增加真空吸附力的顶针帽制造技术

本申请提供一种增加真空吸附力的顶针帽，涉及LED芯片封装技术领域，在传统顶针帽利用真空吸附通孔吸附芯片蓝膜的基础上，在顶针帽主体的上端面开设吸附凹槽，同时在吸附凹槽的槽底设置若干个真空吸附槽孔，通过吸附凹槽增加了顶针帽与芯片蓝膜之间的吸附面积，透过真空吸附槽孔利用真空系统与大气压力差形成的低压吸附作用力将顶针帽与蓝膜之间紧密结合，使芯片蓝膜与顶针帽在作业过程中吸附更紧密稳固，防止芯片打花以及漏抓异常。

【技术实现步骤摘要】
增加真空吸附力的顶针帽
本申请涉及LED芯片封装
，具体涉及一种增加真空吸附力的顶针帽。
技术介绍
芯片装片过程中，需要将芯片和蓝膜分离，顶针帽吸附放置有芯片的芯片蓝膜，通过在顶针帽的帽体内部中心设置顶针，顶针将需要吸取的芯片顶出一定距离，以便于芯片被吸取，从而使芯片与蓝膜分离。图1为传统固晶机使用的顶针帽，顶针帽上端面设有顶针孔11，利用顶针孔11周围的真空吸附通孔12吸附芯片蓝膜，但由于真空吸附通孔12较小且吸附面积有限，导致顶针帽对蓝膜吸附力差，从而出现芯片打花/漏抓异常，影响到芯片的正常吸取，同时也影响装片后的位置精度。
技术实现思路
本申请为了解决现有顶针帽吸附芯片蓝膜吸附力差的技术问题，提供一种增加真空吸附力的顶针帽。本申请采用以下技术方案：增加真空吸附力的顶针帽，包括顶针帽主体，所述顶针帽主体的上端面开设有顶针孔和真空吸附通孔，所述顶针帽主体的上端面还开设有吸附凹槽，所述吸附凹槽的槽底设有若干个真空吸附槽孔。如上所述的增加真空吸附力的顶针帽，所述吸附凹槽包括围绕所述真空吸附通孔设置的外环槽。如上所述的增加真空吸附力的顶针帽，所述外环槽的槽底设置有多个所述真空吸附槽孔,多个所述真空吸附槽孔沿所述外环槽的延伸方向等间距分布。如上所述的增加真空吸附力的顶针帽，所述真空吸附槽孔数量为8个，且其孔径为0.4-0.6mm。如上所述的增加真空吸附力的顶针帽，所述顶针孔数量为1个且设置在所述顶针帽主体上端面中心位置，所述真空吸附通孔数量为12个并等间距围绕所述顶针孔设置。如上所述的增加真空吸附力的顶针帽，所述外环槽内设有若干个支撑块，所述支撑块的上端面与所述顶针帽主体的上端面平齐。如上所述的增加真空吸附力的顶针帽，所述支撑块的上端面开设有真空吸附贯孔。如上所述的增加真空吸附力的顶针帽，所述外环槽上设有多个所述支撑块，所述支撑块连接所述外环槽的两侧槽壁，且多个所述支撑块将所述外环槽分隔成多个相互独立的弧形槽，各个所述弧形槽的槽底均设有所述真空吸附槽孔。如上所述的增加真空吸附力的顶针帽，所述吸附凹槽还包括开设于所述顶针孔和所述真空吸附通孔之间的内环槽，且所述外环槽和所述内环槽之间连通。如上所述的增加真空吸附力的顶针帽，所述外环槽和所述内环槽之间的连通区域和所述内环槽的槽底均设置有所述真空吸附槽孔。与现有技术相比，本申请的有益效果如下：1、本申请的增加真空吸附力的顶针帽，在传统顶针帽利用真空吸附通孔吸附芯片蓝膜的基础上，在顶针帽主体的上端面开设吸附凹槽，同时在吸附凹槽的槽底设置若干个真空吸附槽孔，通过吸附凹槽增加了顶针帽与芯片蓝膜之间的吸附面积，透过真空吸附槽孔利用真空系统与大气压力差形成的低压吸附作用力将顶针帽与蓝膜之间紧密结合，使芯片蓝膜与顶针帽在作业过程中吸附更紧密稳固，防止芯片打花以及漏抓异常。2、本申请的吸附凹槽包括围绕真空吸附通孔设置的外环槽，外环槽为环形槽，在原有真空吸附通孔的吸附基础上，通过环形槽与蓝膜之间形成环形吸附，将蓝膜整体吸附，增加了顶针帽与芯片蓝膜之间的吸附面积，吸附更稳固。3.本申请的外环槽内设有支撑块，支撑块的上端面与顶针帽的上端面平齐，支撑块可用于支撑蓝膜，防止蓝膜在吸附力过大时，被吸附进外环槽内，避免蓝膜表面不平整或翘起，在支撑块的上端面开设有真空吸附贯孔，进一步增加吸附效果。4、本申请的吸附凹槽还包括开设于顶针孔和真空吸附通孔之间的内环槽，且外环槽和内环槽之间连通，外环槽和内环槽之间的连通区域以及内环槽的槽底均设置有真空吸附槽孔，在真空吸附通孔的基础上，通过内环槽和外环槽将蓝膜双层吸附，提高吸附效果。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。图1是传统固晶机使用的顶针帽立体示意图。图2是本申请增加真空吸附力的顶针帽实施例1的立体示意图。图3是本申请增加真空吸附力的顶针帽实施例1的剖面示意图。图4是图3中Ⅰ部分的局部放大图。图5是本申请增加真空吸附力的顶针帽实施例2的立体示意图。图6是本申请增加真空吸附力的顶针帽实施例3的剖面示意图。具体实施方式请参阅图1～6，增加真空吸附力的顶针帽，包括顶针帽主体1，所述顶针帽主体1的上端面开设有顶针孔11和真空吸附通孔12，其特征在于：所述顶针帽主体1的上端面还开设有吸附凹槽13，所述吸附凹槽13的槽底设有若干个真空吸附槽孔14。本申请的增加真空吸附力的顶针帽，在传统顶针帽的上端面设有顶针孔11和真空吸附通孔12，利用顶针孔11周围的真空吸附通孔12吸附芯片蓝膜的吸附基础上，在顶针帽主体1的上端面开设吸附凹槽13，同时在吸附凹槽13的槽底设置若干个真空吸附槽孔14，通过吸附凹槽13增加了顶针帽与芯片蓝膜之间的吸附面积，透过真空吸附槽孔利用真空系统与大气压力差形成的低压吸附作用力将顶针帽与蓝膜之间紧密结合，使芯片蓝膜与顶针帽在作业过程中吸附更紧密稳固，防止芯片打花以及漏抓异常。作为本申请的实施例1，所述吸附凹槽13包括围绕所述真空吸附通孔12设置的外环槽131。如图2所示，所述吸附凹槽13包括围绕真空吸附通孔12设置的外环槽131，所述外环槽131为环形槽，在原有真空吸附通孔12的吸附基础上，通过环形槽与蓝膜之间形成环形吸附，将蓝膜整体吸附，增加了顶针帽与芯片蓝膜之间的吸附面积，透过真空吸附槽孔利用真空系统与大气压力差形成的低压吸附作用力将顶针帽与蓝膜之间紧密结合，使芯片蓝膜与顶针帽在作业过程中吸附更紧密稳固，防止芯片打花以及漏抓异常。优选的，所述外环槽131的槽底设置有多个所述真空吸附槽孔14,多个所述真空吸附槽孔14沿所述外环槽131的延伸方向等间距分布。此设计的目的是使得真空吸附槽孔14吸附力均匀，增加吸附效果。优选的，所述真空吸附槽孔14数量为8个，且孔径为0.4-0.6mm。如图2所示，本申请的真空吸附槽孔14数量设置为8个，并均匀排布在外环槽131槽底，且真空吸附槽孔14孔径0.4-0.6mm，真空吸附槽孔14孔径略大于真空吸附通孔12的孔径，具有吸附均匀效果，同时提高了吸附效果。优选的，所述顶针孔11数量为1个且设置在所述顶针帽主体1上端面中心位置，所述真空吸附通孔12数量为12个并等间距围绕所述顶针孔11设置。本申请的顶针帽主体1设置有一个顶针孔11，顶针从顶针孔11伸出抬起芯片，真空吸附通孔12均匀环绕在顶针孔11周围，并设置在上顶面，直接与蓝膜接触，具有吸附均匀的效果。作为本申请的实施例2，在实施例1的基础上，所述外环槽131内设有若干个支撑块15，所述支撑块15的上端面与所述顶针帽主体1的上端面平齐。如图5所示，设置支撑块15的目的是用于支撑蓝膜，可用于防止蓝膜在吸附力过大时，被吸附进外环槽131内导致蓝膜表面不平整或翘起，而支撑块15可用于与蓝膜接触支撑，进而防止蓝膜陷进去外环槽131内，防止蓝膜表面不本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.增加真空吸附力的顶针帽，包括顶针帽主体(1)，所述顶针帽主体(1)的上端面开设有顶针孔(11)和真空吸附通孔(12)，其特征在于：所述顶针帽主体(1)的上端面还开设有吸附凹槽(13)，所述吸附凹槽(13)的槽底设有若干个真空吸附槽孔(14)。/n

【技术特征摘要】
1.增加真空吸附力的顶针帽，包括顶针帽主体(1)，所述顶针帽主体(1)的上端面开设有顶针孔(11)和真空吸附通孔(12)，其特征在于：所述顶针帽主体(1)的上端面还开设有吸附凹槽(13)，所述吸附凹槽(13)的槽底设有若干个真空吸附槽孔(14)。


2.根据权利要求1所述的增加真空吸附力的顶针帽，其特征在于：所述吸附凹槽(13)包括围绕所述真空吸附通孔(12)设置的外环槽(131)。


3.根据权利要求2所述的增加真空吸附力的顶针帽，其特征在于：所述外环槽(131)的槽底设置有多个所述真空吸附槽孔(14),多个所述真空吸附槽孔(14)沿所述外环槽(131)的延伸方向等间距分布。


4.根据权利要求1所述的增加真空吸附力的顶针帽，其特征在于：所述真空吸附槽孔(14)数量为8个，且其孔径为0.4-0.6mm。


5.根据权利要求1所述的增加真空吸附力的顶针帽，其特征在于：所述顶针孔(11)数量为1个且设置在所述顶针帽主体(1)上端面中心位置，所述真空吸附通孔(12)数量为12个并等间距围绕所述顶针孔(11)设置。


6.根据权利要求2所述的增加真空...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾志铭，陈成，罗龙梅，
申请(专利权)人：吉安市木林森照明器件有限公司，
类型：新型
国别省市：江西;36