单晶炉及用于单晶炉的空烧盖板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种单晶炉及用于单晶炉的空烧盖板，所述单晶炉包括：导流筒，所述导流筒内形成有连通所述单晶炉的热场的容置通道；空烧盖板，所述空烧盖板适于盖设在所述导流筒上且封盖所述容置通道的出口端，所述空烧盖板与所述导流筒的相对位置固定，所述空烧盖板包括：盖板本体；以及孔部，所述孔部被构造成沿厚度方向贯穿所述盖板本体设置。根据本实用新型专利技术的单晶炉，通过在石墨部件空烧过程增加空烧盖板，空烧盖板可以与单晶炉的热场配套设置，具体地，空烧盖板适于盖设在导流筒上，并且空烧盖板可以封盖容置通道的出口端，这样有利于防止空烧过程中热量的过多散失，从而可以达到以更低功率完成空烧的目的，进而可以降低成本。

【技术实现步骤摘要】
单晶炉及用于单晶炉的空烧盖板
本技术涉及晶体硅
，尤其是涉及一种单晶炉及用于单晶炉的空烧盖板。
技术介绍
相关技术中，在直拉法单晶生长过程中，石英坩埚会和硅熔汤发生反应，生成大量一氧化硅。在硅熔融温度下，一氧化硅的蒸气压为9Torr(Torr，托，压强单位，1托＝133.3223684帕)，很容易从熔汤表面挥发。一氧化硅蒸汽预冷凝结，会逐渐积累在石墨部件上，这样会影响石墨部件的使用寿命和使用效果。为达到清洁石墨部件的目的，在实际生产中，会通过一定频率的空烧，达到去除石墨部件表面氧化物的目的。尤其是在挥发更剧烈的重掺单晶生长过程中，空烧频率更为频繁。
技术实现思路
本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本技术的一个目的在于提出一种单晶炉，所述单晶炉上设有空烧盖板，这样有利于达到以较低功率完成清除石墨部件表面的氧化物等的目的，成本降低。本技术的另一个目的在于提出一种用于单晶炉的空烧盖板。根据本技术第一方面实施例的单晶炉，包括：导流筒，所述导流筒内形成有连通所述单晶炉的热场的容置通道；空烧盖板，所述空烧盖板适于盖设在所述导流筒上且封盖所述容置通道的出口端，所述空烧盖板与所述导流筒的相对位置固定，所述空烧盖板包括：盖板本体；以及孔部，所述孔部被构造成沿厚度方向贯穿所述盖板本体设置。根据本技术实施例的单晶炉，通过在石墨部件空烧过程增加空烧盖板，空烧盖板可以与单晶炉的热场配套设置，具体地，空烧盖板适于盖设在导流筒上，并且空烧盖板可以封盖容置通道的出口端，这样有利于防止空烧过程中热量的过多散失，从而可以达到以更低功率完成空烧的目的，进而可以降低成本。另外，根据本技术上述实施例的单晶炉还具有如下附加的技术特征：根据本技术的一些实施例，所述盖板本体被构造成圆形盖板。进一步地，所述容置通道被构造成圆形通道，或者，所述容置通道被构造成在由上至下的方向上径向尺寸逐渐收缩的锥形通道；其中，所述盖板本体的直径不小于所述容置通道的最大径向尺寸。根据本技术的一些实施例，所述空烧盖板为保温材料件。根据本技术的一些实施例，所述孔部设于所述盖板本体的中部，所述孔部被构造成圆形孔、椭圆形孔或异形孔。根据本技术的一些实施例，所述盖板本体的厚度为10-20mm。进一步地，所述盖板本体的厚度为15mm。根据本技术的一些实施例，所述孔部的面积占所述盖板本体的面积的比例为：10％-30％。进一步地，所述孔部的面积占所述盖板本体的面积的比例为20％。根据本技术第二方面实施例的用于单晶炉的空烧盖板，所述空烧盖板为保温材料件且包括：盖板本体，所述盖板本体的厚度为10-20mm；以及孔部，所述孔部被构造成沿厚度方向贯穿所述盖板本体设置，所述孔部的面积占所述盖板本体的面积的比例为：10％-30％。本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本技术的实践了解到。附图说明本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1是根据本技术实施例的单晶炉的一个示意图的剖面图；图2是图1中根据本技术实施例的单晶炉中空烧盖板的一个示意图；图3是图1中根据本技术实施例的单晶炉中空烧盖板的另一个示意图。附图标记：单晶炉100，导流筒1，容置通道11，空烧盖板2，盖板本体21，孔部22，坩埚3，加热器4，绝热件5。具体实施方式下面详细描述本技术的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能理解为对本技术的限制。相关技术中，单晶炉包括坩埚3(例如石墨坩埚)、加热器4以及绝热件5(参照图1)，坩埚3内还可以设有石英坩埚，直拉单晶硅生产过程中，加热器4的作用在于提供热源熔化硅原料。为控制热源分布，根据加热器4的位置和作用，将加热器4分为主加热器和底加热器两部分。例如，在本技术的一些可选的实施例中，所述主加热器可以设于坩埚3的外侧壁，所述底加热器可以设于坩埚3的外底壁。在制造半导体时，应首先在该所述石英坩埚内投入高纯度的硅原料，然后通过加热器4加热，使所述石英坩埚内的温度超过硅原料的熔点。当加热时，绝热件5的目的在于减少热量散失。当温度超过硅原料的熔点后，硅原料即可融化成流体状，之后，投入晶种进行提拉制程；如此一来，具有晶相的半导体初胚即可在该晶种的下方成长、结晶、最后长成半导体晶柱。下面参考附图描述根据本技术第一方面实施例的单晶炉100。参照图1，根据本技术第一方面实施例的单晶炉100，包括：导流筒1以及空烧盖板2。具体而言，导流筒1内形成有连通所述单晶炉100的热场的容置通道11。例如，导流筒1内可以形成有容置通道11，容置通道11可以连通所述单晶炉100的热场设置。空烧盖板2适于盖设在导流筒1上且封盖容置通道11的出口端，空烧盖板2与导流筒1的相对位置固定。例如，空烧盖板2适于盖设在导流筒1上，并且空烧盖板2可以封盖容置通道11的出口端(例如，图1中所示的容置通道11的上端)，空烧盖板2与导流筒1的相对位置固定。由此，通过在导流筒1上设置空烧盖板2，可以达到以较低功率完成空烧的目的，有利于降低成本。空烧盖板2可以包括：盖板本体21以及孔部22。具体地，孔部22被构造成沿厚度方向贯穿盖板本体21设置，孔部22可以为通孔结构。由此，通过在导流筒1上设置空烧盖板2，有利于防止空烧过程中热量的过多散失，从而可以达到以较低功率完成空烧的目的；另外，通过在盖板本体21上设置孔部22，惰性气体(例如氩气和/或氮气等)可以经上孔部22进入导流筒1内，通过所述惰性气体的流动可以带走水气和氧化物。具体地，单晶炉100内部可以形成有气路通道，所述惰性气体可以经由所述孔部22通入热场内再经由所述气路通道流出，所述气路通道可以包括至少一个，当所述气路通道包括一个时，所述惰性气体可以为氩气和氮气中的其中一种，当所述气路通道包括两个时，所述惰性气体可以氩气和氮气，这样通过在氩气内掺入适量的氮气，还有利于降低成本。其中，石墨部件(主要是指单晶炉100的导流筒1等)空烧的目的是为了去除石墨部件中的水分和去除附着在石墨部件表面的氧化物，所以需要达到一定的空烧温度和时间(这里，所述空烧温度和空烧时间会因石墨部件上附着氧化物的多少、以及空烧的频率而异，本技术对此不作具体限定，实际应用中可以根据需要而适应性设置，这对本领域的技术人员来说是可以理解的)。然而，空烧本身并无任何产出，所以使用更低的功率达到空烧的目的有利于降低电力和时间成本。根据本技术实施例的单晶炉100，通过在石墨部件空烧过程增本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单晶炉，其特征在于，包括：/n导流筒，所述导流筒内形成有连通所述单晶炉的热场的容置通道；/n空烧盖板，所述空烧盖板适于盖设在所述导流筒上且封盖所述容置通道的出口端，所述空烧盖板与所述导流筒的相对位置固定，所述空烧盖板包括：/n盖板本体；以及/n孔部，所述孔部被构造成沿厚度方向贯穿所述盖板本体设置。/n

【技术特征摘要】
1.一种单晶炉，其特征在于，包括：
导流筒，所述导流筒内形成有连通所述单晶炉的热场的容置通道；
空烧盖板，所述空烧盖板适于盖设在所述导流筒上且封盖所述容置通道的出口端，所述空烧盖板与所述导流筒的相对位置固定，所述空烧盖板包括：
盖板本体；以及
孔部，所述孔部被构造成沿厚度方向贯穿所述盖板本体设置。


2.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述盖板本体被构造成圆形盖板。


3.根据权利要求2所述的单晶炉，其特征在于，所述容置通道被构造成圆形通道，或者，所述容置通道被构造成在由上至下的方向上径向尺寸逐渐收缩的锥形通道；
其中，所述盖板本体的直径不小于所述容置通道的最大径向尺寸。


4.根据权利要求1所述的单晶炉，其特征在于，所述空烧盖板为保温材料件。


5.根据权利要求2所述的单晶炉，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄末，
申请(专利权)人：徐州鑫晶半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32