一种非对称MOSFET及半导体器件制造技术

本实用新型专利技术提供一种非对称MOSFET及半导体器件，非对称MOSFET形成在绝缘体上硅衬底上，并且源极区的轻掺杂区的长度小于漏极区的轻掺杂区的长度，或者源极区没有轻掺杂区。由于绝缘体上硅衬底自身的特点，使得绝缘体上硅比体硅能够实现更浅的源漏结，因而能够制造更高速度的晶体管。尤其对于30nm以下的晶体管工艺，采用绝缘体上硅是提高晶体管速度的优良解决方案。本实用新型专利技术的非对称MOSFET与传统的非对称MOSFET制造工艺兼容，整个过程不会产生成本的提高。半导体器件中非对称MOSFET的不同的排布方式不需要增加光掩模版，也不会增加工艺控制的复杂度和倾斜角的控制难度，同时增加了实际电路使用中的丰富度。

【技术实现步骤摘要】
一种非对称MOSFET及半导体器件
本技术涉及集成电路半导体器件制造领域，特别涉及一种非对称MOSFET及一种半导体器件。
技术介绍
随着第五代通信、物联网和大数据的到来，集成电路对速度的要求越来越高。以摩尔定律为代表的晶体管沟道长度的缩小，虽然带来了性能的提升，但当晶体管尺寸进一步缩小，沟道长度缩小带来的速度提升空间越来越小。传统的对称金属氧化物场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorFieldEffectTransistor，MOSFET)剖面图，由于存在密勒效应，漏端电容等效到输出端的电容将倍增。这种密勒效应引起的漏端电容倍增，极大降低晶体管的开关速度。为了解决传统对称MOSFET的密勒效应问题，应运产生了基于体硅工艺的非对称MOSFET。相比于传统对称MOSFET，非对称MOSFET靠近源端的轻掺杂注入更窄，因此展现出更低的亚阈值斜率、更小的漏致势垒降低和更高的开关电流比。然而，面对尺寸缩小的更高要求，例如缩小到30纳米以下时，基于体硅的非对称MOSFET无法同时满足更高速度和更小尺寸的要求。...

【技术保护点】
1.一种非对称MOSFET，其特征在于，包括：/n衬底，所述衬底包括半导体基底、形成在所述半导体基底上的埋氧层以及形成在所述埋氧层上方的半导体层；/n形成在所述半导体层上方的栅极结构；/n形成在所述栅极结构周围的所述半导体层中的源极区及漏极区；/n分别形成在所述栅极结构与所述源极区和所述漏极区之间的源极隔离侧墙及漏极隔离侧墙；/n形成在所述源极区、所述漏极区以及所述栅极结构上方的隔离层；/n形成在所述隔离层中分别与所述源极区、所述漏极区和所述栅极结构导通的金属接触；/n其中，所述源极区及所述漏极区包括分别位于所述源极隔离侧墙及漏极隔离侧墙下方的轻掺杂区，以及位于所述轻掺杂区外围的重掺杂区，所述...

【技术特征摘要】
1.一种非对称MOSFET，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括半导体基底、形成在所述半导体基底上的埋氧层以及形成在所述埋氧层上方的半导体层；
形成在所述半导体层上方的栅极结构；
形成在所述栅极结构周围的所述半导体层中的源极区及漏极区；
分别形成在所述栅极结构与所述源极区和所述漏极区之间的源极隔离侧墙及漏极隔离侧墙；
形成在所述源极区、所述漏极区以及所述栅极结构上方的隔离层；
形成在所述隔离层中分别与所述源极区、所述漏极区和所述栅极结构导通的金属接触；
其中，所述源极区及所述漏极区包括分别位于所述源极隔离侧墙及漏极隔离侧墙下方的轻掺杂区，以及位于所述轻掺杂区外围的重掺杂区，所述源极区的轻掺杂区的长度小于所述漏极区的轻掺杂区的长度。


2.一种非对称MOSFET，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括半导体基底、形成在所述半导体基底上的埋氧层以及形成在所述埋氧层上方的半导体层；
形成在所述半导体层上方的栅极结构；
形成在所述栅极结构周围的所述半导体层中的源极区及漏极区；
分别形成在所述栅极结构与所述源极区和所述漏极区之间的源极隔离侧墙及漏极隔离侧墙；
形成在所述源极区、所述漏极区以及所述栅极结构上方的隔离层；
形成在所述隔离层中分别与所述源极区、所述漏极区和所述栅极结构导通的金属接触；
其中，所述源极区包括位于所述源极隔离侧墙下方的重掺杂区，所述漏极区包括位于漏极隔离侧墙下方的轻掺杂区以及位于所述轻掺杂区外围的重掺杂区。


3.根据权利要求1或2所述的非对称MOSFET，其特征在于，所述源极隔离侧墙的长度小于所述漏极隔离侧墙的长度。


4.根据权利要求3所述的非对称MOSFET，其特征在于，所述栅极结...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘森，戴彬，史林森，刘筱伟，
申请(专利权)人：微龛广州半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44