发明专利技术涉及一种触控模组及其制备方法、电子设备，触控模组的制造方法包括以下步骤：S301，在基底上依次沉积ITO薄膜以及干膜；S302，利用光罩对干膜进行曝光、显影，其中，光罩包括阻光区及透光区，透光区自阻光区的边缘向外采用渐变光强曝光对应的干膜；S303，对未被干膜保护的ITO薄膜进行蚀刻；S304，剥除干膜；通过上述触控模组的制造方法制备的触控模组中ITO线路具有平滑坡度，提高视觉效果，并且减少断路的风险，提升产品良率。因此，通过上述触控模组的制造方法能够较为方便快捷地获得视觉效果较好且产品良率较高的触控模组。

【技术实现步骤摘要】
触控模组及其制备方法、电子设备
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种触控模组及其制备方法、电子设备。
技术介绍
在显示
，ITO(氧化铟锡)作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性，包括ITO层的触控模组以其高导电性和高透明性广泛应用与各种显示装置中。现有触控模组中的制备通常采用成膜-遮挡-曝光-显影-刻蚀-去膜等工艺制备，在基底上形成多层膜层，并在多层膜层上设置光罩，接着使用曝光机的平行紫外光进行曝光以光刻干膜形成所需图形，并用显影液清除多余的图形，然后利用蚀刻液蚀刻掉没有干膜保护的线路，最后去除多余膜层以得到完整的ITO线路，但是由于用于遮挡紫外线的光罩使用的是紫外线透过率均匀的遮光层，在显影时干膜会出现断差，一方面导致蚀刻时会从断差处侧面蚀刻，造成侧蚀现象，影响导电性能和视觉效果，另一方面现有ITO(氧化铟锡)的方阻由100Ω变更为70Ω以提高显示屏传感器的导电性，而ITO方阻的减小使得ITO层更厚，垂直线路的断差的存在使得ITO线路更为明显，影响视觉效果。
技术实现思路
>基于此，有必要针对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种触控模组的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS301，在基底上依次沉积ITO薄膜以及干膜；/nS302，利用光罩对所述干膜进行曝光、显影，其中，所述光罩包括阻光区及透光区，所述透光区自所述阻光区的边缘向外采用渐变光强曝光对应的所述干膜；/nS303，对未被干膜保护的ITO薄膜进行蚀刻；/nS304，剥除干膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种触控模组的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
S301，在基底上依次沉积ITO薄膜以及干膜；
S302，利用光罩对所述干膜进行曝光、显影，其中，所述光罩包括阻光区及透光区，所述透光区自所述阻光区的边缘向外采用渐变光强曝光对应的所述干膜；
S303，对未被干膜保护的ITO薄膜进行蚀刻；
S304，剥除干膜。


2.根据权利要求1所述的触控模组的制造方法，其特征在于，所述透光区包括第一透光区、第二透光区以及第三透光区，其中：
所述第一透光区连接设置于所述阻光区边缘，所述第一透光区的光强处处相等；
所述第二透过光区位于所述第一透光区远离所述阻光区的一侧，且所述第二透光区采用渐变光强曝光；
所述第三透光区位于所述第二透光区远离所述第一透光区的一侧，所述第三透光区对应的光强大于所述第二透光区的最大光强。


3.根据权利要求2所述的触控模组的制造方法，其特征在于，所述第二透光区的光强为所述第三透光区的光强的10％-90％。


4.根据权利要求2所述的触控模组的制造方法，其特征在于，所述第一透光区的光强为所述第三透光区的光强的10％-20％。


5.根据权利要求4所述的触控模组的制造方法，其特征在于，所述第二透光区的最大光强相比所述第一透光区的光强高60％-80％。


6.根据权利要求2所述的触控模组的制造方法，其特征在于，所述第二透光区的光强自所述第一透光区的边缘向外逐渐变大。


7.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：田舒韵，张礼冠，
申请(专利权)人：南昌欧菲显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江西;36