一种碳化硅生产设备制造技术

本实用新型专利技术涉及半导体材料SiC的生产设备技术领域，公开了一种碳化硅生产设备，包括：炉体，炉体内设有用于放置坩埚的容置空间；套设于炉体外周侧的加热线圈；与加热线圈连接、且用于驱动加热线圈沿其中心轴线的延伸方向动作的驱动装置。该碳化硅生产设备中，加热线圈在驱动装置的驱动下可以在炉体外周侧上下移动，并对炉体进行加热，使炉体内的碳化硅在长晶过程中在竖直方向形成更好的温度梯度，有利于提高成晶率，提高晶体品质。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅生产设备
本技术涉及半导体材料SiC的生产设备
，特别涉及一种碳化硅生产设备。
技术介绍
碳化硅炉是一种生产半导体材料SiC的生产设备，由于碳化硅具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率等特点，使得它在航天和军用领域具有优越的应用价值。目前SiC晶体生长方法通用的主流方法是：籽晶升华法，即PVT法。它是在密闭的反应室里SiC源被加热到2000℃以上时，SiC源分解成含Si和C的气体分子，这些气体分子通过源和晶种之间温度梯度再凝聚到较冷的晶种表面，生长出SiC单晶。在晶体生长的过程中，炉体内温度不均衡会造成晶体的晶相错乱，长出的晶体品质不高。现有技术中用于给炉体加热的加热线圈以及防止在炉体内的晶体都不能移动，很难通过控制功率来形成有利于晶体生长的温度梯度，导致成晶率低一直是行业内的技术难题。所以，如何使炉体内温度均衡控制有利于晶体生长的温度梯度从而提高成晶率是目前亟需解决的问题。
技术实现思路
本技术公开了一种碳化硅生产设备，该碳化硅生产设备中，加热线圈在驱动装置的驱动下可以在炉体外周侧上下移动，并对炉体进行加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅生产设备，其特征在于，包括：/n炉体，所述炉体内设有用于放置坩埚的容置空间；/n套设于所述炉体外周侧的加热线圈；/n与所述加热线圈连接、且用于驱动所述加热线圈沿其中心轴线的延伸方向动作的驱动装置；/n设于所述炉体外侧的支架；/n安装于所述支架的导向件；/n与所述导向件滑动配合的滑块，所述滑块与所述加热线圈固定连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅生产设备，其特征在于，包括：
炉体，所述炉体内设有用于放置坩埚的容置空间；
套设于所述炉体外周侧的加热线圈；
与所述加热线圈连接、且用于驱动所述加热线圈沿其中心轴线的延伸方向动作的驱动装置；
设于所述炉体外侧的支架；
安装于所述支架的导向件；
与所述导向件滑动配合的滑块，所述滑块与所述加热线圈固定连接。


2.根据权利要求1所述的碳化硅生产设备，其特征在于，所述导向件为导轨，所述滑块与所述导轨滑动连接；或者，
所述导向件为导向杆，所述滑块与所述导向杆滑动连接。


3.根据权利要求1所述的碳化硅生产设备，其特征在于，所述驱动装置包括：
设于所述炉体外侧的丝杠传动机构，其中，所述丝杠传动机构的丝杠与所述加热线圈的中心轴线平行设置，所述丝杠传动机构的传动螺母与所述滑块固定连接；
与所述丝杠传动连接以驱动所述丝杠转动的动力装置。


4.根据权利要求3所述的碳化硅生产设备，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁静，靳秋诚，夏树胜，
申请(专利权)人：北京京运通科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11