一种碳化硅粉表面处理工艺方法技术

本发明专利技术公开了一种碳化硅粉表面处理工艺方法，涉及碳化硅粉表面处理技术领域，S1、碳化硅粉表面处理原料配备；S2、除杂反应；S3、清洗双重干燥；S4、中和反应；S5、分离处理；S6、碳化硅粉清洗；S7、碳化硅粉烘干。该工艺方法怕配备容器采用的是304不锈钢材质，耐酸耐碱对碳化硅粉的处理过程中采用多次的干燥处理，以及可根据碳化硅粉的需要选择合适高度的沉降室，然后在一个流动水源中对沉降结束之后的碳化硅粉进行反复清洗，得到杂质更少的碳化硅粉，在经过多次的过滤烘干可得到最终的产品，整个工艺简单，各个工艺环节分工明确，结构清晰，操作不繁琐，成本低，实用性能高，便于使用者的使用。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅粉表面处理工艺方法
本专利技术涉及碳化硅粉表面
，具体为一种碳化硅粉表面处理工艺方法。
技术介绍
金刚砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石，碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂，在碳化硅的加工使用过程中会出现一种碳化硅粉表面处理工艺，为后续对碳化硅粉的使用提供方便。现有的碳化硅粉表面处理工艺在使用过程中内部会出现较多杂质，品质不佳，且操作繁琐，容易在碳化硅粉的处理过程中凝块，干燥效率低下，给使用者的使用带来不便，并且在使用过程中不便对碳化硅粉进行沉降处理，为此，我们提出一种碳化硅粉表面处理工艺方法。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种碳化硅粉表面处理工艺方法，解决了上述
技术介绍
中提出的现有的碳化硅粉表面处理工艺在使用过程中内部会出现较多杂质，品质不佳，且操作繁琐，容易在碳化硅粉的处理过程中凝块，干燥效率低下，给使用者的使用带来不便，并且在使用过程中不便对碳化硅粉进行沉降处理的问题。为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种碳化硅粉表面处理工艺方法，包括以下步骤：S1、碳化硅粉表面处理原料配备；S2、除杂反应；S3、清洗双重干燥；S4、中和反应；S5、分离处理；S6、碳化硅粉清洗；S7、碳化硅粉烘干。可选的，所述一种碳化硅粉表面处理工艺方法包括以下具体步骤：S1、碳化硅粉表面处理原料配备将碳化硅粉和酸性溶液按体积比6:4的比例进行配备；S2、除杂反应配备结束之后使得配备好的原料加入除杂反应釜中，可去除碳化硅粉和酸性溶液中的杂质；S3、清洗双重干燥在杂质去除结束之后，把分离得到的碳化硅粉用弱碱溶液洗至中性，然后用去离子水清洗进行干燥，初次干燥结束之后静置，然后进行再次干燥处理；S4、中和反应然后再和有机硅、有机氟、水等组成表面处理剂按照2:2的比例在表面处理反应釜中进行反应；S5、分离处理让得到的碳化硅粉进行重复沉降处理，可对碳化硅粉进行分离；S6、碳化硅粉清洗将沉降结束之后的得到的碳化硅粉进行清洗，重复1-3次；S7、碳化硅粉烘干将清洗之后的碳化硅粉进行过滤，使其放置在烘干机内部，进行烘干处理。可选的，所述S1中的原料在不锈钢容器中进行配备。可选的，所述反应釜设置有两个。可选的，所述S3中的干燥腔设置有两组，且每组安装有两个，并且干燥腔中的每层干燥层内部网孔口径不一。可选的，所述S4处理机配比在反应釜外进行，且反应釜垂直放置于水平面。可选的，所述S5中的沉降室的为梯形结构，且沉降室设置有三个，并且沉降室高度不在同一水平线。可选的，所述S6在一个流动水中进行清洗。可选的，所述S7中的烘干过滤层之间均为等距离分布。本专利技术提供了一种碳化硅粉表面处理工艺方法，具备以下有益效果：该碳化硅粉表面处理工艺方法，通过对碳化硅粉和酸性溶液体积的配备比例，能够有效去除反应釜中的三氧化二铁，除杂效率较佳，然后将得到的碳化硅粉用弱碱性溶液洗至中性，洗的过程中利用PH试纸进行间断性测试，避免过酸过碱，为后续碳化硅粉表面的处理提供便捷；该工艺方法怕配备容器采用的是304不锈钢材质，耐酸耐碱对碳化硅粉的处理过程中采用多次的干燥处理，以及可根据碳化硅粉的需要选择合适高度的沉降室，然后在一个流动水源中对沉降结束之后的碳化硅粉进行反复清洗，得到杂质更少的碳化硅粉，在经过多次的过滤烘干可得到最终的产品，整个工艺简单，各个工艺环节分工明确，结构清晰，操作不繁琐，成本低，实用性能高，便于使用者的使用。具体实施方式下面将结合本专利技术的具体实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。一种碳化硅粉表面处理工艺方法，包括以下步骤：S1、碳化硅粉表面处理原料配备；S2、除杂反应；S3、清洗双重干燥；S4、中和反应；S5、分离处理；S6、碳化硅粉清洗；S7、碳化硅粉烘干所述一种碳化硅粉表面处理工艺方法包括以下具体步骤：S1、碳化硅粉表面处理原料配备所述S1中的原料在不锈钢容器中进行配备，将碳化硅粉和酸性溶液按体积比6:4的比例进行配备；S2、除杂反应所述反应釜设置有两个，配备结束之后使得配备好的原料加入除杂反应釜中，可去除碳化硅粉和酸性溶液中的杂质；S3、清洗双重干燥所述S3中的干燥腔设置有两组，且每组安装有两个，并且干燥腔中的每层干燥层内部网孔口径不一，在杂质去除结束之后，把分离得到的碳化硅粉用弱碱溶液洗至中性，然后用去离子水清洗进行干燥，初次干燥结束之后静置，然后进行再次干燥处理；S4、中和反应所述S4处理机配比在反应釜外进行，且反应釜垂直放置于水平面，然后再和有机硅、有机氟、水等组成表面处理剂按照2:2的比例在表面处理反应釜中进行反应；S5、分离处理所述S5中的沉降室的为梯形结构，且沉降室设置有三个，并且沉降室高度不在同一水平线，而且沉降室高度不在同一水平线，让得到的碳化硅粉进行重复沉降处理，可对碳化硅粉进行分离；S6、碳化硅粉清洗所述S6在一个流动水中进行清洗，将沉降结束之后的得到的碳化硅粉进行清洗，重复1-3次；S7、碳化硅粉烘干所述S7之间均为等距离分布，将清洗之后的碳化硅粉进行过滤，使其放置在烘干机内部，进行烘干处理。综上所述，该碳化硅粉表面处理工艺方法，使用时碳化硅粉表面处理工艺方法包括以下具体步骤：S1、碳化硅粉表面处理原料配备将碳化硅粉和酸性溶液按体积比6:4的比例进行配备；S2、除杂反应配备结束之后使得配备好的原料加入除杂反应釜中，可去除碳化硅粉和酸性溶液中的杂质(即三氧化二铁)得到更加纯净的碳化硅粉；S3、清洗双重干燥在杂质去除结束之后，把分离得到的碳化硅粉用弱碱溶液洗至中性，然后用去离子水清洗进行干燥，初次干燥结束之后静置，然后进行再次干燥处理；S4、中和反应然后再和有机硅、有机氟、水等组成表面处理剂按照2:2的比例在表面处理反应釜中进行反应；S5、分离处理可根据碳化硅粉的需要选择合适高度的沉降室，让得到的碳化硅粉进行重复沉降处理，可对碳化硅粉进行分离；S6、碳化硅粉清洗将沉降结束之后的得到的碳化硅粉进行清洗，重复1-3次；S7、碳化硅粉烘干将清洗之后的碳化硅粉进行过滤，使其放置在烘干机内部，进行烘干处理，最终得到此工艺处理结束之后的最终产品。以上所述，仅为本发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种碳化硅粉表面处理工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、碳化硅粉表面处理原料配备；/nS2、除杂反应；/nS3、清洗双重干燥；/nS4、中和反应；/nS5、分离处理；/nS6、碳化硅粉清洗；/nS7、碳化硅粉烘干。/n

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅粉表面处理工艺方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、碳化硅粉表面处理原料配备；
S2、除杂反应；
S3、清洗双重干燥；
S4、中和反应；
S5、分离处理；
S6、碳化硅粉清洗；
S7、碳化硅粉烘干。


2.根据权利要求1所述的一种碳化硅粉表面处理工艺方法，其特征在于，所述一种碳化硅粉表面处理工艺方法包括以下具体步骤：
S1、碳化硅粉表面处理原料配备
将碳化硅粉和酸性溶液按体积比6:4的比例进行配备；
S2、除杂反应
配备结束之后使得配备好的原料加入除杂反应釜中，可去除碳化硅粉和酸性溶液中的杂质；
S3、清洗双重干燥
在杂质去除结束之后，把分离得到的碳化硅粉用弱碱溶液洗至中性，然后用去离子水清洗进行干燥，初次干燥结束之后静置，然后进行再次干燥处理；
S4、中和反应
然后再和有机硅、有机氟、水等组成表面处理剂按照2:2的比例在表面处理反应釜中进行反应；
S5、分离处理
让得到的碳化硅粉进行重复沉降处理，可对碳化硅粉进行分离；
S6、碳化硅粉清洗
将沉降结束之后的得到的碳化硅粉进行清洗，重复1-3次；
S7、碳化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱广彬，
申请(专利权)人：徐州凌云硅业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32