一种宽幅复合电磁屏蔽材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电磁屏蔽材料的技术领域，提供一种宽幅复合电磁屏蔽材料及其制备方法，以解决目前非晶、纳米晶电磁屏蔽材料宽度小、批量化生产和应用均受限的问题。宽幅复合电磁屏蔽材料包括电磁屏蔽层及覆盖在电磁屏蔽层的上下表面的保护膜，电磁屏蔽层由至少一层软磁合金带材的拼接层、至少一层宽幅软磁合金薄片层和/或至少一层宽幅的良导体材料层进行层叠压制后构成，软磁合金带材选自非晶软磁合金带材、纳米晶软磁合金带材中的至少一种，宽幅的软磁合金薄片选自非晶软磁合金带材、硅钢片或坡莫合金中的至少一种，良导体材料选自金箔、银箔、铜箔或铝箔中的至少一种，相邻的各层材料之间均采用双面胶贴合。

【技术实现步骤摘要】
一种宽幅复合电磁屏蔽材料及其制备方法
本专利技术涉及电磁屏蔽材料的
，更确切地说涉及一种宽幅复合电磁屏蔽材料及其制备方法。
技术介绍
随着信息传播及电子、电力技术的发展，广播、电视、手机、汽车等本身结构中的电控系统以及电子电气设备等射频设备数量逐渐增多，功率也越来越大，带来的电磁辐射也不断增加，对环境的影响也随之增大。电磁辐射带来的环境污染问题越来越受到人们的重视，电磁污染也继噪音污染、空气污染和水污染之后，被称为第四大污染。已经有不少报道表明，人类所处环境中的电磁辐射通过热效应、非热效应、电离效应、累积效应等对人体健康造成直接和间接的伤害，尤其是在汽车、住宅、酒店或者办公室等封闭且电气设备较多的环境中，电磁辐射指标已超出公众长时间暴露的健康标准。因此对某些封闭环境中的电磁辐射进行有效屏蔽是极为迫切的。非晶、纳米晶软磁合金带材是一类厚度在40μm以下的薄带材料，因具有较高的饱和磁感应强度、在较宽的频率范围内具有高磁导率等性能，因而几层带材即可对磁场产生有效的屏蔽效果，当前常被作为新型电磁屏蔽材料来使用，制作出的电磁屏蔽材料具有轻薄的优势。但目前非晶、纳米晶带材的宽度受限于生产技术，商业化纳米晶带材的宽度基本在140mm以下，商业化非晶带材的宽度基本在220mm以下，导致非晶、纳米晶带材制作所得的电磁屏蔽片宽度尺寸受限。在需要大尺寸、宽幅屏蔽的场合，只能利用窄幅的电磁屏蔽片简单平铺拼接，但会有漏磁，不能取得很好的屏蔽效果。中国专利CN110446409A公开了一种大尺寸宽幅纳米晶电磁屏蔽材料及其制备方法，该材料是由若干层大尺寸宽幅纳米晶软磁隔磁片通过双面胶带粘贴层叠而成，每层大尺寸宽幅纳米晶软磁隔磁片均由若干片长条小宽幅纳米晶软磁隔磁带经过平行排列拼接而成，相邻的大尺寸宽幅纳米晶隔磁片之间按相互正交垂直的方式排列分布。但该材料的制备过程过于复杂，而且只能制备片材，不能批量化制备卷材：需要先裁剪出特定长度和宽度的长条小宽幅纳米晶隔磁带，然后将小宽幅纳米晶隔磁带拼接成大尺寸宽幅隔磁片，再将若干层大尺寸宽幅隔磁片用双面胶一层一层粘贴起来，而且每粘贴一层，都需要将大尺寸宽幅隔磁片旋转90度再粘贴下一层，以确保相邻的大尺寸宽幅纳米晶隔磁片之间按相互正交垂直的方式排列分布。因此，该材料的批量化生产和应用都受到限制。为解决目前非晶、纳米晶电磁屏蔽材料宽度小、应用受限的问题，亟待开发一种以非晶、纳米晶合金带材作为主材料的宽幅复合电磁屏蔽材料。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，提供一种以非晶或纳米晶软磁合金带材作为主材料的宽幅复合电磁屏蔽材料，以解决目前非晶、纳米晶电磁屏蔽材料宽度小、批量化生产和应用均受限的问题。本专利技术的技术解决方案是，提供一种宽幅复合电磁屏蔽材料，包括电磁屏蔽层及覆盖在电磁屏蔽层的上下表面的保护膜，所述的电磁屏蔽层由至少一层软磁合金带材的拼接层、以及至少一层宽幅软磁合金薄片层和/或至少一层宽幅的良导体材料层进行层叠压制后构成，所述的软磁合金带材选自非晶软磁合金带材、纳米晶软磁合金带材中的至少一种，所述的宽幅的软磁合金薄片选自非晶软磁合金带材、硅钢片或坡莫合金中的至少一种，所述的良导体材料选自金箔、银箔、铜箔或铝箔中的至少一种，电磁屏蔽层内相邻的各层材料之间、电磁屏蔽层与保护膜之间均采用双面胶贴合。与现有技术相比，本专利技术的宽幅复合电磁屏蔽材料有以下优点：(1)本专利技术采用非晶、纳米晶软磁合金带材拼接成层作为电磁屏蔽层的主材料，通过在层内进行精密拼接、层间进行交错排列，并复合至少一层宽幅的软磁合金薄片层，获得的电磁屏蔽材料比现有技术的非晶、纳米晶屏蔽材料具有更大的宽度，并有效降低了漏磁，在需要大尺寸、宽幅电磁屏蔽的应用场合，可获得比现有的窄幅非晶、纳米晶屏蔽材料简单拼接的方案更优异的屏蔽效果、更好的应用体验；(2)良导体材料是对电场和高频磁场的良好屏蔽材料，本专利技术在导磁性优异的软磁合金材料的基础上，再复合至少一层宽幅、导电性优异且同样是薄片形态的良导体材料层，获得的电磁屏蔽材料可同时对电场和高频磁场做进一步有效屏蔽，比现有的常规非晶、纳米晶屏蔽材料，具备更优异的电场和磁场屏蔽效果；(3)本专利技术的电磁屏蔽材料可根据实际的应用场景选择电磁屏蔽层内的材料组成，可提升屏蔽材料的实际屏蔽效果，并增加电磁屏蔽材料的商用品类，提高市场竞争力。优选的，所述的软磁合金带材的拼接层由若干条软磁合金带材相互之间无重叠地平铺拼接而成，拼接后的软磁合金带材相互之间的缝隙宽度在0-100μm之间。采用此结构，利用非晶、纳米晶合金带材进行层内精密拼接可形成宽尺寸的电磁屏蔽主材料，并有效降低了漏磁。优选的，软磁合金带材的拼接层至少有两层，相邻拼接层的软磁合金带材之间错位重叠，同一拼接层内软磁合金带材之间的缝隙均被与其最近的拼接层内的软磁合金带材所覆盖。采用此结构，利用非晶、纳米晶合金带材进行层内精密拼接并层间交错排列的方式，覆盖所有的缝隙，有效降低了漏磁，可获得更优异的屏蔽效果。本专利技术要解决的另一个技术问题是，提供一种宽幅复合电磁屏蔽材料的制备方法，用于制造一种以非晶或纳米晶软磁合金带材作为主材料的宽幅复合电磁屏蔽材料，以解决目前非晶、纳米晶电磁屏蔽材料宽度小、批量化生产和应用均受限的问题。本专利技术的技术解决方案是，提供一种宽幅复合电磁屏蔽材料的制备方法，包括以下步骤：(1)材料选取：根据对电磁屏蔽材料的宽度、厚度及电磁屏蔽效果的需求，自非晶软磁合金带材、纳米晶软磁合金带材中选取软磁合金带材材料，自非晶软磁合金带材、硅钢片或坡莫合金中选取宽幅软磁合金薄片材料，自金箔、银箔、铜箔或铝箔中选取良导体材料；(2)材料剪切：根据宽幅复合电磁屏蔽材料的宽度为W的需求，将选定的宽幅软磁合金薄片材料和良导体材料分别剪切成宽度均为W1的材料，将选定的软磁合金带材剪切成宽度分别为W2和W3的两种带材，其中，W1>＝W，W2>W3，W1＝n×W2+W3，n为大于等于1的整数；(3)热处理：将剪切后的非晶软磁合金带材和/或纳米晶软磁合金带材进行热处理；(4)带材拼接：热处理后，将n条宽度为W2的软磁合金带材和1条宽度为W3的软磁合金带材无重叠地平行排列贴合在宽度为W4的双面胶的同一胶面上，其中W4>W1，且宽度为W3的软磁合金带材贴合在最边缘，双面胶的另一面则保留其离型膜，制备成软磁合金带材的拼接材料；(5)覆双面胶：将宽度为W1的宽幅软磁合金薄片材料贴合在宽度为W4的双面胶的一个胶面上，双面胶的另一面保留其离型膜，制备成覆胶宽幅软磁合金薄片材料；将宽度为W1的良导体材料贴合在宽度为W4的双面胶的一个胶面上，双面胶的另一面保留其离型膜，制备成覆胶良导体材料；(6)层压贴合：将覆胶宽幅软磁合金薄片材料、软磁合金带材的拼接材料及覆胶良导体材料层压并贴合在一起，形成多层材料复合的电磁屏蔽层；(7)覆保护膜：将多层材料复合的电磁屏蔽层的上下表面均通过双面胶覆上宽度为W5的保护膜，形成覆膜电磁屏蔽材料，其中W5>＝W本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种宽幅复合电磁屏蔽材料，包括电磁屏蔽层及覆盖在电磁屏蔽层的上下表面的保护膜，其特征在于，所述的电磁屏蔽层由至少一层软磁合金带材的拼接层、以及至少一层宽幅软磁合金薄片层和/或至少一层宽幅的良导体材料层进行层叠压制后构成，所述的软磁合金带材选自非晶软磁合金带材、纳米晶软磁合金带材中的至少一种，所述的宽幅的软磁合金薄片选自非晶软磁合金带材、硅钢片或坡莫合金中的至少一种，所述的良导体材料选自金箔、银箔、铜箔或铝箔中的至少一种，电磁屏蔽层内相邻的各层材料之间、电磁屏蔽层与保护膜之间均采用双面胶贴合。/n

【技术特征摘要】
1.一种宽幅复合电磁屏蔽材料，包括电磁屏蔽层及覆盖在电磁屏蔽层的上下表面的保护膜，其特征在于，所述的电磁屏蔽层由至少一层软磁合金带材的拼接层、以及至少一层宽幅软磁合金薄片层和/或至少一层宽幅的良导体材料层进行层叠压制后构成，所述的软磁合金带材选自非晶软磁合金带材、纳米晶软磁合金带材中的至少一种，所述的宽幅的软磁合金薄片选自非晶软磁合金带材、硅钢片或坡莫合金中的至少一种，所述的良导体材料选自金箔、银箔、铜箔或铝箔中的至少一种，电磁屏蔽层内相邻的各层材料之间、电磁屏蔽层与保护膜之间均采用双面胶贴合。


2.根据权利要求1所述的宽幅复合电磁屏蔽材料，其特征在于，所述的软磁合金带材的拼接层由若干条软磁合金带材相互之间无重叠地平铺拼接而成，拼接后的软磁合金带材相互之间的缝隙宽度在0-100μm之间。


3.根据权利要求2所述的宽幅复合电磁屏蔽材料，其特征在于，软磁合金带材的拼接层至少有两层，相邻拼接层的软磁合金带材之间错位重叠，同一拼接层内软磁合金带材之间的缝隙均被与其最近的拼接层内的软磁合金带材所覆盖。


4.一种宽幅复合电磁屏蔽材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)材料选取：根据对电磁屏蔽材料的宽度、厚度及电磁屏蔽效果的需求，自非晶软磁合金带材、纳米晶软磁合金带材中选取软磁合金带材材料，自非晶软磁合金带材、硅钢片或坡莫合金中选取宽幅软磁合金薄片材料，自金箔、银箔、铜箔或铝箔中选取良导体材料；
(2)材料剪切：根据宽幅复合电磁屏蔽材料的宽度为W的需求，将选定的宽幅软磁合金薄片材料和良导体材料分别剪切成宽度均为W1的材料，将选定的软磁合金带材剪切成宽度分别为W2和W3的两种带材，其中，W1>＝W，W2>W3，W1＝n×W2+W3，n为大于等于1的整数；
(3)热处理：将剪切后的非晶软磁合金带材和/或纳米晶软磁合金带材进行热处理；
(4)带材拼接：热处理后，将n条宽度为W2的软磁合金带材和1条宽度为W3的软磁合金带材无重叠地平行排列贴合在宽度为W4的双面胶的同一胶面上...

【专利技术属性】
技术研发人员：霍利山，门贺，郭海，王劲，杜兴龙，张兴国，周秉文，张国辉，
申请(专利权)人：宁波中科毕普拉斯新材料科技有限公司，大连理工大学，辽宁华岳精工股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33