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本实用新型提供一种非对称MOSFET及半导体器件，非对称MOSFET形成在绝缘体上硅衬底上，并且源极区的轻掺杂区的长度小于漏极区的轻掺杂区的长度，或者源极区没有轻掺杂区。由于绝缘体上硅衬底自身的特点，使得绝缘体上硅比体硅能够实现更浅的源漏结...
该专利属于微龛(广州)半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过微龛(广州)半导体有限公司授权不得商用。

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