半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施方式提供一种高性能的半导体装置。一实施方式的半导体装置包含半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第4电极、以及第5电极。半导体层具有沿着包含第1轴与第2轴在内的面的第1面。第1电极以及第2电极沿第1轴延伸。第3电极以及第4电极沿第2轴延伸。第5电极位于第1面的上方的第1层中，与第1电极以及第3电极电连接，包含第1部分、第2部分、第3部分以及第4部分。第1部分相交于第1电极以及第2电极。第2部分相交于第1电极以及第2电极，并且在第1端从第1部分独立。第3部分相交于第3电极以及第4电极。第4部分相交于第3电极以及第4电极，并且在第1端从第3部分独立。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置相关申请本申请享受以日本专利申请2019－48329号(申请日：2019年3月15日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
实施方式大体来说涉及半导体装置。
技术介绍
已知有用于功率控制等的纵型的MOSFET(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor)的半导体装置。
技术实现思路
实施方式提供一种高性能的半导体装置。一实施方式的半导体装置包含半导体层、第1电极、第2电极、第3电极、第4电极、以及第5电极。上述半导体层具有沿着包含第1轴与第2轴在内的面的第1面。上述第1电极以及上述第2电极沿上述第1轴延伸。上述第3电极以及上述第4电极沿上述第2轴延伸。上述第5电极位于上述第1面的上方的第1层中，与上述第1电极以及上述第3电极电连接，包含第1部分、第2部分、第3部分以及第4部分。上述第1部分与上述第1电极以及上述第2电极相交。上述第2部分与上述第1电极以及上述第2电极相交，并且在第1端从上述第1部分独立。上述第3部分与上述第3电极以及上述第4电极相交。上述第4部分与上述第3电极以及上述第4电极相交，并且在第1端从上述第3部分独立。附图说明图1示出第1实施方式的半导体装置的平面构造。图2示出第1实施方式的半导体装置的平面构造。图3示出第1实施方式的半导体装置的一部分的剖面构造。图4示出第1实施方式的半导体装置的一部分的剖面构造。图5示出第1实施方式的半导体装置的一部分的剖面构造。图6示出第1参考用的半导体装置的平面的构造。图7示出第2参考用的半导体装置的平面的构造。图8示出第2实施方式的半导体装置的平面构造。图9示出第2实施方式的半导体装置的平面构造。图10示出第3实施方式的半导体装置的平面构造。图11示出第3实施方式的半导体装置的平面构造。图12示出第4实施方式的半导体装置的平面构造。图13示出第4实施方式的半导体装置的平面构造。具体实施方式以下，参照附图来叙述实施方式。在以下的描述中，有对具有大致相同的功能以及构成的构成要素赋予相同的附图标记且省略重复说明的情况。附图是示意性的，厚度与平面尺寸的关系、各层的厚度的比率等可与现实不同。另外，在附图相互之间也可以包含相互的尺寸关系、比率不同的部分。另外，只要没有明确地或显而易见地排除，则对某一个实施方式的所有描述也适用于对另一实施方式的描述。各实施方式例示用于将该实施方式的技术思想具体化的装置、方法，实施方式的技术思想不将构成部件的材质、形状、构造、配置等特定为下述内容。以下的描述中，使用xyz正交坐标系。＜第1实施方式＞图1以及图2表示第1实施方式的半导体装置1的平面构造，且表示沿着xy面的构造。半导体装置1例如形成为一个半导体芯片，包含后述的半导体基板(未图示)，并且包含设于半导体基板上的导电体以及绝缘体。图1以及图2对z轴上的不同坐标进行表示。图2对于比图1大的z轴坐标进行表示。如图1所示，半导体装置1的沿着xy面的面具有矩形的形状，包括沿y轴排列的两个边LE以及RE、还有沿x轴排列的两个边TE以及BE。例如，边LE、RE、TE以及BE是半导体装置1的沿着xy面的各个面的左边、右边、上边、下边。半导体装置1包含第1区域R1以及第2区域R2。第1区域R1以及第2区域R2沿xy面扩展，相互不重合。例如，半导体装置1的沿着xy面的整体的面被分割成第1区域R1以及第2区域R2。第1区域R1占据半导体装置1的沿着xy面的整体的面中的上侧的部分，第2区域R2占据半导体装置1的沿着xy面的整体的面中的下侧的部分。半导体装置1包含多个栅极电极11以及多个场板(FP)电极12。栅极电极11包含沿x轴延伸的部分与沿y轴延伸的部分，FP电极12包含沿x轴延伸的部分与沿y轴延伸的部分。沿y轴延伸的栅极电极11以及FP电极12沿x轴具有间隔地排列，沿x轴延伸的栅极电极11以及FP电极12沿y轴具有间隔地排列。一个FP电极12与两个栅极电极11构成一个电极组G。在各电极组G中，两个栅极电极11夹着一个FP电极12。将所有电极组G中的第1区域R1中的电极组G称为电极组G1，将第2区域R2中的电极组G称为电极组G2。电极组G1沿y轴延伸，且沿x轴在左边LE与右边RE之间排列。电极组G1由电极组G1L以及G1S构成。电极组G1L比电极组G1S长。即，电极组G1L中的栅极电极11以及FP电极12比电极组G1S中的栅极电极11以及FP电极12长。电极组G1L位于全部电极组的G1中的第1区域R1的左侧的部分，电极组G1S位于全部电极组G1中的第1区域R1的右侧的部分。电极组G1S与G1L的边界例如与后述的栅极焊盘21的某一部分的边缘一致。电极组G1L遍及上边TE的极近的位置与第1区域R1以及第2区域R2的边界的位置地延伸。电极组G1L的至少FP电极12只要遍及上边TE的极近的位置与第1区域R1以及第2区域R2的边界的位置地延伸即可，电极组G1L的栅极电极11也可以在两端比电极组G1L的FP电极12短。电极组G1S遍及第1区域R1的y轴上的比中央靠近上边TE的位置与第1区域R1以及第2区域R2的边界的位置地延伸。电极组G1S的至少FP电极12只要遍及第1区域R1的y轴上的比中央靠近上边TE的位置与第1区域R1以及第2区域R2的边界的位置地延伸即可，电极组G1S的栅极电极11也可以在两端比电极组G1S的FP电极12短。电极组G1L以及G1S的下端例如位于y轴上的同一坐标。电极组G2沿x轴遍及左边LE的极近的位置与右边RE的极近的位置地延伸。电极组G2的至少FP电极12只要遍及左边LE的极近的位置与右边RE的极近的位置地延伸即可，电极组G2的栅极电极11也可以在两端比电极组G2的FP电极12短。另外，电极组G2沿y轴从第1区域R1与第2区域R2的边界至下边BE的整个区域地排列。各栅极电极11经由触点14而与栅极焊盘21连接。各FP电极12经由触点15而与源极焊盘22连接。之后详细描述栅极焊盘21的形状以及FP电极12的形状、还有触点14以及15的位置。如图1以及图2、特别是图2所示，半导体装置1包含栅极焊盘21以及源极焊盘22。栅极焊盘21以及源极焊盘22沿xy面扩展，相互具有间隔，相互不接触，且相互电绝缘。栅极焊盘21具有如下图案，该图案具有在所有栅极电极11以及所有FP电极12各自的两端的位置将所有栅极电极11以及所有FP电极12横穿那样的形状以及配置。以下，描述具有这样的形状的栅极焊盘21的一个例子。栅极焊盘21包含第1部分21a、第2部分21b、第3部分21c、第4部分21d、第5部分21e、第6部分21f以及第7部分21g。第1部分21a具有矩形的形状，位于半导体装置1的右上角。第1部分21a的上边沿着本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其中，具备：/n半导体层，具有沿着包含第1轴与第2轴在内的面的第1面；/n沿所述第1轴延伸的第1电极以及第2电极；/n沿所述第2轴延伸的第3电极以及第4电极；以及/n所述第1面的上方的第1层中的第5电极，该第5电极与所述第1电极以及所述第3电极电连接，包含第1部分、第2部分、第3部分以及第4部分，所述第1部分相交于所述第1电极以及所述第2电极，所述第2部分相交于所述第1电极以及所述第2电极，并且在第1端从所述第1部分独立，所述第3部分相交于所述第3电极以及所述第4电极，所述第4部分相交于所述第3电极以及所述第4电极，并且在第1端从所述第3部分独立。/n

【技术特征摘要】
20190315 JP 2019-0483291.一种半导体装置，其中，具备：
半导体层，具有沿着包含第1轴与第2轴在内的面的第1面；
沿所述第1轴延伸的第1电极以及第2电极；
沿所述第2轴延伸的第3电极以及第4电极；以及
所述第1面的上方的第1层中的第5电极，该第5电极与所述第1电极以及所述第3电极电连接，包含第1部分、第2部分、第3部分以及第4部分，所述第1部分相交于所述第1电极以及所述第2电极，所述第2部分相交于所述第1电极以及所述第2电极，并且在第1端从所述第1部分独立，所述第3部分相交于所述第3电极以及所述第4电极，所述第4部分相交于所述第3电极以及所述第4电极，并且在第1端从所述第3部分独立。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
还具备第6电极，该第6电极位于所述第1层，与所述第2电极以及所述第4电极电连接，
所述第6电极包含第1部分、第2部分、第3部分、第4部分以及第5部分，所述第6电极的所述第1部分在所述第5电极的所述第1部分与所述半导体装置的边缘之间重叠于所述第2电极，所述第6电极的所述第2部分在所述第5电极的所述第1部分与所述第5电极的所述第2部分之间重叠于所述第2电极，所述第6电极的所述第3部分在所述第5电极的所述第3部分与所述半导体装置的边缘之间重叠于所述第4电极，所述第6电极的所述第4部分在所述第5电极的所述第4部分与所述半导体装置的边缘之间重叠于所述第4电极，所述第6电极的所述第5部分在由所述第5电极的所述第2部分、所述第3部分以及所述第4部分包围的部分重叠于所述第2电极以及所述第4电极。


3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，
所述第6电极将所述第1面的上方的所述半导体装置的边缘所包围的区域中的、与所述第5电极具有间隔并且不具备所述第5电极的区域覆盖。


4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，
所述半导体装置具备：
多个第1电极，包含所述第1电极，沿所述第1轴延伸；以及
多个第3电极，包含所述第3电极，沿所述第2轴延伸，
所述第5电极的所述第1部分与所述多个第1电极相交，
所述第5电极的所述第2部分与所述多个第1电极相交...

【专利技术属性】
技术研发人员：一关健太郎，西胁达也，相田喜久夫，大麻浩平，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP