透明电极构件、层叠透明电极构件以及静电电容式传感器制造技术

能够在适当具有绝缘破坏耐性的同时提高透明电极的图案的不可见性的透明电极构件(100)具备：具有透光性的基材(101)；和多个第1透明电极(4B)，在基材(101)的第1面(S1)上沿着第1方向排列配置，具有透光性，相互电连接，第1透明电极(4B)具备包含由绝缘材料构成的基块(MX)和分散在基块(MX)内的导电性纳米线(NW)的分散层(DL)，绝缘层(21)在从第1面(S1)的法线方向观察时不与部分区域(PR)重叠，在将矩形区域(RA)内包含的由导电部(111)以外构成的区域全部为部分区域(PR)的区域设为第1矩形区域(RA1)，将矩形区域(RA)内至少包含绝缘层(21)的区域设为第2矩形区域(RA2)的情况下，第1矩形区域(RA1)的由导电部以外构成的区域的占有面积Sa、和第2矩形区域(RA2)的由导电部以外构成的区域的占有面积Sb具有Sa/Sb＝1±0.3的关系。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】透明电极构件、层叠透明电极构件以及静电电容式传感器
本专利技术涉及透明电极构件、具备多个该透明电极构件的层叠透明电极构件以及利用上述透明电极构件的静电电容式传感器。
技术介绍
静电电容式传感器为了在不使显示于画面的影像的视觉辨识性下降的情况下探测操作体接触的部分的位置，具备具有透明电极的透明电极构件。作为该透明电极构件，一般使用铟锡氧化物(ITO)等金属氧化物系的材料。近年来，以提高具备静电电容式传感器的设备(例如智能手机)的设计性等为目的，对提高静电电容式传感器的挠性(提高弯曲耐性)的需求增加。为了响应这样的需求，提出了具有如下结构的透明电极构件，即，取代以往使用的金属氧化物系的材料而使银纳米线等导电性纳米线分散于基块树脂。在这种结构的透明电极构件中，在存在设置有透明电极的图案部和未设置透明电极的非图案部(绝缘部)的情况下，图案部和非图案部会在视觉上被区分。而且，若图案部的反射率与非图案部的反射率之间的差变大，则图案部与非图案部的差异在视觉上变得明显。于是，存在如下的问题，即，作为显示影像的显示元件的外观的视觉辨识性会下降。从克服这样的外观的视觉辨识性下降的问题出发，即，从提高透明电极构件的不可见性的观点出发，在专利文献1中记载了具有如下特征的透光性导电构件，即，在透光性的基材的表面形成了在外涂(overcoat)层埋设有银纳米线的导电层的透光性导电构件中，所述导电层被区分为导电区域、和表面电阻率比所述导电区域高的非导电区域，在所述非导电区域中，埋设于所述外涂层的银纳米线的至少一部分被碘化，在所述非导电区域中，不从所述外涂层的表面露出银碘化物，或者，所述非导电区域中的露出在所述外涂层的表面的银碘化物的量比所述导电区域中露出在所述外涂层的表面的银纳米线的量少。在专利文献2中公开了一种如下的导电性纳米纤维片，即，具备：基体片；导电图案层，形成在所述基体片上，包含导电性纳米纤维，能够经由该导电性纳米纤维导通，具有不能通过目视识别的大小的多个微小针孔；和绝缘图案层，形成在所述基体片上的未形成所述导电图案层的部分，包含所述导电性纳米纤维，与所述导电图案层绝缘。专利文献2记载的导电性纳米纤维片中的所述绝缘图案层具有不能通过目视识别的宽度的窄槽，通过该窄槽，与所述导电图案层绝缘并且形成为多个岛状。在专利文献3中，也具备具有表面的基材、和呈平面交替地排列在上述表面的透明导电部以及透明绝缘部，上述透明绝缘部为由多个岛部构成的透明导电层，关于上述透明导电部以及上述透明绝缘部的平均边界线长度为、20mm/mm2以下的透明导电性元件有记载。在先技术文献专利文献专利文献1：国际公开WO2015/019805号专利文献2：日本特开2010-157400号公报专利文献3：日本特开2013-152578号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在上述那样的具备具有微小针孔的导电图案层和与导电图案层绝缘的绝缘图案层的透明电极构件中，不能充分地获得图案的不可见性。即，在微小针孔以及绝缘图案层的占有面积的观点上不能充分地达到提高图案的不可见性的效果。本专利技术的目的在于，提供一种能够提高透明电极的图案的不可见性的透明电极构件、具备多个该透明电极构件的层叠透明电极构件、以及具备上述的透明电极构件的静电电容式传感器。用于提高课题的手段本专利技术的透明电极构件在一个方式中是一种如下的透明电极构件，具备：具有透光性的基材；具有透光性的透明电极，在作为所述基材的一个面的第1面配置有多个；和绝缘层，在从所述第1面的法线方向观察时配置在绝缘区域，所述绝缘区域位于配置有所述透明电极的区域的周围的至少一部分，其特征在于，所述透明电极具备分散层，所述分散层包含由绝缘材料构成的基块和分散在所述基块内的导电性纳米线，所述透明电极在从所述第1面的法线方向观察时具有由导电部构成的导电区域和具有光学调整部的光学调整区域，所述导电部与所述光学调整部相比导电性高，所述光学调整部与所述导电部相比，所述分散层中的所述导电性纳米线的分散密度低，所述光学调整区域在从所述第1面的法线方向观察时具有多个部分区域，所述多个部分区域配置在成为沿着所述第1面的面内的格子的格子点的位置，所述绝缘层在从所述第1面的法线方向观察时不与所述部分区域重叠，设置为连结多个所述格子点的线状，在将所述多个格子点中的彼此相邻的4个格子点作为角部构成的第1方式的矩形区域、以及将位于所述多个格子点中的成为中心的一个格子点的周围而彼此相邻的4个格子点作为角部构成的第2方式的矩形区域的至少一者中，将所述矩形区域内包含的由所述导电部以外构成的区域全部为所述部分区域的区域设为第1矩形区域，将所述矩形区域内至少包含所述绝缘层的区域设为第2矩形区域的情况下，所述第1矩形区域的由所述导电部以外构成的区域的占有面积Sa、和所述第2矩形区域的由所述导电部以外构成的区域的占有面积Sb具有Sa/Sb＝1±0.3的关系。在由这种结构构成的透明电极构件中，光学调整区域的多个部分区域配置在成为沿着第1面的面内的格子的格子点的位置，绝缘层不与部分区域重叠，设置为连结多个该格子点的线状，因此使得多个部分区域的排列和绝缘层的延伸的方向与格子点的排列的方向一致。在这种配置下，矩形区域内包含的由导电部以外构成的区域全部为部分区域的第1矩形区域中的导电部以外的区域的占有面积Sa、和至少包含绝缘层的第2矩形区域中的导电部以外的区域的占有面积Sb的关系满足Sa/Sb＝1±0.3。通过满足上述这样的部分区域和绝缘层的配置关系、与占有面积Sa以及Sb的关系，从而在规则性地排列的多个部分区域的组中，通过在视觉上与部分区域的配置规则同样的规则性来配置绝缘层。其结果，变得不易附带多个部分区域和绝缘层的视觉上的区分，能够使不可见性提高。在第1方式的矩形区域的情况下，Sa/Sb有时优选为0.75以上且1.15以下，有时更优选为0.78以上且1.0以下。在第2方式的矩形区域的情况下，Sa/Sb有时优选为0.8以上且1.2以下，有时更优选为0.9以上且1.1以下。Sa/Sb能够通过格子点的间隔(间距)、部分区域的面积、绝缘层的与延伸方向交叉的长度的最小值(宽度)等调整。在上述的透明电极构件中，在提高不可见性的方面优选的是，在从所述第1面的法线方向观察时，所述绝缘层与延伸方向交叉的长度的最小值为10μm以上。在上述的透明电极构件中，所述多个部分区域有时优选彼此分离30μm以上。该分离距离即是位于离散配置的光学调整区域之间的导电区域的宽度，因此成为透明电极中的各自的导电路径的宽度。通过该分离距离为30μm以上，从而可稳定地抑制作为透明电极的导电性过度下降。在上述的透明电极构件中，从提高透明电极构件的绝缘破坏耐性的观点出发，所述透明电极中的所述光学调整区域的面积比例(以下也称为“调整率”)有时优选为40％以下。在上述的透明电极构件中，也可以是，所述透明电极具有：多个第1透明电极，沿着作为所述第1面的面内方向的一个方向的第1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种透明电极构件，具备：/n具有透光性的基材；/n具有透光性的透明电极，在作为所述基材的一个面的第1面配置有多个；和/n绝缘层，在从所述第1面的法线方向观察时配置在绝缘区域，所述绝缘区域位于配置有所述透明电极的区域的周围的至少一部分，/n其特征在于，/n所述透明电极具备分散层，所述分散层包含由绝缘材料构成的基块和分散在所述基块内的导电性纳米线，/n所述透明电极在从所述第1面的法线方向观察时具有由导电部构成的导电区域和具有光学调整部的光学调整区域，/n所述导电部与所述光学调整部相比导电性高，/n所述光学调整部与所述导电部相比，所述分散层中的所述导电性纳米线的分散密度低，/n所述光学调整区域在从所述第1面的法线方向观察时具有多个部分区域，所述多个部分区域配置在成为沿着所述第1面的面内的格子的格子点的位置，/n所述绝缘层在从所述第1面的法线方向观察时不与所述部分区域重叠，设置为连结多个所述格子点的线状，/n在将所述多个格子点中的彼此相邻的4个格子点作为角部构成的第1方式的矩形区域、以及将位于所述多个格子点中的成为中心的一个格子点的周围而彼此相邻的4个格子点作为角部构成的第2方式的矩形区域的至少一者中，将所述矩形区域内包含的由所述导电部以外构成的区域全部为所述部分区域的区域设为第1矩形区域，将所述矩形区域内至少包含所述绝缘层的区域设为第2矩形区域的情况下，所述第1矩形区域的由所述导电部以外构成的区域的占有面积Sa、和所述第2矩形区域的由所述导电部以外构成的区域的占有面积Sb具有下述式的关系：/nSa/Sb＝1±0.3。/n...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180322 JP 2018-0553901.一种透明电极构件，具备：
具有透光性的基材；
具有透光性的透明电极，在作为所述基材的一个面的第1面配置有多个；和
绝缘层，在从所述第1面的法线方向观察时配置在绝缘区域，所述绝缘区域位于配置有所述透明电极的区域的周围的至少一部分，
其特征在于，
所述透明电极具备分散层，所述分散层包含由绝缘材料构成的基块和分散在所述基块内的导电性纳米线，
所述透明电极在从所述第1面的法线方向观察时具有由导电部构成的导电区域和具有光学调整部的光学调整区域，
所述导电部与所述光学调整部相比导电性高，
所述光学调整部与所述导电部相比，所述分散层中的所述导电性纳米线的分散密度低，
所述光学调整区域在从所述第1面的法线方向观察时具有多个部分区域，所述多个部分区域配置在成为沿着所述第1面的面内的格子的格子点的位置，
所述绝缘层在从所述第1面的法线方向观察时不与所述部分区域重叠，设置为连结多个所述格子点的线状，
在将所述多个格子点中的彼此相邻的4个格子点作为角部构成的第1方式的矩形区域、以及将位于所述多个格子点中的成为中心的一个格子点的周围而彼此相邻的4个格子点作为角部构成的第2方式的矩形区域的至少一者中，将所述矩形区域内包含的由所述导电部以外构成的区域全部为所述部分区域的区域设为第1矩形区域，将所述矩形区域内至少包含所述绝缘层的区域设为第2矩形区域的情况下，所述第1矩形区域的由所述导电部以外构成的区域的占有面积Sa、和所述第2矩形区域的由所述导电部以外构成的区域的占有面积Sb具有下述式的关系：
Sa/Sb＝1±0.3。


2.根据权利要求1所述的透明电极构件，其特征在于，
在从所述第1面的法线方向观察时，所述绝缘层与延伸方向交叉的长度的最小值为10μm以上。


3.根据权利要求1或2所述的透明电极构件，其特征在于，
所述多个部分区域彼此分离30μm以上。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的透明电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥亨，竹内正宜，
申请(专利权)人：阿尔卑斯阿尔派株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP